BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
512K ×16位
（双CE引脚）
描述
BS616LV8018
的Vcc工作电压： 4.5 5.5V
极低的功耗：
VCC = 5.0V C-等级： 75毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 76毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 60毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 61毫安（ @为70ns ）工作电流
8.0uA （典型值）。
CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
-70
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE2 ， CE1和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
该BS616LV8018是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器由16位组织为524288的单词和
工作在范围4.5V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
of
8.0uA
在5V / 25
o
55ns的5.0V / 85 ℃，最大访问时间
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效的芯片提供使能（ CE1 ）
，高电平有效芯片使能（ CE2 ） ，低电平有效输出使能（ OE ）和
三态输出驱动器。
该BS616LV8018具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV8018是采用48引脚BGA封装。
产品系列
产品系列
操作
温度
+0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
范围
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
速度
（纳秒）
55ns ： 4.5 5.5V
为70ns ： 4.5 5.5V
功耗
待机
操作
(I
CCSB1
，最大值）
(I
CC
，最大值）
PKG型
Vcc=5V
Vcc=5V
55ns
Vcc=5V
70ns
BS616LV8018FC
BS616LV8018FI
55 / 70
55 / 70
55uA
110uA
75mA
76mA
60mA
61mA
BGA-48-0912
BGA-48-0912
销刀豆网络gurations
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
2
OE
UB
D10
D11
3
A0
A3
A5
A17
VSS
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE1
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
CE2
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
框图
A4
A3
A2
A1
A0
A17
A16
A15
A14
A13
A12
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 x 4096
4096
D0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
VCC
D14
D15
A 18
D12
D13
NC
.
A8
.
.
.
.
D15
CE2
CE1
WE
OE
UB
LB
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
256
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
16
控制
地址输入缓冲器
NC
A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A18
VCC
VSS
48球CSP顶视图
华晨半导体公司
。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV8018
1
修订版2.1
一月
2004
BSI
引脚说明
BS616LV8018
功能
这19个地址输入选择在RAM中的524,288个16位字中的一个。
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
名字
A0 - A18地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
D0 - D15数据输入/输出端口
VCC
VSS
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
CE1
H
X
L
L
CE2
X
L
H
H
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
L
LB
X
X
X
L
H
L
L
写
L
H
L
X
H
L
UB
X
X
X
L
L
H
L
L
H
D0~D7
高Z
高Z
高Z
DOUT
高Z
DOUT
DIN
X
DIN
D8~D15
高Z
高Z
高Z
DOUT
DOUT
高Z
DIN
DIN
X
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
同
工作范围
单位
V
O
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
4.5V ~ 5.5V
4.5V ~ 5.5V
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
C
IN
V
IN
=0V
10
pF
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
C
DQ
V
I / O
=0V
12
pF
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
R0201-BS616LV8018
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BSI
DC电气特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(4)
BS616LV8018
测试条件
Vcc=5V
Vcc=5V
参数
保证输入低
电压
(3)
保证输入高
电压
(3)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
MIN 。 TYP 。
-0.5
--
(1)
马克斯。
0.8
Vcc+0.3
1
1
0.4
--
76
61
2
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
2.2
--
--
--
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 =
V
iL
或
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
, I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(2)
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
, I
DQ
= 0毫安
CE1
≧
VCC- 0.2V或
CE2
≦
0.2V ;V
IN
≧
VCC - 0.2V
或V
IN
≦
0.2V
55ns
70ns
Vcc=5V
Vcc=5V
Vcc=5V
I
CCSB
Vcc=5V
I
CCSB1
(5)
待机电流CMOS
Vcc=5V
--
8.0
110
uA
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.的Fmax = 1 /吨
RC
.
3.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
4.电流Icc
=最大。
是75毫安（ @ 55ns ） / 60毫安（ @为70ns ）在0 70
o
C操作。
5.I
cc
s
B1
is
55uA
在Vcc = 5.0V和T
A
=70
o
C.
数据保持特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
符号
V
DR
(3)
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE1
≧
VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE1
≧
VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
见保留波形
MIN 。 TYP 。
1.5
--
0
T
RC （2）
--
(1)
马克斯。
--
2.5
--
--
单位
V
uA
ns
ns
I
CCDR
t
CDR
t
R
0.8
--
--
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
O
C.
3. I
cc
DR
（最大值）为
1.3uA
在T
A
=70
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
（ CE1控制）
数据保持方式
VCC
V
IH
VCC
V
DR
≥
1.5V
VCC
t
CDR
CE1
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE1
低V
CC
数据保存波形图（ 2 ）
（ CE2控制）
数据保持方式
VCC
VCC
V
DR
≧
1.5V
VCC
t
CDR
t
R
CE2
≦
0.2V
CE2
R0201-BS616LV8018
V
IL
V
IL
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BSI
AC测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
BS616LV8018
关键开关波形
VCC / 0V
1V/ns
0.5Vcc
C
L
= 30pF的+ 1TTL
C
L
= 100pF电容+ 1TTL
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
可能改变
以L至H
不会在意：
任何改变
许可
不
申请
输出
必须是
稳定
会
变化
从H到L
会
变化
以L至H
变化：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
输出负载
,
AC电气特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
读周期
JEDEC
参数
参数
名字
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
(CE2,CE1)
（ LB ， UB ）
(CE1)
(CE2)
（ LB ， UB ）
循环时间： 70ns的周期时间： 55ns
分钟。典型值。马克斯。
VCC = 4.5 5.5V
VCC = 4.5 5.5V
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
ELQV
t
BA
t
GLQV
t
ELQX
t
BE
t
GLQX
t
EHQZ
t
BDO
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS1
t
ACS2
t
BA
(1)
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
70
--
--
--
--
--
10
5
5
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
70
35
35
--
--
--
35
35
30
--
55
--
--
--
--
--
10
5
5
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
55
55
55
30
30
--
--
--
30
30
25
--
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消选择到输出高Z（ CE2 ， CE1 ）
数据字节控制到输出高Z（ LB ， UB ）
输出禁止到输出中高Z
从地址变化数据保持
注意：
1. t
BA
是为35ns / 30ns的（ @ =速度为70ns / 55ns ）与地址切换。
t
BA
是为70ns / 55ns （ @ =速度为70ns / 55ns ）没有地址切换。
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QQ：2880707522 复制
