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BSC029N025S摹
的OptiMOS
2电源晶体管
特点
快速开关MOSFET的开关电源
优化技术的笔记本电脑的DC / DC转换器
根据JEDEC合格
1
为目标的应用
逻辑电平/ N沟道
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
卓越的热电阻
额定雪崩
dv / dt的额定
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
TYPE
BSC029N025S
包
PG-TDSON-8
记号
29N025S
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
25
2.9
100
V
m
A
PG-TDSON-8
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 45 K / W
2)
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
功耗
I
D，脉冲
E
AS
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
C
=25 °C
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 45 K / W
2)
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
修订版0.94
第1页
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
3)
I
D
=50 A,
R
GS
=25
I
D
=50 A,
V
DS
=24 V,
的di / dt = 200 A / μs的，
T
， MAX
=150 °C
价值
100
81
24
200
680
6
±20
78
2.8
-55 ... 150
55/150/56
2006-05-10
°C
mJ
KV / μs的
V
W
单位
A
BSC029N025S摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，
结 - 环境
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
2)
-
-
-
-
-
-
1.6
62
45
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=80 A
V
DS
=25 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=25 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=50 A
V
GS
=10 V,
I
D
=50 A
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=50 A
25
1.2
-
-
1.6
0.1
-
2
1
A
V
-
-
-
-
-
53
10
10
3.6
2.4
1.2
106
100
100
4.5
2.9
-
-
S
nA
m
1)
2)
J- STD20和JESD22
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
3)
见图3
修订版0.94
第2页
2006-05-10
BSC029N025S摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
4)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量，同步。 FET
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=50 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 400 A / μs的
-
-
-
-
-
0.84
50
200
1
V
A
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
G（同步）
Q
OSS
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0至5伏
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=15 V,
I
D
=25 A,
V
GS
= 0至5伏
-
-
-
-
-
-
-
-
11
6
8
13
31
2.9
27
32
15
8
12
19
41
-
36
42
V
nC
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=25 A,
R
G
=2.7
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
3830
1460
170
7.5
8
33
6
5090
1940
255
11
11
49
9
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
反向恢复电荷
Q
rr
-
-
15
nC
4)
参见图16栅极电荷参数定义
修订版0.94
第3页
2006-05-10
BSC029N025S摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
90
120
75
100
60
80
P
合计
[W]
45
I
D
[A]
0
40
80
120
160
60
30
40
15
20
0
0
0
40
80
120
160
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
限于由导通状态
阻力
10 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
10
2
100 s
10
0
0.5
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
0.2
0.1
0.05
1毫秒
10
1
10毫秒
10
-1
0.02
0.01
DC
单脉冲
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版0.94
第4页
2006-05-10
BSC029N025S摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
200
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
10
3V
3.2 V
3.4 V
3.7 V
10 V
4.5 V
160
4V
8
I
D
[A]
3.7 V
R
DS （ ON）
[m
]
120
6
4V
80
3.4 V
4
4.5 V
40
3.2 V
3V
2.8 V
2
10 V
0
0
1
2
3
0
0
50
100
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
200
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
150
160
120
120
90
80
g
fs
[S]
60
40
150 °C
25 °C
I
D
[A]
30
0
0
1
2
3
4
5
0
0
25
50
75
V
GS
[V]
I
D
[A]
修订版0.94
第5页
2006-05-10
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