BSI
n
特点
超低功耗/高速CMOS SRAM
256K ×16位
BS616UV4016
宽V
CC
工作电压：
C-等级： 1.8V 3.6V
I级： 1.9V 3.6V
(V
CC
_min 。 = 1.65V 25
O
C)
超低功耗：
V
CC
= 2.0V
C-等级： 10毫安（最大）工作电流
I级： 12毫安（最大）工作电流
0.3uA （典型值） CMOS待机电流
V
CC
= 3.0V
C-等级： 13毫安（最大）工作电流
I级： 15毫安（最大）工作电流
0.45uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-85
85ns （最大）
-10
为100ns （最大值）。
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.2V
n
描述
该BS616UV4016是一款高性能，超低功耗的CMOS静态
随机存取存储器由16位组织为262144的单词和
经营形成了广泛的1.8V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
与典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
0.3uA在2.0V / 25
O
85ns的在85℃和最大访问时间
O
C.
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供使能（CE ）
和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616UV4016具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV4016可在DICE的形式， JEDEC标准的44针
TSOP II型和48球BGA封装。
n
产品系列
产品
家庭
BS616UV4016DC
BS616UV4016EC
BS616UV4016AC
BS616UV4016DI
BS616UV4016EI
BS616UV4016AI
-40
O
C至+ 85
O
C
1.9V ~ 3.6V
85/100
8.0uA
5.0uA
15mA
12mA
+0
O
C至+70
O
C
1.8V ~ 3.6V
85/100
6.0uA
3.0uA
13mA
10mA
操作
温度
V
CC
范围
速度
（纳秒）
C-级： 1.8 3.6V
I级： 1.9 3.6V
功耗
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V V
CC
=2.0V V
CC
=3.0V V
CC
=2.0V
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0608
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0608
n
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
IO0
IO1
IO2
IO3
VCC
GND
IO4
IO5
IO6
IO7
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
IO15
IO14
IO13
IO12
GND
VCC
IO11
IO10
IO9
IO8
NC
A8
A9
A10
A11
A12
n
框图
BS616UV4016EC
BS616UV4016EI
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 4096
2048
IO0
.
.
.
.
.
.
IO15
.
.
.
.
.
.
16
数据
输入
卜FF器
数据
产量
卜FF器
16
256
列解码器
8
控制
地址输入缓冲器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
1
A
B
C
D
E
F
G
H
UB
IO8
IO9
VSS
VCC
IO14
IO15
NC
2
OE
LB
IO10
IO11
IO12
IO13
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
IO1
IO3
IO4
IO5
WE
A11
6
NC
IO0
IO2
VCC
VSS
IO6
IO7
NC
16
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
GND
A13 A14 A15 A16 A17 A0 A1 A2
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616UV4016
1
修订版1.3
九月
2005
BSI
n
引脚说明
BS616UV4016
功能
这18个地址输入选择在RAM中的262,144个16位字中的一个
名字
A0 - A17地址输入
CE芯片使能输入1
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，数据读取表格或写
装置。如果任一芯片使能是不活动的，则取消选择器件并处于待机
功率模式。 IO引脚将处于高阻抗状态时，该设备是
取消选择。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在对IO
销;当WE为低电平时，在IO管脚的数据的内容就被写入到所选择的
存储器位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，则数据将存在于IO引脚和它们
将被启用。 IO引脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
我们写使能输入
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
IO0 - IO15数据输入/输出
端口
V
CC
GND
16双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
n
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
CE
H
X
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
H
LB
X
H
L
X
L
UB
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
IO0~IO7
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
IO8~IO15
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
L
读
L
H
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
R0201-BS616UV4016
2
修订版1.3
九月
2005
BSI
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
BS616UV4016
n
工作范围
单位
V
O
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
到4.6V
-40至+85
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
1.8V ~ 3.6V
1.9V ~ 3.6V
C
C
W
MA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
O
O
参数
电源
测试条件
分钟。
1.9
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
典型值。
(1)
--
马克斯。
3.6
0.6
0.8
单位
V
输入低电压
-0.3
(2)
1.4
2.0
--
--
V
输入高电压
V
IN
= 0V至V
CC
,
CE = V
IH
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 0.1毫安
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
输出高电压
操作
当前
动力
供应
V
CC
=最小，我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安中，f = F
MAX(4)
CE = V
IH
,
I
IO
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
--
V
CC
+0.3
(3)
V
输入漏电流
--
1
uA
输出漏电流
--
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
--
1
0.2
0.4
uA
输出低电压
--
V
CC
-0.2
2.4
--
--
V
--
--
12
15
V
--
mA
待机电流
–
TTL
--
--
0.3
0.45
0.5
1.0
mA
待机电流
–
CMOS
--
5.0
8.0
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C.
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： VCC + 1.0V的情况下脉冲宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. I
CCSB1(MAX)
3.0 / 6.0uA在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70
O
C.
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AC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
读周期
JEDEC
PARANETER
参数
名字
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出低Z
芯片选择到输出高Z
数据字节控制到输出高Z
输出使能到输出高Z
从地址变化数据保持
（ CE）
（ LB ， UB ）
（ CE）
（ LB ， UB ）
（ CE）
（ LB ， UB ）
周期时间： 85ns
(V
CC
=1.9~3.6V)
分钟。典型值。马克斯。
85
--
--
--
--
15
15
15
--
--
--
15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
85
85
40
40
--
--
--
35
35
35
--
O
O
BS616UV4016
周期时间： 100ns的
(V
CC
=1.9~3.6V)
分钟。典型值。马克斯。
100
--
--
--
--
15
15
15
--
--
--
15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
100
100
50
50
--
--
--
40
40
40
--
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQX
t
ELQV
t
BLQV
t
GLQV
t
ELQX
t
BLQX
t
GLQX
t
EHQZ
t
BHQZ
t
GHQZ
t
AVQX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
(1)
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
注意：
1. t
BA
是为40ns / 50ns的（ @速度= 85ns / 100ns的）与地址切换;吨
BA
为85ns / 100ns的（ @速度= 85ns / 100ns内）没有地址切换
n
开关波形（读周期）
读周期1
(1,2,4)
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
t
AA
t
OH
读周期2
CE
(1,3,4)
t
ACS
t
BA
LB ， UB
t
BE
D
OUT
t
CLZ
(5)
t
CHZ
t
BDO
(5)
R0201-BS616UV4016
5
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2005
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