BSI
特点
超低功率/电压CMOS SRAM
256K ×8位
描述
BS62UV2001
宽的Vcc工作电压： 1.8V 3.6V
超低功耗：
VCC = 2.0V C-等级： 15毫安（最大）工作电流
I-等级： 20毫安（最大）工作电流
0.08uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 3.0V C-等级： 20毫安（最大）工作电流
I-等级： 25毫安（最大）工作电流
为0.1uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-70
70ns的（最大）在VCC = 2.0V
-10
为100ns （最大值） ，在VCC = 2.0V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
该BS62UV2001是一款高性能，超低功耗CMOS
由8位， 262144字静态随机存取存储器
而工作在广泛的1.8V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
在3.0V操作为70ns的为0.1uA和最大访问时间。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效
输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62UV2001具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62UV2001可在JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP ， 8mmx13.4mm STSOP和8mmx20mm TSOP 。
产品系列
产品
家庭
BS62UV2001TC
BS62UV2001STC
BS62UV2001SC
BS62UV2001TI
BS62UV2001STI
BS62UV2001SI
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
Vcc=2V
0 ℃ + 70℃
O
O
功耗
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
TSOP
-
32
STSOP
-
32
SOP
-
32
TSOP
-
32
STSOP
-
32
SOP
-
32
Vcc=3V
0.7uA
VCC = 2V VCC = 3V VCC = 2V
0.5uA
20mA
15mA
1.8~3.6V
70 / 100
-40°C至+ 85°C
O
O
1.8~3.6V
70 / 100
1.5uA
1uA
25mA
20mA
销刀豆网络gurations
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
框图
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A13
A17
A15
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
百联半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS62UV2001
BS62UV2001TC
BS62UV2001STC
BS62UV2001TI
BS62UV2001STI
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
2048
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
256
列解码器
16
控制
地址输入缓冲器
1
2
3
4
5
6
7
BS62UV2001SC
8
BS62UV2001SI
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
8
数据
产量
卜FF器
8
CE1
CE2
WE
OE
VDD
GND
A11 A9 A8 A3 A2 A1 A0 A10
1
修订版2.4
2002年4月
BSI
引脚说明
BS62UV2001
功能
这18个地址输入选择在RAM中的262,144 ×8位字中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
名字
A0 - A17地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
VCC
GND
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
WE
CE1
CE2
OE
I / O操作
VCC电流
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
X
X
H
H
L
H
X
L
L
L
X
L
H
H
H
X
X
H
L
X
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40到+125
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
1.8V ~ 3.6V
1.8V ~ 3.6V
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是测试。
R0201-BS62UV2001
2
修订版2.4
2002年4月
BSI
DC电气特性
（ TA = 0
o
C至+ 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
BS62UV2001
测试条件
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
分钟。
-0.5
-0.5
1.4
2.0
--
--
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.08
0.1
马克斯。
0.6
0.8
Vcc+0.2
Vcc+0.2
1
1
0.4
0.4
--
--
15
20
0.6
1
0.5
0.7
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
或OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 1毫安
VCC =最小，我
OH
= -0.5mA
VCC =最大， CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(3)
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
I
DQ
= 0毫安
VCC =最大， CE1
CE2 0.2V ; V
IN
V
IN
0.2V
VCC- 0.2V或
VCC - 0.2V或
--
--
1.6
2.4
--
--
--
--
--
--
I
CCSB1
待机电流CMOS
Vcc=3.0V
uA
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
数据保持特性
（ TA = 0
o
C至+ 70
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
CE1
V
IN
CE1
V
IN
测试条件
VCC - 0.2V ， CE2
VCC - 0.2V或V
IN
VCC - 0.2V ， CE2
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V,
0.2V
0.2V,
0.2V
分钟。
1.5
--
0
T
RC （2）
典型值。
(1)
--
0.01
--
--
马克斯。
--
0.5
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
（ CE1控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE1
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE1
低V
CC
数据保存波形图（ 2 ）
（ CE2控制）
数据保持方式
VCC
VCC
V
DR
1.5V
VCC
t
CDR
t
R
CE2
0.2V
CE2
R0201-BS62UV2001
V
IL
V
IL
3
修订版2.4
2002年4月
BSI
开关波形（读周期）
读CYCLE1
(1,2,4)
BS62UV2001
t
RC
地址
t
D
OUT
t
OH
AA
t
OH
READ循环2
(1,3,4)
CE1
t
CE2
(5)
CLZ
ACS1
t
t
ACS2
t
CHZ1,
t
(5)
CHZ2
D
OUT
读CYCLE3
(1,4)
t
RC
地址
t
OE
AA
t
CE1
OE
t
OH
t
t
(5)
CLZ1
OLZ
t
ACS1
t
OHZ
(5)
(1,5)
t
CHZ1
CE2
t
t
(5)
CLZ2
ACS2
t
(2,5)
CHZ2
D
OUT
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH 。
3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的，如图1B所示。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BS62UV2001
5
修订版2.4
2002年4月
QQ：2881677436 复制
