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概述
该Am29BDS640G是64兆， 1.8伏只，同时进行读/写，突发模式
快闪存储器装置中，组织为每16比特4,194,304字。该设备使用
单V
CC
1.65 1.95 V至读取，编程和擦除存储器阵列。该装置
支持增强的V
IO
提供高达3V兼容的输入和输出。 12.0伏V
ID
可用于更快的程序的性能，如果需要的。该装置还可以亲
编程标准EPROM编程器。
在54兆赫，该装置提供的13.5毫微秒，在30 pF的突发访问87.5的等待时间
NS为30 pF的。在40兆赫，该装置提供的20纳秒，在30 pF的突发访问与LA-
95 ns的tency 30 pF的。该器件可工作在工业温度范围内 -
40 ° C至+ 85°C 。该器件采用80球FBGA封装。
同时读/写架构提供
同时操作
通过divid-
荷兰国际集团的存储器空间分成四组。该装置可提高整个系统的perfor-
曼斯允许主机系统编程或擦除在一家银行，然后立即和
从另一家银行同时读取，零延迟。这种释放系统从
等待完成程序或擦除操作。
该装置被划分为列于下表中：
银行
A
B
C
D
QUANTITY
4
31
32
32
31
4
SIZE
8 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
8 K字
增强VersatileIO （V
IO
）控制允许主机系统设置的电压电平
该装置产生在其数据输出端与所述电压在其数据输入端的耐受性
到被断言在V相同的电压电平
IO
引脚。这使得设备操作
在1.8 V和3 V系统环境的要求。
该设备采用芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ） ，地址有效（ AVD ＃ ）和输出
把启用（ OE ＃ ）控制异步读取和写入操作。对于突发操作
系统蒸发散， thedeviceadditionally需要重新奥迪（R DY ）和C锁（CLK） 。第I S
实施可轻松实现以最小的胶合逻辑范围广泛的微处理器的
处理机/微控制器高性能读取操作。
突发读取模式功能使系统设计人员灵活地接口到设备
副。用户可以预先设置脉冲串长度和包裹通过相同的内存空间，或
读在连续模式中的闪存阵列。
时钟极性功能为系统设计师提供有效时钟的边沿选择，无论是
上升或下降。有效时钟沿开始突发访问，并决定数据时，
将被输出。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC 42.4单加电
供应闪光的标准。
命令被写入命令寄存器中使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为输入到内部状态，马
折角控制的擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据
该装置类似于从其他闪存或EPROM器件读取。
该
擦除暂停/删除恢复
功能允许用户将擦除搁置
任何一段时间内读取数据，或程序数据，即不选择任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止正在进行的任何操作，并复位内部
状态机来读取阵列数据。在RESET ＃引脚可以连接到系统复位税务局局长
cuitry 。系统复位将因此还重置设备，使系统microproces-
感器读取闪存设备引导固件。
主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成时通过使用
设备状态位DQ7 （数据＃投票）和DQ6 / DQ2 （触发位） 。某个程序后或
擦除周期已经完成，该装置自动返回到读出阵列的数据。
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Am29BDS640G
25903C2 2006年5月9日
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