BSI
特点
超低功率/电压CMOS SRAM
512K ×16位
描述
BS616UV8011
超低工作电压： 1.8 2.3V
超低功耗：
VCC = 2.0V C-等级： 20毫安（最大）工作电流
I级： 25毫安（最大）工作电流
0.6uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-70
70ns的（最大）在Vcc = 2V
-10
为100ns （最大值）在Vcc = 2V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
该BS616UV8011是一款高性能，超低功耗的CMOS静态
随机存取存储器由16位组织为524288的单词和
工作在广泛的1.8V至2.3V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
的在2V操作70 / 100ns的0.6uA和最大访问时间。
轻松扩展内存由低电平有效芯片使能（ CE1 ）提供，
高电平有效芯片使能（ CE2 ） ，低电平有效输出使能（ OE ）和
三态输出驱动器。
该BS616UV8011具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV8011是采用48引脚BGA封装。
产品系列
产品系列
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
功耗
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
Vcc=2V
Vcc=2V
15uA
Vcc=2V
20mA
BS616UV8011DC
O
O
BS616UV8011BC
0 C至+70
C
1.8 ~ 2.3V
BS616UV8011FC
BS616UV8011DI
O
O
BS616UV8011BI -
40℃到+ 85℃ 1.8 2.3V
BS616UV8011FI
销刀豆网络gurations
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
A 18
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
.
A8
3
A0
A3
A5
A17
VSS
A14
A 12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
CE2
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
70 / 100
70 / 100
20uA
25mA
骰子
BGA -48 -0810
BGA -48 -0912
骰子
BGA -48 -0810
BGA -48 -0912
框图
A4
A3
A2
A1
A0
A17
A16
A15
A14
A13
A12
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 x 4096
4096
D0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
.
.
.
.
D15
CE2
CE1
WE
OE
UB
LB
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
256
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
16
控制
地址输入缓冲器
NC
A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A18
VCC
GND
48球CSP顶视图
百联半导体公司
。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616UV8011
1
修订版2.2
2001年4月
BSI
引脚说明
BS616UV8011
功能
这19个地址输入选择在RAM中的524,288个16位字中的一个。
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
名字
A0 - A18地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
D0 - D15数据输入/输出端口
VCC
GND
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
CE1
H
X
L
L
CE2
X
L
H
H
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
L
LB
X
X
X
L
H
L
L
写
L
H
L
X
H
L
UB
X
X
X
L
L
H
L
L
H
D0~D7
高Z
高Z
高Z
DOUT
高Z
DOUT
DIN
X
DIN
D8~D15
高Z
高Z
高Z
DOUT
DOUT
高Z
DIN
DIN
X
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
同
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40到+125
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
1.8V ~ 2.3V
1.8V ~ 2.3V
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
C
IN
V
IN
=0V
10
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
C
DQ
V
I / O
=0V
12
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
1.此参数是保证，而不是测试。
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
R0201-BS616UV8011
pF
pF
2
修订版2.2
2001年4月
BSI
DC电气特性
（ TA = 0 + 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
BS616UV8011
测试条件
Vcc=2V
Vcc=2V
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流
-
TTL
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
-0.5
1.4
--
--
--
1.6
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.6
0.6
Vcc+0.2
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
iL
或
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
Vcc=2V
VCC =最大，我
OL
= 1毫安
Vcc=2V
VCC =最小，我
OH
= - 0.5毫安
VCC =最大， CE1 = V
IL
和CE2 =
Vcc=2V
V
IH
, I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(3)
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 =
V
IL
,I
DQ
= 0毫安
VCC =最大， CE1 VCC- 0.2V ，或
CE2 0.2V ，V
IN
VCC - 0.2V
或V
IN
0.2V
Vcc=2V
1
1
0.4
--
20
0.6
15
待机电流
-
CMOS
Vcc=2V
数据保持特性
（ TA = 0 + 70
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
CE1
V
IN
CE1
V
IN
测试条件
VCC - 0.2V或0.2V CE2
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
VCC - 0.2V或0.2V CE2
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
MIN 。 TYP 。
1.5
--
0
T
RC （2）
--
(1)
马克斯。
--
10
--
--
单位
V
uA
ns
ns
0.4
--
--
见保留波形
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
（ CE1控制）
数据保持方式
VCC
V
IH
VCC
V
DR
≥
1.5V
VCC
t
CDR
CE1
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE1
低V
CC
数据保存波形图（ 2 ）
（ CE2控制）
数据保持方式
VCC
VCC
V
DR
1.5V
VCC
t
CDR
t
R
CE2
0.2V
CE2
R0201-BS616UV8011
V
IL
V
IL
3
修订版2.2
2001年4月
QQ：2881677436 复制
