超低功耗CMOS SRAM
64K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616UV1010
n
特点
宽V
CC
低工作电压： 1.9V 3.6V
超低功耗：
V
CC
= 2.0V
工作电流： 15毫安（最大） ，在100ns内
1.0毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.01uA （典型值），在25
O
C
V
CC
= 3.0V
工作电流： 20毫安（最大） ，在100ns内
2.0毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.02uA （典型值），在25
O
C
高速存取时间：
-10
为100ns （最大值）。
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS616UV1010是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为65536和
经营形成了广泛的1.9V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
0.01uA电流为2.0V / 25
O
为100ns的C和最大访问时间
在2.0V / 85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616UV1010具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV1010可在DICE的形式， JEDEC标准
44引脚TSOP II和48焊球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616UV1010DC
BS616UV1010AC
BS616UV1010EC
BS616UV1010AI
BS616UV1010EI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
1.5uA
1.0uA
2.0mA
20mA
1.0mA
15mA
广告
+0
O
C至+70
O
C
1.0uA
0.5uA
1.5mA
18mA
0.8mA
13mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=2.0V
f
马克斯。
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
BGA-48-0608
TSOP II- 44
BGA-48-0608
TSOP II- 44
n
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
n
框图
A8
A13
A15
A14
A12
A7
A6
A5
A4
2048
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
16
.
.
.
.
.
.
数据
输入
卜FF器
16
128
列解码器
7
控制
地址输入缓冲器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
地址
输入
卜FF器
9
ROW
解码器
512 x 2048
512
存储阵列
BS616UV1010EC
BS616UV1010EI
16
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
NC
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
数据
产量
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A11 A9
A3
A2
A1
A0 A10
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS616UV1010
1
修订版2.6
五月。
2006
BS616UV1010
n
引脚说明
名字
A0 -A15地址输入
CE芯片使能输入
功能
这16个地址输入选择65536中的x在RAM的16位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，数据读取表格或写
装置。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
我们写使能输入
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
有16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
n
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
CE
H
X
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
H
LB
X
H
L
X
L
UB
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
IO0~IO7
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
IO8~IO15
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
L
读
L
H
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
R0201-BS616UV1010
2
修订版2.6
五月。
2006
BS616UV1010
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
5.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
1.9V ~ 3.6V
1.9V ~ 3.6V
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒。
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
参数
电源
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
O
O
测试条件
分钟。
1.9
-0.3
(2)
1.4
2.2
--
典型值。
(1)
--
马克斯。
3.6
0.6
0.8
单位
V
输入低电压
--
V
输入高电压
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
--
V
CC
+0.3
(3)
V
输入漏电流
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE = V
IH
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 0.1毫安
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
--
1
uA
输出漏电流
--
--
1
0.2
0.4
uA
输出低电压
--
1.6
2.4
--
--
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
V
CC
=最小，我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安中，f = F
MAX(4)
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
,
I
IO
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
--
--
15
20
V
--
mA
--
--
1.0
2.0
mA
--
--
0.01
0.02
0.5
1.0
mA
待机电流
–
CMOS
--
1.0
1.5
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC （ MIN ）。
5. I
CC （ MAX 。 ）
是13毫安/ 18毫安在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70
O
C.
6. I
CCSB1(MAX.)
为0.5uA的/ 1.0uA在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70
O
C.
