超低功耗CMOS SRAM
2M ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS62LV1600
n
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
V
CC
= 3.0V
工作电流： 46毫安为55ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流：
1.5uA （典型值），在25
O
C
V
CC
= 5.0V
工作电流（最大） 115毫安在55ns
10mA（最）在1MHz
待机电流：
6.0uA （典型值），在25
O
C
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
: 3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
: 2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS62LV1600是一款高性能，低功耗CMOS
组织为2048K由8位和静态随机存取存储器
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
1.5uA的电流在3.0V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
3.0V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS62LV1600具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS62LV1600可在JEDEC标准的44引脚TSOP II
和48焊球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS62LV1600EC
BS62LV1600FC
BS62LV1600EI
BS62LV1600FI
操作
温度
广告
+0
O
C至+70
O
C
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
50uA
8.0uA
9mA
48mA
113mA
1.5mA
19mA
45mA
TSOP II- 44
BGA-48-0912
100uA
16uA
10mA
50mA
115mA
2mA
20mA
46mA
TSOP II- 44
BGA-48-0912
n
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE1
NC
NC
DQ0
DQ1
VCC
VSS
DQ2
DQ3
NC
A20
WE
A19
A18
A17
A16
A15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
CE2
A8
NC
NC
DQ7
DQ6
VSS
VCC
DQ5
DQ4
NC
NC
A9
A10
A11
A12
A13
A14
n
框图
A20
A13
A17
A15
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
12
ROW
解码器
4096
存储阵列
BS62LV1600EC
BS62LV1600EI
4096 x 4096
4096
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
512
列解码器
9
控制
地址输入缓冲器
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
8
1
A
NC
2
OE
3
A0
4
A1
5
A2
6
CE2
数据
产量
卜FF器
B
NC
NC
A3
A4
CE1
NC
C
DQ0
NC
A5
A6
NC
DQ4
D
VSS
DQ1
A17
A7
DQ5
VCC
CE1
CE2
WE
OE
V
CC
V
SS
A11 A9 A8 A3 A2 A1 A0 A10 A19
E
VCC
DQ2
NC
A16
DQ6
VSS
F
DQ3
NC
A14
A15
NC
DQ7
G
NC
A20
A12
A13
WE
NC
H
A18
A8
A9
A10
A11
A19
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS62LV1600
1
修订版2.2
一月
2006
BS62LV1600
n
引脚说明
名字
A0 -A20地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
功能
这21个地址输入选择2048K中的x在RAM 8位中的一个
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
数据读形式或写入设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高阻抗
当设备被取消选择状态。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
有8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
OE输出使能输入
DQ0 - DQ7数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
电源
地
n
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
I / O操作
高Z
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
X
H
L
X
高Z
D
OUT
D
IN
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
10
12
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒。
R0201-BS62LV1600
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
2
修订版2.3
五月。
2006
BS62LV1600
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
待机电流
–
CMOS
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安中，f = F
MAX(4)
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
O
O
测试条件
分钟。
2.4
-0.5
(2)
2.2
--
--
--
2.4
--
--
--
--
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
1.5
6.0
马克斯。
5.5
0.8
V
CC
+0.3
(3)
1
1
0.4
--
46
115
2
10
1.0
2.0
16
100
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
mA
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. I
CC （最大）
是45毫安/ 113毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
6. I
CCSB1(MAX.)
为8.0uA / 50uA的在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
n
数据保持特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
t
CDR
t
R
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
O
O
测试条件
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
分钟。
1.5
--
0
典型值。
(1)
--
0.7
--
--
马克斯。
--
8.0
--
--
单位
V
uA
ns
ns
见保留波形
t
RC （2）
1. V
CC
= 1.5V ，T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3. I
CCRD （最大）
为4.0uA在T
A
=70
O
C.
n
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ） （ CE1控制）
数据保持方式
V
DR
≧1.5V
V
CC
V
IH
V
CC
V
CC
t
CDR
CE1≧V
CC
- 0.2V
t
R
V
IH
CE1
R0201-BS62LV1600
3
修订版2.3
五月。
2006
BS62LV1600
n
开关波形（读周期）
读周期1
(1,2,4)
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
t
AA
t
OH
读周期2
CE1
(1,3,4)
t
ACS1
CE2
t
CLZ
D
OUT
(5)
t
ACS2
t
CHZ1
, t
CHZ2
(5)
读周期3
(1, 4)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CE1
(5)
t
CLZ1
t
OH
t
OLZ
t
ACS1
t
OHZ
t
CHZ1
(5)
(1,5)
CE2
(5)
t
CLZ2
t
ACS2
t
CHZ2
(1,5)
D
OUT
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BS62LV1600
5
修订版2.3
五月。
2006
QQ：2881677436 复制
