BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
128K ×16位
BS616LV2016
宽的Vcc工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 29毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 30毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 24毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 25毫安（ @为70ns ）工作电流
0.3uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 5.0V C-等级： 60毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 62毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 53毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 55毫安（ @为70ns ）工作电流
1.0uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
描述
该BS616LV2016是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器（16位）组织为131,072单词和
工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
0.3uA在3.0V / 25
o
55ns的3.0V / 85 ℃，最大访问时间
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效芯片使能（ CE ）提供，
低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616LV2016具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV2016可在DICE的形式， JEDEC标准的44针
TSOP II型封装， 48焊球BGA封装。
速度
（纳秒）
55ns ： 3.0 5.5V
为70ns ： 2.7 5.5V
产品系列
产品
家庭
BS616LV2016DC
BS616LV2016EC
BS616LV2016AC
BS616LV2016DI
BS616LV2016EI
BS616LV2016AI
操作
温度
VCC
范围
( I
CCSB1
马克斯）
Vcc=3.0V
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯）
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
70ns
Vcc=5.0V
70ns
PKG型
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0608
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0608
+0
O
C至+70
O
C
2.4V ~5.5V
55/70
3.0uA
10uA
24mA
53mA
-40
O
C至+ 85
O
C
2.4V ~ 5.5V
55/70
5.0uA
30uA
25mA
55mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
GND
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
框图
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
BS616LV2016EC
BS616LV2016EI
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
北卡罗来纳州
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
北卡罗来纳州
A8
3
A0
A3
A5
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
北卡罗来纳州
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
北卡罗来纳州
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
VCC
GND
控制
14
地址输入缓冲器
A11 A9 A3 A2 A1 A0 A10
华晨半导体公司
.
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV2016
1
修订版1.1
一月
2004
BSI
引脚说明
BS616LV2016
名字
A0 - A16地址输入
CE芯片使能输入
功能
这17个地址输入选择在RAM中的131,072个16位字中的一个。
CE为低电平有效。芯片使必须被激活时，数据从读或写
装置。如果芯片使能未激活，取消选择器件，是一个备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
VCC
GND
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
CE
H
X
L
L
L
WE
X
X
X
H
H
OE
X
X
X
H
L
LB
X
H
H
X
L
读
H
L
L
写
L
L
X
H
L
UB
X
H
H
X
L
L
H
L
L
H
D0~D7
高Z
高Z
高Z
高Z
DOUT
高Z
DOUT
DIN
X
DIN
D8~D15
高Z
高Z
高Z
高Z
DOUT
DOUT
高Z
DIN
DIN
X
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
R0201-BS616LV2016
2
修订版1.1
一月
2004
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
BSI
BS616LV2016
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
DC电气特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
参数
保证输入低
(3)
电压
保证输入高
(3)
电压
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
VCC = 3.0V
VCC = 5.0V
VCC = 3.0V
VCC = 5.0V
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至VCC
VCC = 3.0V
VCC =最大，我
OL
= 2.0毫安
分钟。
-0.5
2.0
2.2
--
--
典型值。
(1)
--
--
--
--
马克斯。
0.8
V
cc
+0.3
1
1
单位
V
V
uA
uA
V
OL
输出低电压
VCC = 5.0V
VCC = 3.0V
--
--
0.4
V
V
OH
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
VCC =最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
(2)
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
CE = V
IH
I
DQ
= 0毫安
CE
≧
V
cc
-0.2
V
,
V
IN
≧V
cc
-0.2
V
or
V
IN
≦0.2
V
VCC = 5.0V
VCC = 3V
VCC = 5V
70ns
70ns
2.4
--
--
25
55
0.5
V
I
CC
(5)
--
--
mA
VCC = 3.0V
--
VCC = 5.0V
VCC = 3.0V
VCC = 5.0V
--
0.3
1.0
--
I
CCSB
mA
1.0
5
30
uA
I
CCSB1
(4)
待机电流CMOS
1.
典型的特征是在T
A
= 25
o
C.
2.
的fmax = 1 /吨
RC
.
3.
这些是相对于设备接地的绝对值，并且由于系统或测试人员通知中包括的所有过冲。
4.I
CCS
B1_Max.
