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BS170
首选设备
小信号MOSFET
500毫安, 60伏
N沟道TO- 92 ( TO- 226 )
特点
http://onsemi.com
无铅包装是可用*
最大额定值
等级
漏 - 源电压
栅源电压
- 连续
- 不重复(T
p
50
女士)
漏电流(注)
器件总功耗@ T
A
= 25°C
工作和存储结
温度范围
符号
V
DS
V
GS
V
GSM
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
60
±
20
±
40
0.5
350
-55
+150
单位
VDC
VDC
VPK
ADC
mW
°C
500毫安, 60伏
R
DS ( ON)
= 5.0
W
N沟道
D
G
S
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
注:包的功耗可能会导致较低的连续
漏极电流。
12
3
TO-92 (TO- 226)
CASE 29
样式30
标记图
&放大器;引脚分配
BS170
AYWWG
G
1
2
3
来源
BS170 =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2005年8月 - 修订版5
出版订单号:
BS170/D
BS170
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
门反向电流
(V
GS
= 15 VDC ,V
DS
= 0)
漏源击穿电压
(V
GS
= 0, I
D
= 100
MADC )
基本特征
(注1 )
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0 MADC )
静态漏源导通电阻
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 200 MADC )
排水截止电流
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0伏)
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 250 MADC )
小信号特性
输入电容
(V
DS
= 10 VDC ,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
开关特性
开启时间
(I
D
= 0.2 ADC),见图1
关断时间
(I
D
= 0.2 ADC),见图1
1.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
t
on
t
关闭
4.0
4.0
10
10
ns
ns
C
国际空间站
60
pF
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
I
D(关闭)
g
fs
0.8
2.0
1.8
200
3.0
5.0
0.5
VDC
W
mA
毫姆欧
I
GSS
V
( BR ) DSS
60
0.01
90
10
NADC
VDC
符号
典型值
最大
单位
订购信息
设备
BS170
BS170G
BS170RLRA
BS170RLRAG
BS170RLRM
BS170RLRMG
BS170RLRP
BS170RLRPG
BS170RL1
BS170RL1G
BS170ZL1
BS170ZL1G
TO-92 (TO- 226)
TO-92 (TO- 226)
(无铅)
TO-92 (TO- 226)
TO-92 (TO- 226)
(无铅)
TO-92 (TO- 226)
TO-92 (TO- 226)
(无铅)
TO-92 (TO- 226)
TO-92 (TO- 226)
(无铅)
TO-92 (TO- 226)
TO-92 (TO- 226)
(无铅)
TO-92 (TO- 226)
TO-92 (TO- 226)
(无铅)
航运
1000单位/管
1000单位/管
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
2000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
BS170
电阻开关
+25 V
V
in
脉冲发生器
50
W
40 pF的
50
W
1.0毫瓦
t
on
125
W
20分贝
50
W
衰减器
抽样范围
50
W
输入
V
OUT
产量
V
OUT
10%
输入
(V
in
振幅10伏)
V
in
脉冲
宽度
t
关闭
90%
10%
90%
50%
图1.开关测试电路
图2的开关波形
2.0
VGS ( th)时,阈值电压
1.6
I D (上) ,漏极电流( AMPS )
V
DS
= V
GS
I
D
= 1.0毫安
2.0
V
GS
= 10 V
1.6
9.0 V
8.0 V
1.2
7.0 V
6.0 V
5.0 V
0.4
4.0 V
1.2
0.8
0.8
0.4
0
50
100
0
50
T
J
,结温( ° C)
150
0
1.0
2.0
3.0
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
4.0
图3. V
GS ( TH)
归与温度
图4.在区域特征
2.0
I D (上) ,漏极电流( AMPS )
1.6
V
GS
= 10 V
9.0 V
8.0 V
C,电容(pF )
100
80
V
GS
= 0 V
1.2
7.0 V
0.8
6.0 V
0.4
5.0 V
4.0 V
0
20
10
30
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
40
60
40
C
国际空间站
20
C
OSS
C
RSS
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图5.输出特性
图6.电容与
漏极至源极电压
http://onsemi.com
3
BS170
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
B
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格30 :
PIN 1.排放
2.门
3.源
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
电话:
81357733850
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
BS170/D
BS170
首选设备
小信号MOSFET
500毫安, 60 V
N沟道TO- 92 ( TO- 226 )
特点
http://onsemi.com
无铅包装是可用*
最大额定值
等级
漏 - 源电压
栅源电压
- 连续
- 不重复(T
p
50
女士)
