BSI
特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
1M ×16或2M ×8位切换
描述
BS616LV1623
的Vcc工作电压：
2.7 ~ 3.6V
极低的功耗：
VCC =
3.0V
C-等级： 45毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 46毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 36毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 37毫安（ @为70ns ）工作电流
3.0uA （典型值）。
CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
I / O配置X8 / X16由CIO ， LB和UB引脚可选
该BS616LV1623是一款高性能，低功耗CMOS静态
由16位或组织为1048676字随机存取存储器
2,097,152字节由8位选择了CIO引脚和工作在Vcc的
范围
2.7V至3.6V
电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
of
3.0uA
at
3.0V/25
o
C
55ns的和最大访问时间
3.0V/85
o
C
.
该器件提供了三个控制输入和三态输出驱动器
为便于内存扩展。
该BS616LV1623具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV1623是48引脚12mmx20mm TSOP1封装。
产品系列
产品系列
操作
温度
0 ℃ + 70℃
-40
O
C至+ 85
O
C
O
O
VCC
范围
2.7V ~ 3.6V
2.7V ~ 3.6V
速度
（纳秒）
55ns ： 3.0 3.6V
为70ns ： 2.7 3.6V
功耗
待机
操作
(I
CCSB1
，最大值）
(I
CC
，最大值）
PKG型
Vcc=3V
Vcc=3V
55ns
Vcc=3V
70ns
BS616LV1623TC
BS616LV1623TI
55 / 70
55 / 70
10微安
20微安
45mA
46mA
36mA
37mA
TSOP1-48
(12mmx20mm)
TSOP1-48
(12mmx20mm)
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
/CE1
D0
D1
D2
D3
VCC
CIO
VSS
D4
D5
D6
D7
A19
/ WE
A18
A17
A16
A15
A14
1
48
47
46
A5
A6
A7
/ OE
/ UB
/磅
CE2
SAE
D15
D14
D13
D12
VSS
VCC
D11
D10
D9
D8
A8
A9
A10
A11
A12
A13
框图
A19
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A17
A7
A6
地址
输入
卜FF器
24
ROW
解码器
4096
存储阵列
4096 x 4096
9
10
13
BS616LV1623TC
BS616LV1623T我
37
4096
D0
16(8)
数据
输入
卜FF器
16(8)
列I / O
16
17
.
.
.
.
D15
CE1
CE2
WE
OE
UB
.
.
.
.
写入驱动器
16(8)
SENSE AMP
256(512)
列解码器
16(8)
数据
产量
卜FF器
27
24
25
16(18)
控制
地址输入缓冲器
48引脚12mmx20mm TSOP1俯视图
LB
CIO
VDD
VSS
A16 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A18 （ SAE ）
华晨半导体公司
。保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616LV1623
1
修订版1.1
一月
2004
BSI
引脚说明
BS616LV1623
名字
A0 - A19地址输入
SAE地址输入
CIO X8 / X16选择输入
功能
这20个地址输入选择在RAM中的1048576个16位字中的一个。
这个地址输入包含上述20的地址输入中选择的所述一个
2097152个8位字节中的RAM中，如果CIO为LOW 。请勿使用时， CIO高。
该输入选择SRAM的组织。 1048576 ×16位字
被选中的配置，如果CIO高。 2097152个8位字节的配置是
如果选择了CIO低。
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。该芯片取消时
无论LB和UB引脚为高电平。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
D0 - D15数据输入/输出端口
VCC
GND
R0201-BS616LV1623
2
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一月
2004
BSI
DC电气特性
（ TA = -40
o
C至+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(4)
BS616LV1623
测试条件
Vcc=3V
Vcc=3V
参数
保证输入低
电压
(3)
保证输入高
电压
(3)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
MIN 。 TYP 。
-0.5
--
(1)
马克斯。
0.8
Vcc+0.3
1
1
0.4
--
46
37
1.3
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
2.0
--
--
--
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 =
V
iL
或
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
, I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(2)
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
, I
DQ
= 0毫安
CE1
≧
VCC- 0.2V ，或
CE2
≦
0.2V, V
IN
≧
VCC - 0.2V
或V
IN
≦
0.2V
55ns
70ns
Vcc=3V
Vcc=3V
Vcc=3V
I
CCSB
(5)
Vcc=3V
I
CCSB1
待机电流CMOS
Vcc=3V
--
3
20
uA
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.的Fmax = 1 /吨
RC
.
3.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
4.电流Icc
=最大。
is
45mA(@55ns)
/
36mA(@70ns)
在070
o
C操作。
5. I
CCS
B1
is
10uA
在Vcc = 3.0V和T
A
=70
o
C.
