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BSB015N04NX3摹
的OptiMOS
TM
3功率MOSFET
特点
优化的高开关频率DC / DC转换器
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
低寄生电感
薄型（ <0.7毫米）
100 ％雪崩测试
100 ％通过Rg测试
双面冷却
无铅电镀;符合RoHS标准
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
40
1.5
180
V
m
A
MG-WDSON-2
兼容的DirectFET封装MX占位面积和轮廓
1)
根据JEDEC合格
2)
为目标的应用
TYPE
BSB015N04NX3摹
包
MG-WDSON-2
概要
MX
记号
0204
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
V
GS
=10 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=10 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=10 V,
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 45 K / W
2)
漏电流脉冲
3)
雪崩电流，单脉冲
4)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
1)
价值
180
124
35
400
40
290
±20
单位
A
I
D，脉冲
I
AS
E
AS
V
GS
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=40 A,
R
GS
=25
mJ
V
CanPAK
TM
采用国际整流器公司授权的DirectFET 技术。的DirectFET是注册
商标国际整流器公司。
2)
3)
4)
J- STD20和JESD22
参见图3详细信息
参见图13更详细的信息
修订版2.0
第1页
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BSB015N04NX3摹
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
功耗
符号条件
P
合计
T
C
=25 °C
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 45 K / W
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
T
j
,
T
英镑
价值
89
2.8
-40 ... 150
55/150/56
°C
单位
W
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
R
thJC
底部
顶部
器件在PCB上
R
thJA
6厘米
2
散热面积
5)
-
-
-
1.0
-
-
1.4
45
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250 A
V
DS
=40 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=40 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
栅极电阻
跨
5)
40
2
-
-
-
0.1
-
4
10
V
A
-
-
-
0.2
10
10
1.3
0.5
110
100
100
1.5
1.0
-
S
nA
I
GSS
R
DS （ ON）
R
G
g
fs
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=30 A
55
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
修订版2.0
第2页
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BSB015N04NX3摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
6)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量，同步。 FET
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=30 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 400 A / μs的
-
-
-
-
-
0.81
89
400
-
V
A
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
G（同步）
Q
OSS
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0到10伏
V
DD
=20 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=20 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
-
-
41
26
13
28
107
4.8
101
86
-
-
-
-
142
-
134
-
V
nC
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=20 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A,
R
G
=1.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=20 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
9000
2300
91
23
6.4
36
7.6
12000 pF的
3100
-
-
-
-
-
ns
值
典型值。
马克斯。
单位
反向恢复电荷
6)
Q
rr
-
-
50
nC
参见图16栅极电荷参数定义
修订版2.0
第3页
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BSB015N04NX3摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
100
90
80
70
60
200
160
120
P
合计
[W]
50
40
30
20
10
0
0
40
80
120
160
I
D
[A]
80
40
0
0
40
80
120
160
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
限于由导通状态
阻力
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
1 s
10 s
10
2
100 s
10
0
0.5
DC
Z
thJC
〔 K / W〕
1毫秒
0.2
I
D
[A]
10
1
10毫秒
10
-1
0.1
0.05
0.02
10
0
10
-2
0.01
单脉冲
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
t
p
[s]
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
修订版2.0
第4页
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BSB015N04NX3摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
800
10 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
6
720
640
560
480
6.5 V
5
7V
5V
4
400
320
6V
R
DS （ ON）
[m
]
I
D
[A]
3
5.5 V
240
160
80
0
0
1
2
3
2
7V
6V
6.5 V
10 V
5.5 V
1
5V
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
800
720
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
280
240
640
560
480
400
320
240
160
80
25 °C
150 °C
200
g
fs
[S]
2
3
4
5
6
7
8
I
D
[A]
160
120
80
40
0
0
0
40
80
120
160
V
GS
[V]
I
D
[A]
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