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N沟道功率MOSFET

OptiMOS

BSB056N10NN3摹

数据表

2.3, 2011-02-28

最终科幻

工业&多元化

的OptiMOS 功率MOSFET

BSB056N10NN3摹

描述

的OptiMOS 100V产品是业内领先的功率MOSFET的最大功率

密度和高能效的解决方案。超低栅极和输出电荷在一起

用最低的通态电阻小尺寸封装的OptiMOS做出

100V的最佳选择满心欢喜电压调节器的苛刻要求

解决方案在太阳能，驱动器，数据通信和电信应用。超级快

切换控制场效应管以及低EMI同步场效应管提供解决方案，

易于设计英寸的OptiMOS 产品在高性能可用

包，以解决最具挑战性的应用提供全面的灵活性

优化空间 - 效率和成本。

特点

优化用于高开关频率DC / DC转换器

优秀的Q

个R

DS （ ON）

产品（ FOM ）

非常低的导通电阻R

DS （ ON）

无铅电镀;符合RoHS标准

根据IEC61249-2-21的无卤素

双面冷却

兼容的DirectFET封装MN的足迹和大纲

低寄生电感

薄型（ <0.7毫米）

应用

同步整流

初级侧开关

电源管理为高性能计算

负载转换器的功率密度高点

主要性能参数

价值

100

5.6

单位

mΩ

相关链接

IFX的OptiMOS网页

IFX的OptiMOS产品简介

IFX的OptiMOS SPICE模型

IFX设计工具

表1

参数

DS （ ON），最大

OSS

典型值

TYPE

BSB056N10NN3摹

包

MG-WDSON-2

记号

0110

的DirectFET 是国际整流器公司的注册商标。 BSB056N10NN3G使用的DirectFET 技术

国际整流器公司的许可

最终数据手册

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的OptiMOS 功率MOSFET

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最大额定值

= 25℃，除非另有规定。

表2

参数

连续漏电流

最大额定值

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

门源电压

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

D，脉冲

合计

英镑

-20

-40

332

450

2.8

150

°C

55/150/56

=25 °C

=25 °C,

thJA

=45

K / W

=10 V,

=25 °C

=10 V,

=100 °C

=10 V,

=25 °C,

thJA

= 45 K / W ）

=25 °C

= 30 A，R

=25

单位

注/测试条件

1） 40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区的漏极连接设备。

PCB是垂直的静止空气中。

2 ）参见图3详细信息

表3

参数

热特性

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

1.6

K / W

单位

注意： /

测试条件

顶部

底部

6厘米

散热面积

热阻，结 - 案

thJC

器件在PCB上

thJA

1） 40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层， 70μ ，厚）铜区排水连接错误的设备。

PCB是垂直的静止空气中。

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的OptiMOS 功率MOSFET

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电气特性

电气特性，在

J = 25 ℃，除非另有规定。

表4

参数

静态特性

符号

分钟。

漏源击穿电压

（ BR ） DSS

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

100

栅极 - 源极漏电流

2.7

0.1

6.2

栅极电阻

跨

0.5

值

典型值。

马克斯。

3.5

100

5.6

8.1

|>2|I

D | RDS （ ON）最大值

=30 A

mΩ

单位

注/测试条件

=0 V,

= 1毫安

=100 A

=100V,

=0 V,

=25 °C

=100 V,

=0 V,

=125 °C

=20 V,

=0 V

=10 V,

=30A

=6 V,

=15A

GS （ TH）

DSS

GSS

漏源导通电阻

DS （ ON）

表5

参数

动态特性

符号

分钟。

值

典型值。

4100

750

马克斯。

5500

1000

单位

注意： /

测试条件

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

国际空间站

OSS

RSS

=0 V,

=50 V,

= 1兆赫

=50V,

=10 V,

=30 A,

= 1.6

D（上）

D（关闭）

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电气特性

表6

参数

栅极电荷特性

符号

分钟。

值

典型值。

9.7

4.2

马克斯。

单位

注意： /

测试条件

门源费

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

输出充电

=50 V,

=30 A,

= 0到10伏

高原

OSS

=50 V,

=0 V

1 ）参见图16栅极电荷参数定义

表7

参数

反向二极管特性

符号

分钟。

S，脉冲

值

典型值。

马克斯。

316

0.9

174

1.2

单位

注意： /

测试条件

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复电荷

反向恢复时间

=25 °C

=0 V,

=25 °C

=50V,

=30A,

= 100 A / μS

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