为微安/为10uA在Vcc = 3V / 5V和T
A
=70
o
C.
5.
ICC
=最大。
为30mA （ @ 3V ） / 62毫安（ @ 5V ）下55ns操作。
数据保持特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
符号
V
DR
(3)
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE
≧
VCC - 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE
≧
VCC - 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
见保留波形
分钟。
1.5
--
0
T
RC （2）
典型值。
(1)
--
0.1
--
--
马克斯。
--
1.0
--
--
单位
V
uA
ns
ns
I
CCDR
t
CDR
t
R
1.
VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
R0201-BS616LV2016
2.
t
RC
=读周期时间
3.
ICC
DR_MAX 。
为0.7uA在T
A
=70
o
C.
修订版1.1
一月
2004
3
BSI
低V
CC
数据保存波形（ CE控制）
数据保持方式
BS616LV2016
V
DR
≥
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
AC测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
关键开关波形
VCC / 0V
1V/ns
0.5Vcc
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
可能改变
以L至H
不会在意：
任何改变
许可
不
申请
输出
必须是
稳定
会
变化
从H到L
会
变化
以L至H
变化：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
输出负载
C
L
= 100pF电容+ 1TTL
C
L
= 30pF的+ 1TTL
,
AC电气特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
读周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
数据字节控制到输出高Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变化数据保持
周期时间： 55ns
（ VCC = 3.0 5.5V ）
周期：为70ns
（ VCC = 2.7 5.5V ）
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
分钟。典型值。马克斯。
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
BA
t
GLQV
t
E1LQX
t
BE
t
GLQX
t
EHQZ
t
BDO
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
(1)
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
55
--
（ CE）
（ LB ， UB ）
（ CE）
（ LB ， UB ）
（ CE）
（ LB ， UB ）
--
--
--
10
10
5
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
55
55
30
30
--
--
--
30
30
25
--
70
--
--
--
--
10
10
5
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
35
35
--
--
--
35
35
30
--
注意：
1. t
BA
是为30ns / 35ns的（ @速度= 55ns / 70ns的）与地址切换。 ;吨
BA
为55ns / 70ns的（ @速度= 55ns / 70ns的）没有地址切换。
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4
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一月
2004
BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
128K ×16位
BS616LV2016
宽的Vcc工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
VCC = 3.0V C-等级： 29毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 30毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 24毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 25毫安（ @为70ns ）工作电流
0.3uA （典型值） CMOS待机电流
VCC = 5.0V C-等级： 60毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 62毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 53毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 55毫安（ @为70ns ）工作电流
1.0uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚可选
描述
该BS616LV2016是一款高性能，低功耗CMOS静态
随机存取存储器（16位）组织为131,072单词和
工作在广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
有一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
0.3uA在3.0V / 25
o
55ns的3.0V / 85 ℃，最大访问时间
o
C.
轻松扩展内存由低电平有效芯片使能（ CE ）提供，
低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616LV2016具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV2016可在DICE的形式， JEDEC标准的44针
TSOP II型封装， 48焊球BGA封装。
速度
（纳秒）
55ns ： 3.0 5.5V
为70ns ： 2.7 5.5V
产品系列
产品
家庭
BS616LV2016DC
BS616LV2016EC
BS616LV2016AC
BS616LV2016DI
BS616LV2016EI
BS616LV2016AI
操作
温度
VCC
范围
( I
CCSB1
马克斯）
Vcc=3.0V
功耗
待机
操作
( I
CC
马克斯）
Vcc=5.0V
Vcc=3.0V
70ns
Vcc=5.0V
70ns
PKG型
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0608
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0608
+0
O
C至+70
O
C
2.4V ~5.5V
55/70
3.0uA
10uA
24mA
53mA
-40
O
C至+ 85
O
C
2.4V ~ 5.5V
55/70
5.0uA
30uA
25mA
55mA
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
GND
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
GND
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
框图
A8
A13
A15
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
20
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
BS616LV2016EC
BS616LV2016EI
2048
DQ0
16
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
北卡罗来纳州
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
北卡罗来纳州
A8
3
A0
A3
A5
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
北卡罗来纳州
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
北卡罗来纳州
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
写入驱动器
SENSE AMP
128
列解码器
16
数据
产量
16
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
VCC
GND
控制
14
地址输入缓冲器
A11 A9 A3 A2 A1 A0 A10
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.
