超低功耗CMOS SRAM
128K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616LV2016
n
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
V
CC
= 3.0V
工作电流： 30毫安为55ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流为0.1uA （典型值），在25
O
C
V
CC
= 5.0V
工作电流： 62毫安为55ns （最大）
8毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.6uA （典型值），在25
O
C
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=3.0~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=2.7~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS616LV2016是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为131,072和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
为0.1uA的电流在3.0V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
3.0V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616LV2016具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV2016可在DICE的形式， JEDEC标准
44引脚TSOP II封装， 48焊球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616LV2016DC
BS616LV2016EC
BS616LV2016AI
BS616LV2016EI
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
广告
+0
O
C至+70
O
C
骰子
6.0uA
0.7uA
7mA
39mA
60mA
1.5mA
14mA
29mA
TSOP II- 44
BGA-48-0608
20uA
2.0uA
8mA
40mA
62mA
2mA
15mA
30mA
TSOP II- 44
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
n
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
n
框图
BS616LV2016EC
BS616LV2016EI
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
2048
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
16
.
.
.
.
.
.
数据
输入
卜FF器
16
128
列解码器
7
控制
地址输入缓冲器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
16
数据
产量
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A12 A13 A14 A15 A16 A0
A1
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS66LV2016
1
修订版1.4
十一月
2006
BS616LV2016
n
引脚说明
名字
A0 - A16地址输入
CE芯片使能输入
功能
这17个地址输入端选择131,072中的x在RAM的16位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，数据读取表格或写
装置。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
我们写使能输入
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
有16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
n
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
CE
H
X
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
H
LB
X
H
L
X
L
UB
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
IO0~IO7
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
IO8~IO15
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
L
读
L
H
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
R0201-BS616LV2016
2
修订版1.4
十一月
2006
BS616LV2016
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒。
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
O
O
测试条件
分钟。
2.4
-0.5
(2)
典型值。
(1)
--
马克斯。
5.5
单位
V
输入低电压
--
0.8
V
CC
+0.3
(3)
V
输入高电压
V
IN
= 0V至V
CC
CE = V
IH
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE = V
IH
或OE = V
IH
输出低电压
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
2.2
--
V
输入漏电流
--
--
1
uA
输出漏电流
--
--
1
uA
--
--
0.4
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安， F =
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
,
I
IO
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
F
MAX(4)
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
2.4
--
--
30
62
V
--
--
mA
--
--
2
8
mA
--
--
0.1
0.6
0.5
1.0
mA
待机电流
–
CMOS
--
2.0
20
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. I
CC （最大）
是29毫安/ 60毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
6. I
CCSB1(MAX.)
为0.7uA / 6.0uA在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
R0201-BS616LV2016
3
修订版1.4
十一月
2006
超低功耗CMOS SRAM
64K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616LV1010
n
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 5.5V
极低的功耗：
V
CC
= 3.0V
工作电流： 25毫安为55ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.02uA （典型值），在25
O
C
V
CC
= 5.0V
工作电流： 45毫安为55ns （最大）
5毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.4uA （典型值），在25
O
C
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=2.7~5.5V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=2.4~5.5V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS616LV1010是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为65536和
经营形成了广泛的2.4V至5.5V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
0.02uA电流在3.0V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
2.7V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616LV1010具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV1010可在DICE的形式， JEDEC标准
44引脚TSOP II和48焊球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616LV1010DC
BS616LV1010AC
BS616LV1010EC
BS616LV1010AI
BS616LV1010EI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
5.0uA
1.5uA
5mA
25mA
45mA
2mA
15mA
25mA
广告
+0
O
C至+70
O
C
3.0uA
0.5uA
4mA
24mA
44mA
1.5mA
14mA
24mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=5.0V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
BGA-48-0608
TSOP II- 44
BGA-48-0608
TSOP II- 44
n
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
n
框图
A8
A13
A15
A14
A12
A7
A6
A5
A4
2048
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
16
.
.
.
.
.
.
数据
输入
卜FF器
16
128
列解码器
7
控制
地址输入缓冲器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
地址
输入
卜FF器
9
ROW
解码器
512 x 2048
512
存储阵列
BS616LV1010EC
BS616LV1010EI
16
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
NC
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
数据
产量
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A11 A9
A3
A2
A1
A0 A10
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS616LV1010
1
修订版2.6
五月。
2006
BS616LV1010
n
引脚说明
名字
A0 -A15地址输入
CE芯片使能输入
功能
这16个地址输入选择65536中的x在RAM的16位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，数据读取表格或写
装置。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
我们写使能输入
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
有16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
n
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
CE
H
X
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
H
LB
X
H
L
X
L
UB
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
IO0~IO7
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
IO8~IO15
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
L
读
L
H
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
R0201-BS616LV1010
2
修订版2.6
五月。
2006
BS616LV1010
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
7.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
2.4V ~ 5.5V
2.4V ~ 5.5V
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒。
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(5)
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(6)
参数
电源
O
O
测试条件
分钟。
2.4
-0.5
(2)
典型值。
(1)
--
马克斯。
5.5
单位
V
输入低电压
--
0.8
V
CC
+0.3
(3)
V
输入高电压
V
IN
= 0V至V
CC
CE = V
IH
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE = V
IH
或OE = V
IH
输出低电压
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
2.2
--
V
输入漏电流
--
--
1
uA
输出漏电流
--
--
1
uA
--
--
0.4
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安， F =
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
,
I
IO
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
F
MAX(4)
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=5.0V
2.4
--
--
25
45
V
--
--
mA
--
--
2
5
mA
--
--
0.02
0.4
0.5
1.0
mA
待机电流
–
CMOS
--
1.5
5.0
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC （ MIN ）。
5. I
CC （ MAX 。 ）
是24毫安/ 44毫安在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
6. I
CCSB1(MAX.)
为0.5uA的/ 3.0uA在V
CC
= 3.0V / 5.0V和T
A
=70
O
C.
R0201-BS616LV1010
3
修订版2.6
五月。
2006
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