BSI
特点
超低功率/电压CMOS SRAM
128K ×16或256K ×8位的转换的
描述
BS616UV2021
超低工作电压： 1.8 3.6V
超低功耗：
VCC = 2.0V
C-等级： 15毫安（最大）工作电流
I级： 20毫安（最大）工作电流
0.08uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 3.0V
C-等级： 20毫安（最大）工作电流
I级： 25毫安（最大）工作电流
为0.1uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-70
70ns的（最大）在VCC = 2.0V
-10
为100ns （最大值） ，在VCC = 2.0V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
I / O配置X8 / X16由CIO ， LB和UB引脚可选
该BS616UV2021是一款高性能，超低功耗的CMOS静态
由16位或组织为131,072字随机存取存储器
262,144字节由8位选择了CIO引脚和广泛的工作
范围1.8V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
的在2.0V操作70 / 100ns的0.08uA和最大访问时间。
轻松扩展内存由高电平芯片提供
ENABLE2 （ CE2 ） ，低电平有效的芯片ENABLE1 （ CE1 ） ，低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616UV2021具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV2021是DICE的形式和48引脚BGA型可用。
产品系列
产品
家庭
BS616UV2021DC
BS616UV2021AC
BS616UV2021DI
BS616UV2021AI
操作
温度
+0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
范围
1.8V ~ 3.6V
1.8V ~ 3.6V
速度
（纳秒）
VCC-
2.0V
(I
CCSB1
马克斯）
VCC-
2.0V
功耗
待机
操作
(I
CC
马克斯）
VCC-
3.0V
VCC-
2.0V
VCC-
3.0V
PKG型
骰子
BGA-48-0608
骰子
BGA-48-0608
70 / 100
70 / 100
0.5uA
1uA
0.7uA
1.5uA
15mA
20mA
20mA
25mA
引脚配置
框图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
2048
D0
16(8)
数据
输入
卜FF器
16(8)
列I / O
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
.
.
.
.
D15
CE1
CE2
WE
OE
UB
LB
CIO
VDD
VSS
.
.
.
.
写入驱动器
16(8)
SENSE AMP
128(256)
列解码器
16(8)
数据
产量
卜FF器
14(16)
控制
地址输入缓冲器
A16 A0 A1 A2 A3 A4 A5
（ SAE）的
百联半导体公司
。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616UV2021
1
修订版2.4
2002年4月
BSI
引脚说明
BS616UV2021
名字
A0 - A16地址输入
SAE地址输入
CIO X8 / X16选择输入
功能
这17个地址输入选择在RAM中的131,072个16位字中的一个。
这个地址输入包含上述17的地址输入中选择的所述一个
262,144个8位字节中的RAM中，如果CIO为LOW 。请勿使用时， CIO高。
该输入选择SRAM的组织。 131,072个16位字的配置
如果选中CIO高。选择262,144个8位字节的配置，如果是CIO
低。
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使必须积极阅读
或写设备。如果任一芯片使能是不活动的，则取消选择器件
并处于待机功率模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态
当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
LB和UB数据字节控制输入
D0 - D15数据输入/输出端口
VCC
GND
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。该芯片取消时
无论LB和UB引脚为高电平。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
R0201-BS616UV2021
2
修订版2.4
2002年4月
BSI
DC电气特性
（大
= 0
o
C至+70
o
C)
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
BS616UV2021
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
测试条件
Vcc=2V
Vcc=3V
Vcc=2V
Vcc=3V
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
-0.5
1.4
2.0
--
--
--
1.6
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.08
0.1
0.6
0.8
Vcc+0.2
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
或OE = V
IH
,
1
1
0.4
--
15
20
0.5
1
0.5
V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
VCC =最大， CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(3)
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
I
DQ
= 0毫安
VCC =最大， CE1 VCC- 0.2V或
CE2 0.2V ，
其他投入的Vcc - 0.2V或
V
IN
0.2V
Vcc=2V
Vcc=3V
Vcc=2V
Vcc=3V
Vcc=2V
Vcc=3V
Vcc=2V
Vcc=3V
Vcc=2V
Vcc=3V
I
CCSB
mA
I
CCSB1
待机电流CMOS
uA
0.7
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
R0201-BS616UV2021
4
修订版2.4
2002年4月
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