BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
1M ×8位
概述
BS62LV8005
宽的Vcc工作电压： 4.5V 5.5V
极低的功耗：
VCC = 5V C-等级： 45毫安（最大）工作电流
我优级： 50毫安（最大）工作电流
微安（典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在Vcc = 5V
-70
70ns的（最大）在Vcc = 5V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
该BS62LV8005是一款高性能，低功耗CMOS
由8位， 1,048,576字静态随机存取存储器
而工作在广泛的4.5V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
在5V工作55ns的3uA的和最大的访问时间。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62LV8005具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV8005是44针TSOP2和48引脚BGA型可用。
产品系列
产品
家庭
BS62LV8005EC
BS62LV8005BC
BS62LV8005EI
BS62LV8005BI
操作
温度
+0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
范围
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
速度
（纳秒）
Vcc=5V
( I
CCSB1
马克斯）
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯）
PKG型
TSOP2-44
BGA-48-0810
TSOP2-44
BGA-48-0810
Vcc=5V
Vcc=5V
55 / 70
55 / 70
30uA
50uA
45mA
50mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE1
NC
NC
DQ0
DQ1
VCC
GND
DQ2
DQ3
NC
NC
WE
A19
A18
A17
A16
A15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
5
6
A5
A6
A7
OE
CE2
A8
NC
NC
DQ7
DQ6
GND
VCC
DQ5
DQ4
NC
NC
A9
A10
A11
A12
A13
A14
功能框图
BS62LV8005EC
BS62LV8005EI
A13
A17
A15
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 X 4096
4096
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CE1
CE2
WE
OE
VDD
GND
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
512
列解码器
18
控制
地址输入缓冲器
2
3
4
A
NC
OE
A0
A1
A2
CE2
8
数据
产量
卜FF器
8
B
NC
NC
A3
A4
CE1
NC
C
D0
NC
A5
A6
NC
D4
D
VSS
D1
A17
A7
D5
VCC
E
VCC
D2
VCC
A16
D6
VSS
A11A9 A8 A3 A2 A1 A0A10 A19
F
D3
NC
A14
A15
NC
D7
G
NC
NC
A12
A13
WE
NC
H
A18
A8
A9
A10
A11
A19
百联半导体公司
。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS62LV8005
48球CSP顶视图
1
修订版2.4
2002年4月
BSI
引脚说明
BS62LV8005
功能
这20个地址输入选择在RAM中的1048576个8位字中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，则设备
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
is
名字
A0 - A19地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
VCC
GND
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
同
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40到+125
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
10
12
pF
pF
1.此参数是保证，而不是测试。
R0201-BS62LV8005
2
修订版2.4
2002年4月
BSI
DC电气特性
（ TA = 0
o
C至+ 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
BS62LV8005
测试条件
Vcc=5V
参数
保证输入低
(2)
电压
保证输入高
(2)
电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
待机电流CMOS
分钟。
-0.5
2.2
--
--
--
2.4
--
--
--
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
--
3
马克斯。
0.8
Vcc+0.2
1
1
0.4
--
45
2
30
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
Vcc=5V
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
or
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH ，
I
DQ
= 0毫安，
(3)
F =最大频率
CE1 = V
IH
， CE2 = V
白细胞介素，
I
DQ
= 0毫安
CE1 VCC- 0.2V ， 0.2V CE2
V
IN
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
Vcc=5V
Vcc=5V
Vcc=5V
Vcc=5V
Vcc=5V
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
数据保持特性
（ TA = 0 + 70
o
C )
符号
V
DR
参数
VCC为数据保留
测试条件
CE1为VCC - 0.2V或CE2
V
IN
VCC - 0.2V或V
IN
CE1
V
IN
0.2V或
0.2V
分钟。
1.5
典型值。
(1)
--
马克斯。
--
单位
V
I
CCDR
t
CDR
t
R
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
VCC - 0.2V或CE2
0.2V
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
--
0
0.4
--
--
2.5
--
--
uA
ns
ns
见保留波形
T
RC （2）
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
（ CE1控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE1
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE1
低V
CC
数据保存波形图（ 2 ）
（ CE2控制）
数据保持方式
VCC
VCC
V
DR
1.5V
VCC
t
CDR
t
R
CE2
0.2V
CE2
V
IL
V
IL
R0201-BS62LV8005
3
修订版2.4
2002年4月
BSI
开关波形（读周期
)
读CYCLE1
(1,2,4)
BS62LV8005
t
RC
地址
t
D
OUT
t
OH
AA
t
OH
READ循环2
(1,3,4)
CE2
t
t
ACS2
ACS1
CE1
t
D
OUT
(5)
CLZ
t
CHZ
(5)
读CYCLE3
(1,4)
地址
t
RC
t
OE
AA
t
CE2
OE
t
OH
t
t
t
t
(5)
CLZ
ACS2
CE1
OLZ
ACS1
t
t
OHZ
CHZ
(5)
(1,5)
D
OUT
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低， CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的，如图1B所示。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BS62LV8005
5
修订版2.4
2002年4月
QQ：2881677436 复制