漏电流(注)
器件总功耗@ T
A
= 25°C
工作和存储结
温度范围
符号
V
DS
V
GS
V
GSM
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
60
±
20
±
40
0.5
350
-55
+150
单位
VDC
VDC
VPK
ADC
mW
°C
500毫安, 60 V
R
DS ( ON)
= 5
W
N沟道
D
G
S
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
TO-92 (TO- 226)
CASE 29
样式30
12
3
标记图
&放大器;引脚分配
BS170
YWW
1
2
Y
WW
3
来源
=年
=工作周
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息,请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册, SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年4月 - 第4版
出版订单号:
BS170/D
BS170
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
门反向电流
(V
GS
= 15 VDC ,V
DS
= 0)
漏源击穿电压
(V
GS
= 0, I
D
= 100
MADC )
基本特征
(注1 )
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0 MADC )
静态漏源导通电阻
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 200 MADC )
排水截止电流
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0伏)
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 250 MADC )
小信号特性
输入电容
(V
DS
= 10 VDC ,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
开关特性
开启时间
(I
D
= 0.2 ADC),见图1
关断时间
(I
D
= 0.2 ADC),见图1
1.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
t
on
t
关闭
4.0
4.0
10
10
ns
ns
C
国际空间站
60
pF
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
I
D(关闭)
g
fs
0.8
2.0
1.8
200
3.0
5.0
0.5
VDC
W
mA
毫姆欧
I
GSS
V
( BR ) DSS
60
0.01
90
10
NADC
VDC
符号
典型值
最大
单位
订购信息
设备
BS170
BS170G
BS170RLRA
BS170RLRM
BS170RLRP
BS170RL1
BS170ZL1
TO-92 (
(TO226)
)
TO-92 (TO- 226)
TO-92 (TO- 226)
(无铅)
航运
1000单位/箱
1000单位/箱
2000磁带&卷轴
2000磁带&弹药盒
2000磁带&弹药盒
2000磁带&卷轴
2000磁带&弹药盒
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
BS170
电阻开关
+25 V
V
in
脉冲发生器
50
W
40 pF的
50
W
1.0毫瓦
t
on
125
W
20分贝
50
W
衰减器
抽样范围
50
W
输入
V
OUT
产量
V
OUT
10%
输入
(V
in
振幅10伏)
V
in
脉冲
宽度
t
关闭
90%
10%
90%
50%
图1.开关测试电路
图2的开关波形
2.0
VGS ( th)时,阈值电压
I D (上) ,漏极电流( AMPS )
1.6
V
DS
= V
GS
I
D
= 1.0毫安
2.0
V
GS
= 10 V
1.6
9.0 V
8.0 V
1.2
7.0 V
6.0 V
5.0 V
0.4
4.0 V
1.2
0.8
0.8
0.4
0
50
100
0
50
T
J
,结温( ° C)
150
0
1.0
2.0
3.0
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
4.0
图3. V
GS ( TH)
归与温度
图4.在区域特征
2.0
I D (上) ,漏极电流( AMPS )
1.6
V
GS
= 10 V
9.0 V
8.0 V
C,电容(pF )
100
80
V
GS
= 0 V
1.2
7.0 V
0.8
6.0 V
0.4
5.0 V
4.0 V
0
20
10
30
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
40
60
40
C
国际空间站
20
C
OSS
C
RSS
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图5.输出特性
图6.电容与
漏极至源极电压
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3
BS170
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
B
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格30 :
PIN 1.排放
2.门
3.源
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
电话:
81357733850
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
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BS170/D
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BS170RLRM
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
BS170RLRM
ON
22+
3322
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BS170RLRM
NS
24+
9850
NA
100%原装正品,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BS170RLRM
ONS
21+
8500
TO-92 MOS
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