BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
512K ×8位
描述
BS62LV4008
的Vcc工作电压： 2.4V 3.6V
极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 29毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 30毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 24毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 25毫安（ @为70ns ）工作电流
0.45uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
自动断电，当芯片被取消
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展CE和OE选项
三态输出与TTL兼容
该BS62LV4008是一款高性能，低功耗CMOS
由8位， 524288字静态随机存取存储器
而从经营范围2.4V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
0.45uA在3.0V / 25
o
55ns的3.0V / 85 ℃，最大访问时间
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS62LV4008具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV4008可在JEDEC标准32L SOP ， TSOP
， PDIP ， TSOP II和STSOP包。
产品系列
产品
家庭
BS62LV4008TC
BS62LV4008STC
BS62LV4008SC
BS62LV4008EC
BS62LV4008PC
BS62LV4008TI
BS62LV4008STI
BS62LV4008SI
BS62LV4008EI
BS62LV4008PI
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
55ns ： 3.0 3.6V
为70ns ： 2.7 3.6V
功耗
( I
CCSB1
马克斯）
待机
VCC = 3.0V
操作
( I
CC
马克斯）
VCC = 3.0V
55ns
VCC = 3.0V
70ns
PKG
TYPE
TSOP
-
32
STSOP
-
32
SOP
-
32
TSOP2
-
32
PDIP
-
32
TSOP
-
32
STSOP
-
32
SOP
-
32
TSOP2
-
32
PDIP
-
32
0 ℃ + 70℃
O
O
2.4V ~ 3.6V
55 / 70
5uA
29mA
24mA
-
40
O
C至+ 85°C
O
2.4V ~ 3.6V
55 / 70
10uA
30mA
25mA
销刀豆网络gurations
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
框图
A13
A17
A15
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
BS62LV4008SC
BS62LV4008SI
BS62LV4008EC
BS62LV4008EI
BS62LV4008PC
BS62LV4008PI
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 X 2048
2048
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
256
列解码器
16
CE
WE
OE
VDD
GND
控制
地址输入缓冲器
8
A11
A9
A8
A13
WE
A17
A15
VCC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
BS62LV4008TC
BS62LV4008STC
BS62LV4008TI
BS62LV4008STI
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
数据
产量
卜FF器
8
华晨半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS62LV4008
A11 A9 A8 A3 A2 A1 A0 A10
1
修订版1.1
一月
2004
BSI
引脚说明
BS62LV4008
功能
这19个地址输入选择在RAM中的524,288 ×8位字中的一个
CE为低电平有效。芯片使必须被激活时，数据从读或写
装置。如果芯片使能未激活，取消选择器件，是一个备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
名字
A0 - A18地址输入
CE芯片使能输入
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
VCC
GND
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
同
工作范围
单位
V
O
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
2.4V ~ 3.6V
2.4V ~ 3.6V
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
R0201-BS62LV4008
2
修订版1.1
一月
2004
BSI
DC电气特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
BS62LV4008
测试条件
VCC = 3.0 V
VCC = 3.0 V
参数
保证输入低
电压
(3)
保证输入高
电压
(3)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
MIN 。 TYP 。
-0.5
2.0
--
--
VCC = 3.0 V
VCC = 3.0 V
55ns
70ns
(1)
马克斯。
0.8
Vcc+0.3
1
1
0.4
--
30
25
0.5
单位
--
--
--
--
--
--
--
V
V
uA
uA
V
V
mA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2.0毫安
VCC =最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
, I
DQ
= 0毫安，
F =最大频率
(2)
CE = V
IH
, I
DQ
= 0毫安
CE
≧
Vcc-0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
VCC = 3.0 V
--
2.4
--
I
CCSB
(4)
VCC = 3.0 V
--
--
mA
I
CCSB1
待机电流CMOS
VCC = 3.0 V
--
0.45
10
uA
1.典型的特点是在T
A
= 25
o
C.
2.的Fmax = 1 /吨
RC
.
3.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
4. I
cc
SB1_MAX.
是5UA在Vcc = 3.0V和T
A
=70
o
C.
5. Icc_
马克斯。
是29毫安（ @ 55ns ） / 24毫安（ @为70ns ）在Vcc = 3.0V和T
A
=0~70
o
C.
数据保持特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
符号
V
DR
参数
VCC为数据保留
测试条件
CE
≧
VCC - 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE
≧
VCC - 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
分钟。
1.5
典型值。
(1)
--
马克斯。
--
单位
V
I
CCDR
t
CDR
t
R
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
--
0
0.3
--
--
1.3
--
--
uA
ns
ns
见保留波形
T
RC （2）
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
3. I
cc
DR
_
马克斯。
为0.8uA在T
A
=70
O
C.
