BS108
首选设备
小信号MOSFET
250毫安， 200伏，
逻辑电平
N沟道TO- 92
该MOSFET是专为高电压，高速开关
应用，如线路驱动器，继电器驱动器， CMOS逻辑，
微处理器或TTL到高电压接口和高电压
显示驱动程序。
特点
http://onsemi.com
250毫安
200伏
R
DS （ ON）
= 8
W
N沟道
D
低驱动要求，V
GS
= 3.0V，最大值
固有的电流共享功能允许轻松并联
许多设备
无铅包可用*
G
最大额定值
等级
漏 - 源电压
栅源电压
漏电流
连续（注1 ）
脉冲（注2）
总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述牛逼
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
350
6.4
T
J
, T
英镑
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
S
价值
200
±20
250
500
BS108
AYWW
G
G
单位
VDC
VDC
MADC
记号
图
TO92
CASE 29-11
样式30
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
BS108 =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
BS108
BS108G
BS108ZL1
BS108ZL1G
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
航运
1000单位/箱
1000单位/箱
2000 /弹药包
2000 /弹药包
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月 - 第2版
出版订单号：
BS108/D
BS108
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
风格30 ：
PIN 1.排放
2.门
3.源
安森美半导体
和
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3
BS108/D
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