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名字
A0 - A16地址输入
CE芯片使能输入
功能
这17个地址输入选择在RAM中的131,072个16位字中的一个。
CE为低电平有效。芯片使必须被激活时，数据从读或写
装置。如果芯片使能未激活，取消选择器件，是一个备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
VCC
GND
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
（断电）
输出禁用
CE
H
X
L
L
L
WE
X
X
X
H
H
OE
X
X
X
H
L
LB
X
H
H
X
L
读
H
L
L
写
L
L
X
H
L
UB
X
H
H
X
L
L
H
L
L
H
D0~D7
高Z
高Z
高Z
高Z
DOUT
高Z
DOUT
DIN
X
DIN
D8~D15
高Z
高Z
高Z
高Z
DOUT
DOUT
高Z
DIN
DIN
X
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
R0201-BS616LV2016
2
修订版1.1
一月
2004
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
BSI
BS616LV2016
工作范围
单位
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
DC电气特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
参数
保证输入低
(3)
电压
保证输入高
(3)
电压
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
VCC = 3.0V
VCC = 5.0V
VCC = 3.0V
VCC = 5.0V
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
或OE = V
IH
,
V
I / O
= 0V至VCC
VCC = 3.0V
VCC =最大，我
OL
= 2.0毫安
分钟。
-0.5
2.0
2.2
--
--
典型值。
(1)
--
--
--
--
马克斯。
0.8
V
cc
+0.3
1
1
单位
V
V
uA
uA
V
OL
输出低电压
VCC = 5.0V
VCC = 3.0V
--
--
0.4
V
V
OH
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
VCC =最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
(2)
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
CE = V
IH
I
DQ
= 0毫安
CE
≧
V
cc
-0.2
V
,
V
IN
≧V
cc
-0.2
V
or
V
IN
≦0.2
V
VCC = 5.0V
VCC = 3V
VCC = 5V
70ns
70ns
2.4
--
--
25
55
0.5
V
I
CC
(5)
--
--
mA
VCC = 3.0V
--
VCC = 5.0V
VCC = 3.0V
VCC = 5.0V
--
0.3
1.0
--
I
CCSB
mA
1.0
5
30
uA
I
CCSB1
(4)
待机电流CMOS
1.
典型的特征是在T
A
= 25
o
C.
2.
的fmax = 1 /吨
RC
.
3.
这些是相对于设备接地的绝对值，并且由于系统或测试人员通知中包括的所有过冲。
4.I
CCS
B1_Max.
为微安/为10uA在Vcc = 3V / 5V和T
A
=70
o
C.
5.
ICC
=最大。
为30mA （ @ 3V ） / 62毫安（ @ 5V ）下55ns操作。
数据保持特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
符号
V
DR
(3)
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE
≧
VCC - 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE
≧
VCC - 0.2V
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
见保留波形
分钟。
1.5
--
0
T
RC （2）
典型值。
(1)
--
0.1
--
--
马克斯。
--
1.0
--
--
单位
V
uA
ns
ns
I
CCDR
t
CDR
t
R
1.
VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
R0201-BS616LV2016
2.
t
RC
=读周期时间
3.
ICC
DR_MAX 。
为0.7uA在T
A
=70
o
C.
