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BS170
威世半导体
原通用半导体
DMOS晶体管( N沟道)
TO- 226AA ( TO-92 )
0.181 (4.6)
分钟。 0.492 ( 12.5 ) 0.181 ( 4.6 )
0.142 (3.6)
特点
高输入阻抗
高速开关
没有少数载流子存储时间
CMOS逻辑兼容输入
无热失控
无二次击穿
特殊要求,该晶体管也
在引脚配置TO- 18制造。
马克斯。
0.022 (0.55)
0.098 (2.5)
尺寸以英寸
(毫米)
机械数据
案例:
TO- 92塑料包装
重量:
约。 0.18克
包装代码/选项:
每个集装箱E6 /舱壁5K , 20K /箱
每个弹药带E7 / 4K , 20K /箱
底部
意见
最大额定值和热特性
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅 - 源电压(脉冲)
漏电流(连续)
在T功耗
AMB
= 25°C
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
符号
V
DSS
V
DGS
V
GS
I
D
P
合计
R
θJA
T
j
T
S
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
极限
60
60
±
20
单位
V
V
V
mA
W
° C / W
°C
°C
300
0.83
(1)
150
(1)
150
-65到+150
注意:
(1)有效的规定,引线被保持在环境温度下,在从壳体的距离为2mm 。
文档编号88179
10-May-02
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BS170
威世半导体
原通用半导体
电气特性
(T
参数
漏源击穿电压
门源阈值电压
门体漏电流
排水截止电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
g
m
C
国际空间站
t
on
t
关闭
测试条件
I
D
= 100μA ,V
GS
= 0
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= 15V, V
DS
= 0
V
DS
= 25V, V
GS
= 0
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.2A
V
DS
= 10V ,我
D
= 0.2A
F = 1MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
GS
= 10V, V
DS
= 10V
R
D
= 100
60
1.0
典型值
80
2
3.5
200
30
5
15
最大
3.0
10
0.5
5.0
单位
V
V
nA
A
mS
pF
ns
ns
逆二极管
参数
最大正向电流(连续)
正向压降(典型值)。
符号
I
F
V
F
测试条件
T
AMB
= 25 °C
V
GS
= 0, I
F
= 0.5 A
T
j
= 25°C
价值
0.5
0.85
单位
A
V
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2
文档编号88179
10-May-02
BS170
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
文档编号88179
10-May-02
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3
BS170
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
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文档编号88179
10-May-02
BS170
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
文档编号88179
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