超低功耗CMOS SRAM
128K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616UV2019
n
特点
宽V
CC
低工作电压：
C-等级： 1.8V 3.6V
I级： 1.9V 3.6V
超低功耗：
V
CC
= 2.0V
工作电流： 10毫安为85ns （最大）
1毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.2uA （典型值），在25
O
C
V
CC
= 3.0V
工作电流： 13毫安为85ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.3uA （典型值），在25
O
C
高速存取时间：
-85
85ns （最大）
-10
为100ns （最大值）。
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS616UV2019是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为131,072和
经营形成了广泛的1.8V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
0.2uA的电流为2.0V / 25
O
85ns的C和最大访问时间
85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616UV2019具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV2019可在DICE的形式， JEDEC标准
48引脚TSOP I型封装， 48焊球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616UV2019DC
BS616UV2019AC
BS616UV2019TC
BS616UV2019AI
BS616UV2019TI
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=2.0V
f
马克斯。
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
f
马克斯。
1MHz
广告
+0
O
C至+70
O
C
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
骰子
3.0uA
2.0uA
1.5mA
11mA
0.8mA
8mA
BGA-48-0608
TSOP I- 48
BGA-48-0608
TSOP I- 48
5.0uA
3.0uA
2.0mA
13mA
1.0mA
10mA
n
销刀豆网络gurations
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
CE2
NC
UB
LB
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
A16
NC
GND
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
GND
CE
A0
n
框图
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A15
A14
A13
A12
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
BS616UV2019TC
BS616UV2019TI
2048
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
16
.
.
.
.
.
.
数据
输入
卜FF器
16
128
列解码器
7
控制
地址输入缓冲器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
16
3
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
数据
产量
卜FF器
CE2,CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A16 A0
A1
A2
A3
A4
A5
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS616UV2019
1
修订版1.3
五月。
2006
BS616UV2019
n
引脚说明
名字
A0 - A16地址输入
CE芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
功能
这17个地址输入选择在RAM中的262,144 ×16位之一
CE为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高阻抗
当设备被取消选择状态。 （ 48B BGA忽略CE2引脚）
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
16双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
n
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
CE
H
X
X
L
CE2
(1)
X
L
X
H
H
WE
X
X
X
H
H
OE
X
X
X
H
H
LB
X
X
H
L
X
L
UB
X
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
DQ0 DQ7 DQ8 DQ15 V
CC
当前
高Z
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
高Z
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
L
读
L
H
H
L
H
L
L
写
L
H
L
X
H
L
1. 48BGA忽略CE2条件。
2， H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
R0201-BS616UV2019
2
修订版1.3
五月。
2006
BS616UV2019
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
5.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
1.8V ~ 3.6V
1.9V ~ 3.6V
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒。
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
O
O
参数
电源
测试条件
分钟。
1.9
V
CC
=2.0V
典型值。
(1)
--
马克斯。
3.6
0.6
0.8
单位
V
输入低电压
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
-0.3
(2)
1.4
2.2
--
--
V
输入高电压
V
CC
=3.0V
--
V
CC
+0.3
(3)
V
输入漏电流
V
IN
= 0V至V
CC
CE = V
IH
或CE2
(7)
= V
IL
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE = V
IH
或CE2
(7)
= V
IL
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 0.1毫安
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=2.0V
--
1
uA
输出漏电流
--
--
1
0.2
0.4
uA
输出低电压
--
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
--
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
V
CC
=最小，我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
和CE2
(7)
= V
IH
,
I
IO
= 0毫安中，f = F
MAX(4)
CE = V
IL
和CE2
(7)
= V
IH
,
I
IO
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
或CE2
(7)
= V
IL
,
I
IO
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V或CE2
(7)
≦0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
1.6
2.4
--
--
--
10
13
V
--
mA
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
--
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
--
1.0
2.0
mA
--
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
--
0.2
0.3
0.5
1.0
mA
待机电流
–
CMOS
--
V
CC
=3.0V
3.0
5.0
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. I
CC （ MAX 。 ）
是8毫安/ 11毫安在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70
O
C.
6. I
CCSB1(MAX.)
为2.0uA / 3.0uA在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70
O
C.
7. 48B BGA忽略CE2条件。
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修订版1.3
五月。
2006
QQ：2881677436 复制