修订版1.1
一月
2004
3
BSI
低V
CC
数据保存波形（ CE控制）
数据保持方式
BS616LV2016
V
DR
≥
1.5V
VCC
V
IH
VCC
VCC
t
CDR
CE
≥
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
AC测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
关键开关波形
VCC / 0V
1V/ns
0.5Vcc
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
可能改变
以L至H
不会在意：
任何改变
许可
不
申请
输出
必须是
稳定
会
变化
从H到L
会
变化
以L至H
变化：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
输出负载
C
L
= 100pF电容+ 1TTL
C
L
= 30pF的+ 1TTL
,
AC电气特性
（ TA = -40+ 85
o
C )
读周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
数据字节控制到输出高Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变化数据保持
周期时间： 55ns
（ VCC = 3.0 5.5V ）
周期：为70ns
（ VCC = 2.7 5.5V ）
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
分钟。典型值。马克斯。
t
AVAX
t
AVQV
t
ELQV
t
BA
t
GLQV
t
E1LQX
t
BE
t
GLQX
t
EHQZ
t
BDO
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
(1)
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
55
--
（ CE）
（ LB ， UB ）
（ CE）
（ LB ， UB ）
（ CE）
（ LB ， UB ）
--
--
--
10
10
5
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
55
55
30
30
--
--
--
30
30
25
--
70
--
--
--
--
10
10
5
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
35
35
--
--
--
35
35
30
--
注意：
1. t
BA
是为30ns / 35ns的（ @速度= 55ns / 70ns的）与地址切换。 ;吨
BA
为55ns / 70ns的（ @速度= 55ns / 70ns的）没有地址切换。
R0201-BS616LV2016
4
修订版1.1
一月
2004
超低功耗CMOS SRAM
128K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616LV2016
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
工作电流： 30毫安为55ns （最大）
V
CC
= 3.0V
2毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 0.7 /为2uA （最大值）的八十五分之七十
工作电流： 62毫安为55ns （最大）
V
CC
= 5.0V
8毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 6 /的20uA （最大）在八十五分之七十零
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS616LV2016是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为131,072和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，最大的CMOS待机
2 /的20uA在Vcc = 3V / 5V电流在85℃和最大访问时间
55 / 70ns的。
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616LV2016具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV2016可在DICE的形式， JEDEC标准
44引脚TSOP II封装， 48焊球BGA封装。
O
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616LV2016DC
BS616LV2016EC
BS616LV2016AI
BS616LV2016EI
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
广告
O
O
0 ℃ + 70℃
骰子
6.0uA
0.7uA
7mA
39mA
60mA
1.5mA
14mA
29mA
TSOP II- 44
BGA-48-0608
20uA
2.0uA
8mA
40mA
62mA
2mA
15mA
30mA
TSOP II- 44
产业
O
-40°C至+ 85°C
O
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
框图
BS616LV2016EC
BS616LV2016EI
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
2048
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
16
.
.
.
.
.
.
16
数据
产量
卜FF器
16
128
列解码器
7
控制
地址输入缓冲器
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A12 A13 A14 A15 A16 A0
A1
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS66LV2016
1
调整
1.5
十月
2008
BS616LV2016
引脚说明
名字
A0 - A16地址输入
CE芯片使能输入
功能
这17个地址输入端选择131,072中的x在RAM的16位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，数据读取表格或写
装置。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
有16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
CE
H
X
L
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
H
LB
X
H
L
X
L
UB
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
IO0~IO7
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
IO8~IO15
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
读
L
H
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
R0201-BS616LV2016
2
调整
1.5
十月
2008
BS616LV2016
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
RANG
广告
产业
环境
温度
0℃至+ 70℃
-40 ℃至+ 85℃
O
O
O
O
V
CC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
C
C
O
W
mA
电容
(1)
(T
A
= 25
O
C，F = 1.0MHz的）
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2. -2.0V的情况下， AC脉冲宽度小于30纳秒。
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
DC电气特性（T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
输入低电压
测试条件
分钟。
2.4
-0.5
(2)
典型值。
(1)
--
--
马克斯。
5.5
0.8
(3)
单位
V
V
输入高电压
V
IN
= 0V至V
CC
CE = V
IH
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE = V
IH
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安中，f = F
最大
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
,
I
IO
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
(4)
2.2
--
V
CC
+0.3
1
V
输入漏电流
--
--
uA
输出漏电流
--
--
1
uA
输出低电压
--
--
0.4
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流 - TTL
2.4
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
--
--
30
62
2
8
0.5
1.0
2.0
20
V
--
--
mA
--
--
mA
--
--
0.1
0.6
mA
待机电流 - CMOS
O
--
uA
1.典型的特点是在T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
O
5. I
CC （最大）
是29毫安/ 60毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
O
6. I
CCSB1(MAX.)
为0.7uA / 6.0uA在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70 C.
R0201-BS616LV2016
3
调整
1.5
十月
2008
QQ：2880707522 复制
