BS807
n沟道增强模式DMOS晶体管
特点
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·
高的击穿电压
高输入阻抗
开关速度快
特别适用于电话的子集
非常适用于自动化表面贴装
SOT-23
A
D
顶视图
G
E
D
G
H
K
J
L
M
S
B
C
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
民
0.37
1.19
2.10
0.89
0.45
1.78
2.65
0.013
0.89
0.45
0.076
最大
0.51
1.40
2.50
1.05
0.61
2.05
3.05
0.15
1.10
0.61
0.178
机械数据
·
·
·
·
·
案例： SOT -23 ，塑料
终端：每焊
MIL- STD- 202方法208
引脚连接：见图
标记： S07
重量： 0.008克（约）
尺寸：mm
最大额定值
漏源电压
漏极 - 栅极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGS
V
GS
I
D
P
d
T
j
, T
英镑
价值
200
200
±20
100
310
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
特征
栅源电压（脉冲） （注2 ）
漏电流（连续）
功率耗散@ T
C
= 50 ° C（注1 ）
工作和存储温度范围
逆二极管
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
I
F
V
F
价值
0.3
0.85
单位
A
V
最大正向电流（连续）
正向压降（典型值）
@ V
GS
= 0, I
F
= 0.3A ，T
j
= 25°C
注意事项：
1.装置安装在陶瓷基板0.7毫米X 2.5厘米
2
区。
2.脉冲测试：脉冲宽度=为80μs ，占空比= 1 ％ 。
DS11301修订版D- 3
1第3
BS807
电气特性
特征
漏源击穿电压
门体漏电流
漏源电流切断
门源阈值电压
漏源导通电阻
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
I
DSX
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
R
qJSB
R
qJA
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
民
200
—
—
—
—
—
—
—
典型值
230
—
—
1.8
18
—
—
58
8.0
1.5
最大
—
10
30
1.0
3.0
28
320
400
—
单位
V
nA
nA
A
V
W
K / W
K / W
pF
测试条件
I
D
= 100μA ，V
GS
= 0
V
GS
= 15V, V
DS
= 0
V
DS
= 130V, V
GS
=0
V
DS
= 70V, V
GS
= 0.2V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 2.8V ，我
D
= 20毫安
注1
注1
V
DS
= 20V,V
GS
= 0中，f = 1.0兆赫
热阻，结到衬底背面
热阻，结到环境空气
输入电容
输出电容
反馈电容
注意事项：
1.装置安装在陶瓷基板0.7毫米X 2.5厘米
2
区。
2.脉冲测试：脉冲宽度=为80μs ，占空比= 1 ％ 。
DS11301修订版D- 3
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