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SOT23封装P沟道增强
模式垂直DMOS FET
第3期 - 1996年1月
BS250F
D
G
S
PARTMARKING详细信息？ MX
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-45
-90
-1.6
±
20
SOT23
单位
V
mA
A
V
mW
°C
330
-55到+150
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
静态漏源导通状态
电阻（1）
正向跨导
(1)(2)
输入电容（ 2 ）
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
9
90
25
10
10
10
10
MIN 。 TYP 。 MAX 。单位条件。
-45
-1
-70
-3.5
-20
V
V
nA
I
D
=-100
A，V
GS
=0V
I
D
= -1mA ，V
DS
= V
GS
V
GS
=-15V, V
DS
=0V
V
DS
=-25V, V
GS
=0V
V
GS
=-10V,I
D
=-200mA
V
DS
=-10V,I
D
=-200mA
V
DS
=-10V, V
GS
=0V,
f=1MHz
-0.5.
A
14
mS
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈
-25V ，我
D
=-200mA
（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300
秒。占空比
≤
2 ％ （ 2 ）样品测试。
（3 ）测定的，用50开关时间
源阻抗和＆lt; 5纳秒的上升时间的脉冲发生器
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 55
BS250F
典型特征
-1.2
-1.0
V
GS =
-20V
-16V
-14V
-0.8
-0.6
-0.4
-7V
-0.2
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
-6V
-5V
-4V
-12V
-10V
-9V
-8V
-1.0
V
GS
=
-16V
-14V
-0.8
-12V
-0.6
-10V
-9V
-8V
-7V
-0.2
-6V
-5V
-4.5V
0
-2
-4
-6
-8
-10
I
D
- 漏电流（安培）
I
D
- 漏电流（安培）
-0.4
0
V
DS
- 漏源
电压（伏）
V
DS
- 漏源
电压（伏）
输出特性
饱和特性
I
D（上） -
通态漏电流（安培）
V
DS-
漏源
电压（伏）
-10
-8
I
D=
-6
-
400mA
-1.0
-0.8
V
DS = -
10V
-0.6
-4
-200mA
-0.4
-2
-0.2
0
0
-2
-4
-6
-8
-100mA
-10
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
V
GS-
门源电压
（伏）
V
GS-
门源
电压（伏）
电压饱和特性
的RDS（on ） - 漏源导通电阻
()
传输特性
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
100
V
GS
=-5V
-6V
-7V
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-40 -20
0
Re
ce
ur
So
eR
nc
ta
SIS
V
GS =
-10V
I
D=
0.37A
n)
(o
DS
-10V
10
-15V
-20V
-
艾因
Dr
门Thresh的
老
V
GS =
V
DS
I
D=
-1mA
电压V
GS
（ TH ）
1
-10
-100
-1000
20 40 60 80 100 120 140 160 180
I
D-
漏极电流（mA ）
结温（ ° C）
导通电阻VS漏电流
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
与温度
3 - 56
BS250F
典型特征
120
100
80
注： V
DS =
-10V
60
40
20
0
0 -0.1 -0.2 -0.3 -0.4 -0.5 -0.6 -0.7 -0.8 -0.9 -1.0
120
100
80
注： V
DS =
-10V
60
40
20
0
0 -1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
g
fs
-Transconductance （MS ）
g
fs
-Transconductance （MS ）
I
D
- 漏电流（安培）
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
跨导V漏电流
跨导V栅源电压
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
60
50
40
30
20
10
C
RSS
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
C
国际空间站
注： V
GS =
0V
f=1MHz
2
1
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
0
0.5
1.0
1.5
V
DS
=
-20V -40V -60V
注：我
D=-
0.2A
C-电容（pF ）
C
OSS
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
Q-栅极电荷（ NC）
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
3 - 57
SMD型
BS250F
产品speci fi cation
D
G
S
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-45
-90
-1.6
±
20
SOT23
单位
V
mA
A
V
mW
°C
330
-55到+150
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
静态漏源导通状态
电阻（1）
正向跨导
(1)(2)
输入电容（ 2 ）
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
9
90
25
10
10
10
10
MIN 。 TYP 。 MAX 。单位条件。
-45
-1
-70
-3.5
-20
V
V
nA
I
D
=-100
A，V
GS
=0V
I
D
= -1mA ，V
DS
= V
GS
V
GS
=-15V, V
DS
=0V
V
DS
=-25V, V
GS
=0V
V
GS
=-10V,I
D
=-200mA
V
DS
=-10V,I
D
=-200mA
V
DS
=-10V, V
GS
=0V,
f=1MHz
-0.5.
A
14
mS
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈
-25V ，我
D
=-200mA
（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300
秒。占空比
≤
2 ％ （ 2 ）样品测试。
（3 ）测定的，用50开关时间
源阻抗和＆lt; 5纳秒的上升时间的脉冲发生器
辣妹参数数据可应要求提供此设备
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
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BAS70_06
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    BS250F
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电话：0755-23600726
联系人：林先生
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