R0201-BS616UV1010
3
修订版2.6
五月。
2006
超低功耗CMOS SRAM
64K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616UV1010
特点
宽V
CC
低工作电压： 1.9V 3.6V
超低功耗：
工作电流： 15毫安（最大） ，在100ns内
V
CC
= 2.0V
1.0毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 0.5 /低于1uA （最大值）的八十五分之七十
工作电流： 20毫安（最大） ，在100ns内
V
CC
= 3.0V
2.0毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 1 / 1.5uA （最大）在八十五分之七十
高速存取时间：
-10
为100ns （最大值）。
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS616UV1010是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为65536和
经营形成了广泛的1.9V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，最大的CMOS待机
1 / 1.5uA在Vcc = 2 / 3V的电流在85℃和最大访问时间
的为100ns 。
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616UV1010具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV1010可在DICE的形式， JEDEC标准
44引脚TSOP II和48焊球BGA封装。
O
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616UV1010DC
BS616UV1010AC
BS616UV1010EC
BS616UV1010AI
BS616UV1010EI
产业
O
-40°C至+ 85°C
O
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=2.0V
f
马克斯。
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
f
马克斯。
1MHz
广告
O
O
0 ℃ + 70℃
骰子
1.0uA
0.5uA
1.5mA
18mA
0.8mA
13mA
BGA-48-0608
TSOP II- 44
1.5uA
1.0uA
2.0mA
20mA
1.0mA
15mA
BGA-48-0608
TSOP II- 44
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
框图
A8
A13
A15
A14
A12
A7
A6
A5
A4
2048
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
16
.
.
.
.
.
.
16
数据
产量
卜FF器
16
128
列解码器
7
控制
地址输入缓冲器
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
地址
输入
卜FF器
9
ROW
解码器
512 x 2048
512
存储阵列
BS616UV1010EC
BS616UV1010EI
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
NC
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A11 A9
A3
A2
A1
A0 A10
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS616UV1010
1
调整
2.7
十月
2008
BS616UV1010
引脚说明
名字
A0 -A15地址输入
CE芯片使能输入
功能
这16个地址输入选择65536中的x在RAM的16位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，数据读取表格或写
装置。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
有16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
CE
H
X
L
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
H
LB
X
H
L
X
L
UB
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
IO0~IO7
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
IO8~IO15
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
读
L
H
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
R0201-BS616UV1010
2
调整
2.7
十月
2008
BS616UV1010
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
RANG
广告
产业
环境
温度
0℃至+ 70℃
-40 ℃至+ 85℃
O
O
O
O
V
CC
1.9V ~ 3.6V
1.9V ~ 3.6V
5.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
C
C
O
W
mA
电容
(1)
(T
A
= 25
O
C，F = 1.0MHz的）
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2. -2.0V的情况下， AC脉冲宽度小于30纳秒。
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
DC电气特性（T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
参数
电源
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
测试条件
分钟。
1.9
(2)
典型值。
(1)
--
马克斯。
3.6
0.6
0.8
V
CC
+0.3
(3)
单位
V
输入低电压
-0.3
--
V
输入高电压
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
1.4
2.2
--
--
V
输入漏电流
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE = V
IH
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 0.1毫安
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安中，f = F
最大
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
,
I
IO
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
(4)
--
1
uA
输出漏电流
--
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
--
1
0.2
0.4
--
15
20
1.0
2.0
0.5
1.0
1.0
1.5
uA
输出低电压
--
1.6
2.4
--
--
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流 - TTL
--
V
--
mA
--
--
mA
--
--
0.01
0.02
mA
待机电流 - CMOS
O
--
uA
1.典型的特点是在T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC （ MIN ）。
O
5. I
CC （ MAX 。 ）
是13毫安/ 18毫安在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70 C.
O
6. I
CCSB1(MAX.)
为0.5uA的/ 1.0uA在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70 C.
