BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
512K ×16位
描述
BS616LV8011
极低的工作电压： 2.7 3.6V
极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 40毫安（最大）工作电流
I级： 50毫安（最大）工作电流
为1uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-70
70ns的（最大）在Vcc = 3.0V
-10
为100ns （最大值）在Vcc = 3.0V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
该BS616LV8011是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器由16位组织为524288的单词和
工作在广泛的2.7V至3.6V电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
对在3V工作70 / 100ns的1uA的和最大的访问时间。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE1 ， CE2 ）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态
输出驱动器。
该BS616LV8011具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV8011是采用48引脚BGA封装。
产品系列
速度
（纳秒）
Vcc=3.0V
产品系列
操作
温度
+0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
范围
2.7V ~ 3.6V
2.7V ~ 3.6V
功耗
待机
操作
(I
CCSB1
，最大值）
Vcc=3.0V
(I
CC
，最大值）
Vcc=3.0V
PKG型
BS616LV8011AC
BS616LV8011AI
70 / 100
70 / 100
16uA
24uA
40mA
50mA
BGA-48-0608
BGA-48-0608
销刀豆网络gurations
1
A
B
C
D
E
F
G
H
X
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
A18
2
OE
X
D10
D11
D12
D13
NC
.
A8
3
A0
A3
4
A1
A4
5
A2
6
CE2
D0
D2
VCC
VSS
D6
框图
A4
A3
A2
A1
A0
A17
A16
A15
A14
A13
A12
地址
输入
卜FF器
22
ROW
解码器
2048
存储阵列
2048 x 4096
CE1
D1
D3
D4
D5
A5
A17
VSS
A14
A12
A9
A6
A7
A16
A15
A 13
A10
4096
D0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
.
.
.
.
D15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
256
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE1
CE2
16
控制
地址输入缓冲器
WE
A11
D7
NC
.
OE
WE
A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A18
VCC
GND
48球CSP顶视图
X ：无关
百联半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV8011
1
修订版2.3
2002年4月
BSI
引脚说明
名字
A0 - A18地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
BS616LV8011
功能
这19个地址输入选择在RAM中的524,288个16位字中的一个。
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
我们写使能输入
OE输出使能输入
D0 - D15数据
VCC
GND
输入/输出端口
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
读
写
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
D0~D7
高Z
高Z
DOUT
DIN
D8~D15
高Z
高Z
DOUT
DIN
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
同
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40到+125
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
2.7V ~ 3.6V
2.7V ~ 3.6V
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
V
IN
=0V
马克斯。
单位
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
R0201-BS616LV8011
10
12
pF
pF
C
DQ
V
I / O
=0V
1.此参数是保证，而不是测试。
2
修订版2.3
2002年4月
BSI
DC电气特性
（ TA = 0 + 70
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
BS616LV8011
测试条件
Vcc=3V
Vcc=3V
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
分钟。
-0.5
2.0
--
--
Vcc=3V
Vcc=3V
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
马克斯。
0.8
Vcc+0.2
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
iL
或
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
VCC =最大， CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(3)
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
VCC =最大， CE1 VCC- 0.2V ，或CE2
0.2V, V
IN
VCC- 0.2V或V
IN
0.2V
1
1
0.4
--
40
--
2.4
--
Vcc=3V
I
CCSB
待机电流-TTL
Vcc=3V
--
--
1
mA
I
CCSB1
待机电流CMOS
Vcc=3V
--
1
16
uA
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 /吨
RC
.
数据保持特性
（ TA = 0 + 70
o
C )
符号
V
DR
参数
VCC为数据保留
CE1
V
IN
CE1
V
IN
测试条件
VCC - 0.2V或CE2
0.2V或
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
VCC - 0.2V或CE2
0.2V
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
分钟。
1.5
典型值。
(1)
--
马克斯。
--
单位
V
I
CCDR
t
CDR
t
R
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
--
0
T
RC （2）
0.8
--
--
12
--
--
uA
ns
ns
见保留波形
1. VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
低V
CC
数据保存波形图（ 1 ）
（ CE1控制）
数据保持方式
VCC
V
IH
VCC
V
DR
1.5V
VCC
t
CDR
CE1
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE1
低V
CC
数据保存波形图（ 2 ）
（ CE2控制）
数据保持方式
VCC
VCC
V
DR
1.5V
VCC
t
CDR
t
R
CE2
0.2V
CE2
V
IL
V
IL
R0201-BS616LV8011
3
修订版2.3
2002年4月
BSI
开关波形（读周期）
读CYCLE1
(1,2,4)
地址
BS616LV8011
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
D
OUT
READ循环2
(1,3,4)
CE2
t
ACS2
t
ACS1
CE1
t
CLZ
D
OUT
(5)
t
CHZ
(5)
读CYCLE3
(1,4)
地址
t
RC
t
AA
OE
t
OE
CE2
t
OH
t
ACS2
t
OLZ
t
ACS1
t
(5)
CLZ
CE1
t
OHZ
(5)
(1,5)
t
CHZ
D
OUT
注意事项：
1.我们是高读周期。
2.设备不断选择当CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
.
3.地址有效之前或重合CE1过渡低， CE2过渡高。
4. OE = V
IL
.
5.转换测量
±
为500mV ，从稳定状态的CL = 30pF的，如图1B所示。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
R0201-BS616LV8011
5
修订版2.3
2002年4月
QQ：2881677436 复制
