超低功耗CMOS SRAM
256K ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS62LV2006
n
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
V
CC
= 3.0V工作电流： 23毫安（最大）
2毫安（最大）
待机电流为0.1uA （典型值）。
V
CC
= 5.0V工作电流： 55毫安（最大）
10mA（最）
待机电流： 0.6uA （典型值）。
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
:
3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
:
2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
在55ns
在1MHz
在25
O
C
在55ns
在1MHz
在25
O
C
n
描述
该BS62LV2006是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位， 262,144和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
为0.1uA的电流在3.0V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
3.0V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62LV2006具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV2006可在DICE的形式， JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP ， 8mmx13.4mm STSOP ， 8mmx20mm TSOP和
36焊球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS62LV2006DC
BS62LV2006HC
BS62LV2006SC
BS62LV2006STC
BS62LV2006TC
BS62LV2006HI
BS62LV2006SI
BS62LV2006STI
BS62LV2006TI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
20uA
2.0uA
10mA
30mA
55mA
2mA
10mA
23mA
广告
+0
O
C至+70
O
C
6.0uA
0.7uA
9mA
29mA
53mA
1.5mA
9mA
22mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
BGA-36-0608
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
BGA-36-0608
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
n
销刀豆网络gurations
n
框图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
A7
A12
A14
A16
A17
A15
A11
A8
A9
A13
BS62LV2006TC
BS62LV2006TI
BS62LV2006STC
BS62LV2006STI
1
2
A1
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
2048
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
5
A6
6
A8
8
数据
输入
卜FF器
8
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
256
列解码器
8
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
3
CE2
4
A3
BS62LV2006SC
BS62LV2006SI
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A
A0
B
DQ4
A2
WE
A4
A7
DQ0
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
产量
卜FF器
C
DQ5
NC
A5
DQ1
D
VSS
VCC
E
VCC
VSS
CE2
CE1
WE
OE
V
CC
GND
控制
地址输入缓冲器
F
DQ6
NC
A17
DQ2
A6 A5 A10 A4 A3 A2 A1 A0
G
DQ7
OE
CE1
A16
A15
DQ3
H
A9
A10
A11
A12
A13
A14
36球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS62LV2006
1
修订版1.3
五月。
2006
BS62LV2006
n
引脚说明
名字
A0 - A17地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
功能
这18个地址输入端选择262,144中的x在RAM 8位中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
数据读形式或写入设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高阻抗
当设备被取消选择状态。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
有8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
OE输出使能输入
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
V
CC
GND
电源
地
n
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
I / O操作
高Z
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
X
H
L
X
高Z
D
OUT
D
IN
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒。
R0201-BS62LV2006
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
2
修订版1.3
五月。
2006
BS62LV2006
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
待机电流
–
CMOS
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
=最大， CE1 = V
IH
， CE2 = V
IL
或
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安中，f = F
MAX(4)
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
O
O
测试条件
分钟。
2.4
-0.5
(2)
2.2
--
--
--
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.1
0.6
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
(3)
1
1
0.4
--
23
55
2
10
0.5
1.0
2.0
20
单位
V
V
V
UA
UA
V
V
mA
mA
mA
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. I
CC （ MAX 。 ）
为22mA / 53毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
6. I
CCSB1(MAX.)
为0.7uA / 6.0uA在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
n
数据保持特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
O
O
测试条件
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
分钟。
1.5
--
0
典型值。
(1)
--
0.05
--
--
马克斯。
--
1.0
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
t
RC （2）
1. V
CC
= 1.5V ，T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3. I
CCRD （最大）
为0.5uA的在T
A
=70
O
C.
n
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ） （ CE1控制）
数据保持方式
V
DR
≧1.5V
V
CC
V
IH
V
CC
V
CC
t
CDR
CE1≧V
CC
- 0.2V
t
R
V
IH
CE1
R0201-BS62LV2006
3
修订版1.3
五月。
2006
BS62LV2006
n
开关波形（读周期）
读周期1
(1,2,4)
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
t
AA
t
OH
读周期2
CE1
(1,3,4)
t
ACS1
CE2
t
CLZ
D
OUT
(5)
t
ACS2
t
CHZ1
, t
CHZ2
(5)
读周期3
(1, 4)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CE1
t
CLZ1
CE2
t
CLZ2
D
OUT
(5)
(5)
t
OH
t
OLZ
t
ACS1
t
OHZ
t
CHZ1
(5)
(1,5)
t
ACS2
t
CHZ2
(2,5)
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BS62LV2006
5
修订版1.3
五月。
2006
QQ：2880707522 复制