低V
CC
数据保存波形
VCC
V
IH
VCC
（ CE控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.5V
VCC
t
CDR
CE
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
R0201-BS62LV4008
3
修订版1.1
一月
2004
BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
512K ×8位
描述
BS62LV4008
的Vcc工作电压： 2.4V 3.6V
极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 29毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 30毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 24毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 25毫安（ @为70ns ）工作电流
0.45uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
自动断电，当芯片被取消
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展CE和OE选项
三态输出与TTL兼容
该BS62LV4008是一款高性能，低功耗CMOS
由8位， 524288字静态随机存取存储器
而从经营范围2.4V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
0.45uA在3.0V / 25
o
55ns的3.0V / 85 ℃，最大访问时间
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS62LV4008具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV4008可在JEDEC标准32L SOP ， TSOP
， PDIP ， TSOP II和STSOP包。
产品系列
产品
家庭
BS62LV4008TC
BS62LV4008STC
BS62LV4008SC
BS62LV4008EC
BS62LV4008PC
BS62LV4008TI
BS62LV4008STI
BS62LV4008SI
BS62LV4008EI
BS62LV4008PI
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
55ns ： 3.0 3.6V
为70ns ： 2.7 3.6V
功耗
( I
CCSB1
马克斯）
待机
VCC = 3.0V
操作
( I
CC
马克斯）
VCC = 3.0V
55ns
VCC = 3.0V
70ns
PKG
TYPE
TSOP
-
32
STSOP
-
32
SOP
-
32
TSOP2
-
32
PDIP
-
32
TSOP
-
32
STSOP
-
32
SOP
-
32
TSOP2
-
32
PDIP
-
32
0 ℃ + 70℃
O
O
2.4V ~ 3.6V
55 / 70
5uA
29mA
24mA
-
40
O
C至+ 85°C
O
2.4V ~ 3.6V
55 / 70
10uA
30mA
25mA
销刀豆网络gurations
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
框图
A13
A17
A15
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
BS62LV4008SC
BS62LV4008SI
BS62LV4008EC
BS62LV4008EI
BS62LV4008PC
BS62LV4008PI
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 X 2048
2048
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
256
列解码器
16
CE
WE
OE
VDD
GND
控制
地址输入缓冲器
8
A11
A9
A8
A13
WE
A17
A15
VCC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
BS62LV4008TC
BS62LV4008STC
BS62LV4008TI
BS62LV4008STI
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
数据
产量
卜FF器
8
华晨半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
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A11 A9 A8 A3 A2 A1 A0 A10
1
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一月
2004
BSI
引脚说明
BS62LV4008
功能
这19个地址输入选择在RAM中的524,288 ×8位字中的一个
CE为低电平有效。芯片使必须被激活时，数据从读或写
装置。如果芯片使能未激活，取消选择器件，是一个备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
名字
A0 - A18地址输入
CE芯片使能输入
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
VCC
GND
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
同
工作范围
单位
V
O
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
2.4V ~ 3.6V
2.4V ~ 3.6V
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
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一月
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DC电气特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
BS62LV4008
测试条件
VCC = 3.0 V
VCC = 3.0 V
参数
保证输入低
电压
(3)
保证输入高
电压
(3)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
MIN 。 TYP 。
-0.5
2.0
--
--
VCC = 3.0 V
VCC = 3.0 V
55ns
70ns
(1)
马克斯。
0.8
Vcc+0.3
1
1
0.4
--
30
25
0.5
单位
--
--
--
--
--
--
--
V
V
uA
uA
V
V
mA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2.0毫安
VCC =最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
, I
DQ
= 0毫安，
F =最大频率
(2)
CE = V
IH
, I
DQ
= 0毫安
CE
≧
Vcc-0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
VCC = 3.0 V
--
2.4
--
I
CCSB
(4)
VCC = 3.0 V
--
--
mA
I
CCSB1
待机电流CMOS
VCC = 3.0 V
--
0.45
10
uA
1.典型的特点是在T
A
= 25
o
C.
2.的Fmax = 1 /吨
RC
.
3.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
4. I
cc
SB1_MAX.
是5UA在Vcc = 3.0V和T
A
=70
o
C.
5. Icc_
马克斯。
是29毫安（ @ 55ns ） / 24毫安（ @为70ns ）在Vcc = 3.0V和T
A
=0~70
o
C.
数据保持特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
符号
V
DR
参数
VCC为数据保留
测试条件
CE
≧
VCC - 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE
≧
VCC - 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
分钟。
1.5
典型值。
(1)
--
马克斯。
--
单位
V
I
CCDR
t
CDR
t
R
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
--
0
0.3
--
--
1.3
--
--
uA
ns
ns
见保留波形
T
RC （2）
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
3. I
cc
DR
_
马克斯。
为0.8uA在T
A
=70
O
C.
低V
CC
数据保存波形
VCC
V
IH
VCC
（ CE控制）
数据保持方式
V
DR
≥
1.5V
VCC
t
CDR
CE
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
R0201-BS62LV4008
3
修订版1.1
一月
2004
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