R0201-BS616LV1623
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特点
非常低的功率/电压CMOS SRAM
1M ×16或2M ×8位切换
描述
BS616LV1623
的Vcc工作电压：
2.7 ~ 3.6V
极低的功耗：
VCC =
3.0V
C-等级： 45毫安（ @ 55ns ）工作电流
我优级： 46毫安（ @ 55ns ）工作电流
C-等级： 36毫安（ @为70ns ）工作电流
我优级： 37毫安（ @为70ns ）工作电流
3.0uA （典型值）。
CMOS待机电流
高速存取时间：
-55
55ns
-70
70ns
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
全静态工作
数据保持电源电压低至1.5V
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
I / O配置X8 / X16由CIO ， LB和UB引脚可选
该BS616LV1623是一款高性能，低功耗CMOS静态
由16位或组织为1048676字随机存取存储器
2,097,152字节由8位选择了CIO引脚和工作在Vcc的
范围
2.7V至3.6V
电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
一个典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
of
3.0uA
at
3.0V/25
o
C
55ns的和最大访问时间
3.0V/85
o
C
.
该器件提供了三个控制输入和三态输出驱动器
为便于内存扩展。
该BS616LV1623具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV1623是48引脚12mmx20mm TSOP1封装。
产品系列
产品系列
操作
温度
0 ℃ + 70℃
-40
O
C至+ 85
O
C
O
O
VCC
范围
2.7V ~ 3.6V
2.7V ~ 3.6V
速度
（纳秒）
55ns ： 3.0 3.6V
为70ns ： 2.7 3.6V
功耗
待机
操作
(I
CCSB1
，最大值）
(I
CC
，最大值）
PKG型
Vcc=3V
Vcc=3V
55ns
Vcc=3V
70ns
BS616LV1623TC
BS616LV1623TI
55 / 70
55 / 70
10微安
20微安
45mA
46mA
36mA
37mA
TSOP1-48
(12mmx20mm)
TSOP1-48
(12mmx20mm)
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
/CE1
D0
D1
D2
D3
VCC
CIO
VSS
D4
D5
D6
D7
A19
/ WE
A18
A17
A16
A15
A14
1
48
47
46
A5
A6
A7
/ OE
/ UB
/磅
CE2
SAE
D15
D14
D13
D12
VSS
VCC
D11
D10
D9
D8
A8
A9
A10
A11
A12
A13
框图
A19
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A17
A7
A6
地址
输入
卜FF器
24
ROW
解码器
4096
存储阵列
4096 x 4096
9
10
13
BS616LV1623TC
BS616LV1623T我
37
4096
D0
16(8)
数据
输入
卜FF器
16(8)
列I / O
16
17
.
.
.
.
D15
CE1
CE2
WE
OE
UB
.
.
.
.
写入驱动器
16(8)
SENSE AMP
256(512)
列解码器
16(8)
数据
产量
卜FF器
27
24
25
16(18)
控制
地址输入缓冲器
48引脚12mmx20mm TSOP1俯视图
LB
CIO
VDD
VSS
A16 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A18 （ SAE ）
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引脚说明
BS616LV1623
名字
A0 - A19地址输入
SAE地址输入
CIO X8 / X16选择输入
功能
这20个地址输入选择在RAM中的1048576个16位字中的一个。
这个地址输入包含上述20的地址输入中选择的所述一个
2097152个8位字节中的RAM中，如果CIO为LOW 。请勿使用时， CIO高。
该输入选择SRAM的组织。 1048576 ×16位字
被选中的配置，如果CIO高。 2097152个8位字节的配置是
如果选择了CIO低。
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。该芯片取消时
无论LB和UB引脚为高电平。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
D0 - D15数据输入/输出端口
VCC
GND
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DC电气特性
（ TA = -40
o
C至+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(4)
BS616LV1623
测试条件
Vcc=3V
Vcc=3V
参数
保证输入低
电压
(3)
保证输入高
电压
(3)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
MIN 。 TYP 。
-0.5
--
(1)
马克斯。
0.8
Vcc+0.3
1
1
0.4
--
46
37
1.3
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
2.0
--
--
--
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE1 = V
IH
或CE2 =
V
iL
或
OE = V
IH
, V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2毫安
VCC =最小，我
OH
= -1mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
, I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(2)
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
, I
DQ
= 0毫安
CE1
≧
VCC- 0.2V ，或
CE2
≦
0.2V, V
IN
≧
VCC - 0.2V
或V
IN
≦
0.2V
55ns
70ns
Vcc=3V
Vcc=3V
Vcc=3V
I
CCSB
(5)
Vcc=3V
I
CCSB1
待机电流CMOS
Vcc=3V
--
3
20
uA
1.典型的特点是在TA = 25
o
C.
2.的Fmax = 1 /吨
RC
.
3.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
4.电流Icc
=最大。
is
45mA(@55ns)
/
36mA(@70ns)
在070
o
C操作。
5. I
CCS
B1
is
10uA
在Vcc = 3.0V和T
A
=70
o
C.
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