BSI
特点
超低功率/电压CMOS SRAM
512K ×16或1M ×8位切换
描述
BS616UV8020
超低工作电压： 1.8 3.6V
超低功耗：
VCC = 2.0V C-等级： 15毫安（最大）工作电流
I级： 20毫安（最大）工作电流
0.4uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 3.0V C-等级： 20毫安（最大）工作电流
I级： 25毫安（最大）工作电流
电流降至0.5uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-70
70ns的（最大）在Vcc = 2V
-10
为100ns （最大值）在Vcc = 2V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
I / O配置X8 / X16由CIO ， LB和UB引脚可选
该BS616UV8020是一款高性能，超低功耗的CMOS静态
由16位或组织为524288字随机存取存储器
1,048,576字节由8位选择了CIO引脚和广泛的工作
范围1.8V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
的在2V操作70 / 100ns的0.4uA和最大访问时间。
容易记忆膨胀被一个高电平有效的芯片提供
ENABLE2 （ CE2 ）和低电平有效的芯片ENABLE1 （ CE1 ） ，一个低电平有效
输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616UV8020具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV8020是采用48引脚BGA型可用。
产品系列
操作
温度
0 ℃ + 70℃
-40°C至+ 85°C
O
O
O
O
产品系列
VCC
范围
1.8V ~ 3.6V
1.8V ~ 3.6V
速度
（纳秒）
VCC = 2 V
功耗
待机
操作
(I
CCSB1
，最大值）
(I
CC
，最大值）
PKG型
Vcc=2V
Vcc=3V
Vcc=2V
Vcc=3V
BS616UV8020BC
BS616UV8020BI
70 / 100
70 / 100
2uA
4uA
3uA
6uA
15mA
20mA
20mA
25mA
BGA-48-0810
BGA-48-0810
销刀豆网络gurations
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
A18
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
CIO
.
A8
3
A0
A3
A5
A17
VSS
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
CE2
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
SAE
.
框图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A17
A7
A6
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 x 4096
4096
D0
16(8)
数据
输入
卜FF器
16(8)
列I / O
.
.
.
.
D15
CE1
CE2
WE
OE
UB
LB
CIO
VDD
VSS
.
.
.
.
写入驱动器
16(8)
SENSE AMP
256(512)
列解码器
16(8)
数据
产量
卜FF器
16(18)
控制
地址输入缓冲器
A16 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A18 （ SAE ）
48球CSP顶视图
百联半导体公司
。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616UV8020
1
修订版2.4
2002年4月
BSI
引脚说明
BS616UV8020
名字
A0 - A18地址输入
SAE地址输入
CIO X8 / X16选择输入
功能
这19个地址输入选择在RAM中的524,288个16位字中的一个。
这个地址输入包含上述19的地址输入中选择的所述一个
1048576个8位字节在RAM如果CIO的为低。请勿使用时， CIO高。
该输入选择SRAM的组织。 524,288个16位字构成
如果选中CIO高。选择1048576 ×8位字节的配置，如果是首席信息官
低。
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
LB和UB数据字节控制输入
D0 - D15数据输入/输出端口
VCC
GND
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。该芯片取消时
无论LB和UB引脚为高电平。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
R0201-BS616UV8020
2
修订版2.4
2002年4月
BSI
DC电气特性
（ TA = 0
o
C至+ 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
BS616UV8020
测试条件
Vcc=2V
Vcc=3V
Vcc=2V
Vcc=3V
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
-0.5
-0.5
1.4
2.0
--
--
Vcc=2V
Vcc=3V
Vcc=2V
Vcc=3V
Vcc=2V
Vcc=3V
Vcc=2V
Vcc=3V
Vcc=2V
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.4
0.5
0.6
0.8
Vcc+0.2
Vcc+0.2
1
1
0.4
0.4
--
--
15
20
0.6
1
2
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
iL
或
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 1毫安
VCC =最小，我
OH
= -0.5mA
VCC =最大， CE1 = V
IL
和
CE2 = V
IH
,I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(3)
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
VCC =最大， CE1 VCC- 0.2V ，或
CE2 0.2V ; V
IN
VCC - 0.2V
0.2V
或V
IN
--
--
1.6
2.4
--
--
--
--
--
--
I
CCSB
待机电流-TTL
mA
I
CCSB1
待机电流CMOS
uA
Vcc=3V
3
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
R0201-BS616UV8020
4
修订版2.4
2002年4月
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