超低功耗CMOS SRAM
32K ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS62UV256
n
特点
宽V
CC
低工作电压： 1.8V 3.6V
超低功耗：
V
CC
= 2.0V工作电流： 15毫安（最大） ，在为150ns
0.5毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.005uA （典型值），在25
O
C
V
CC
= 3.0V工作电流： 25毫安（最大） ，在为150ns
1毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.01uA （典型值），在25
O
C
高速存取时间：
-10
为100ns （最大值）。
-15
为150ns （最大值）。
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS62UV256是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位， 32768和
经营形成了广泛的1.8V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
在2.0V为150ns的0.005uA的电流和最大访问时间
操作。
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS62UV256具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS62UV256可在DICE的形式， JEDEC标准的28引脚
330mil塑料SOP ， 600mil塑料DIP ， TSOP 8mmx13.4mm
（正常型） 。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS62UV256DC
BS62UV256PC
BS62UV256SC
BS62UV256TC
BS62UV256PI
BS62UV256SI
BS62UV256TI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
0.7uA
0.7uA
1.0mA
25mA
0.8mA
15mA
广告
+0
O
C至+70
O
C
0.4uA
0.4uA
0.9mA
20mA
0.6mA
10mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=2.0V
f
马克斯。
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
PDIP-28
SOP-28
TSOP-28
PDIP-28
SOP-28
TSOP-28
n
销刀豆网络gurations
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
n
框图
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
BS62UV256PC
BS62UV256PI
BS62UV256SC
BS62UV256SI
A5
A6
A7
A12
A14
A13
A8
A9
A11
地址
输入
卜FF器
9
ROW
解码器
512
存储阵列
512X512
512
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
64
列解码器
6
CE
WE
OE
V
CC
GND
A4 A3 A2 A1 A0 A10
控制
地址输入缓冲器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
8
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
BS62UV256TC
BS62UV256TI
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
数据
产量
卜FF器
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS62UV256
1
修订版2.6
九月
2006
BS62UV256
n
引脚说明
名字
A0 - A14地址输入
CE芯片使能输入
功能
这15个地址输入选择32768中的x在RAM 8位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，数据读取表格或写
装置。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
有8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
我们写使能输入
OE输出使能输入
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
V
CC
GND
电源
地
n
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
5.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
1.8V ~ 3.6V
1.8V ~ 3.6V
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒。
R0201-BS62UV256
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
2
修订版2.6
九月
2006
BS62UV256
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
V
CC
=2.0V
O
O
测试条件
分钟。
1.8
-0.5
(2)
1.4
2.2
--
典型值。
(1)
--
马克斯。
3.6
0.6
0.8
单位
V
输入低电压
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
--
V
输入高电压
V
CC
=3.0V
--
V
CC
+0.3
(3)
V
输入漏电流
V
IN
= 0V至V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至V
CC
--
1
uA
输出漏电流
--
V
CC
=2.0V
--
1
0.2
0.4
uA
输出低电压
V
CC
=最大，我
OL
= 0.1毫安
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
--
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
--
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
V
CC
=最小，我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安中，f = F
MAX(4)
CE = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安
1.6
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.005
0.01
--
15
25
0.8
1.0
0.5
1.0
0.7
0.7
V
mA
mA
mA
待机电流
–
CMOS
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
O
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. I
CC （ MAX 。 ）
为10mA / 20毫安在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70
O
C.
6. I
CCSB1(MAX.)
为0.4uA / 0.4uA在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70
O
C.
O
n
数据保持特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
分钟。
1.5
--
0
典型值。
(1)
--
0.005
--
--
马克斯。
--
0.7
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
t
RC （2）
1. V
CC
= 1.5V ，T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3. I
CCDR （ MAX 。 ）
为0.4uA在T
A
=70
O
C.
n
低V
CC
数据保存波形（ CE控制）
数据保持方式
V
DR
≧1.5V
V
CC
V
IH
V
CC
V
CC
t
CDR
CE = V
CC
- 0.2V
t
R
V
IH
CE
R0201-BS62UV256
3
修订版2.6
九月
2006
QQ：2880707522 复制