R0201-BS616UV1010
3
调整
2.7
十月
2008
BSI
特点
超低功率/电压CMOS SRAM
64K ×16位
BS616UV1010
描述
该BS616UV1010是一款高性能，超低功耗的CMOS静态
随机存取存储器（16位）组织为65,536字和
工作在广泛的1.8V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
在2V操作为150ns的0.01uA和最大访问时间。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616UV1010具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV1010是JEDEC标准44引脚TSOP提供
II型和48针mini- BGA 。
超低工作电压： 1.8 3.6V
超低功耗：
VCC = 2.0V
C-等级： 10毫安（最大）工作电流
I-等级： 15毫安（最大）工作电流
0.01uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 3.0V
C-等级： 15毫安（最大）工作电流
I-等级： 20毫安（最大）工作电流
0.02uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-15
为150ns （最大值）在Vcc = 3.0V
输入电平CMOS兼容
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
产品系列
产品
家庭
BS616UV1010EC
BS616UV1010AC
BS616UV1010EI
BS616UV1010AI
操作
温度
VCC
范围
速度
（纳秒）
Vcc=3.0V
功耗
待机
操作
(I
CCSB1
，最大值）
(I
CC
，最大值）
PKG型
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
0 ℃ + 70℃
O
O
O
O
1.8V ~ 3.6V
150
0.5uA
0.3uA
15mA
10mA
TSOP2-44
BGA-48-0608
TSOP2-44
BGA-48-0608
-40°C至+ 85°C
1.8V ~ 3.6V
150
1.5uA
1uA
20mA
15mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
6
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
GND
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
框图
A8
A13
A15
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
18
ROW
解码器
512
存储阵列
512 x 2048
BS616UV1010EC
BS616UV1010EI
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
2
3
4
5
A
LB
OE
A0
A1
A2
NC
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
B
IO8
UB
A3
A4
CE
IO0
C
IO9
IO10
A5
A6
IO1
IO2
CE
WE
OE
UB
LB
控制
14
地址输入缓冲器
D
VSS
IO11
NC
A7
IO3
VCC
E
VCC
IO12
NC
NC
IO4
VSS
A11 A9 A3 A2 A1 A0 A10
F
IO14
IO13
A14
A15
IO5
IO6
VCC
GND
G
IO15
NC
A12
A13
WE
IO7
H
NC
A8
A9
A10
A11
NC
百联半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616UV1010
1
修订版2.2
2001年4月
BSI
引脚说明
BS616UV1010
名字
A0 -A15地址输入
CE芯片使能输入
功能
这16个地址输入选择在RAM中的65,536个16位字中的一个。
CE为低电平有效。芯片使必须是活动的，从读取或写入到该设备。如果
芯片启动是不活动的，则取消选择器件并处于待机功率模式。
DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
VCC
GND
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
CE
H
L
L
WE
X
H
H
OE
X
H
L
LB
X
X
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
UB
X
X
L
L
H
L
L
H
DQ0~DQ7
高Z
高Z
DOUT
高Z
DOUT
DIN
X
DIN
DQ8~DQ15
高Z
高Z
DOUT
DOUT
高Z
DIN
DIN
X
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
R0201-BS616UV1010
2
修订版2.2
2001年4月
BSI
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
BS616UV1010
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40到+125
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
1.8V ~ 3.6V
1.8V ~ 3.6V
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是测试。
DC电气特性
（ TA = 0
o
C至+ 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
参数
保证输入低
(2)
电压
保证输入高
(2)
电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
测试条件
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
MIN 。 TYP 。
(1)
马克斯。
-0.5
1.4
2.0
--
--
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
Vcc=2.0V
Vcc=3.0V
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.01
0.02
0.6
0.8
Vcc+0.2
1
1
0.4
--
10
15
0.5
1
0.3
0.5
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 1毫安
VCC =最小，我
OH
= -0.5mA
CE = V
IL
, I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(3)
CE = V
IH
, I
DQ
= 0毫安
CE
V
IN
Vcc-0.2V,
VCC - 0.2V或V
IN
--
1.6
2.4
--
--
--
--
--
--
I
CCSB1
待机电流CMOS
Vcc=2.0V
0.2V
uA
Vcc=3.0V
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
数据保持特性
（ TA = 0
o
C至+ 70
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
CE
V
IN
CE
V
IN
测试条件
VCC - 0.2V
VCC - 0.2V或V
IN
VCC -0.2V
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
0.2V
MIN 。 TYP 。
1.5
--
0
T
RC
(2)
(1)
马克斯。
--
0.2
--
--
单位
V
uA
ns
ns
--
0.01
--
--
见保留波形
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
R0201-BS616UV1010
3
修订版2.2
2001年4月
QQ：2880707522 复制
