BRT21/BRT22/BRT23
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
过零
特点
A
C
1
2
ZCC *
6 MT2
5
NC
高输入灵敏度我
FT
= 1.0毫安
I
真有效值
= 300毫安
高静的dV / dt 10 000 V / μs的
输入和输出之间电绝缘
电路
微机兼容
触发电流
- (I
FT
< 1.2毫安） BRT22F ， BRT23F ，
- (I
FT
< 2毫安） BRT21H ， BRT22H ， BRT23H
- (I
FT
< 3毫安） BRT21M ， BRT22M ， BRT23M
在磁带和卷轴可用表面贴装及
零电压穿越检测
UL文件E52744系统代码为J
DIN EN 60747-5-5可用的选项1
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
NC
3
17223
4 MT1
*零交叉电路
描述
该BRT21 ， BRT22 ， BRT23产品系列包括交流
零电压检测器有两个开关光耦
电气绝缘的横向功率集成电路其整合
可控硅系统，在光检测器和噪声抑制
输出和IR砷化镓二极管的输入。
高输入灵敏度是通过使用一个发射极跟随器来实现
光电晶体管和一个可控硅预驱动导致的LED
小于2mA或3毫安（DC）的触发电流。逆
并联可控硅整流提供的dV / dt大于
10 KV / μs的。
零交叉线的电压检测电路包括两个
的MOSFET和一个光电二极管。
该BRT21 / 23分之22产品系列隔离低压逻辑
从120 ， 230 ，和380伏交流线来控制电阻，
感性或容性负载，包括电动机，螺线管，
大电流thyristers或可控硅和继电器。
应用
工业控制
办公设备
家电产品
订购信息
部分
BRT21H
BRT21M
BRT22F
BRT22H
BRT22M
BRT23F
BRT23H
BRT23M
BRT21H-X006
BRT21H-X007
BRT21M-X006
BRT22F-X006
BRT22H-X007
BRT22M-X006
BRT23F-X006
BRT23F-X007
BRT23H-X006
BRT23H-X007
BRT23M-X006
BRT23M-X007
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
文档编号： 83690
修订版1.5 ， 07- 08年5月
如有技术问题，请联系： optocouplers.answers@vishay.com
www.vishay.com
193
备注
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 ，我
FT
= 2.0毫安
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 ，我
FT
= 3.0毫安
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ，我
FT
= 1.2毫安
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ，我
FT
= 2.0毫安
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ，我
FT
= 3.0毫安
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ，我
FT
= 1.2毫安
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ，我
FT
= 2.0毫安
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ，我
FT
= 3.0毫安
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ，我
FT
= 2.0毫安
V
DRM
≤
400 V ， SMD - 6 （选项7 ） ，我
FT
= 2.0毫安
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ，我
FT
= 3.0毫安
V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ，我
FT
= 1.2毫安
V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ，我
FT
= 2.0毫安
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ，我
FT
= 3.0毫安
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ，我
FT
= 1.2毫安
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ，我
FT
= 1.2毫安
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ，我
FT
= 2.0毫安
V
DRM
≤
800 V ， SMD - 6 （选项7 ） ，我
FT
= 2.0毫安
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ，我
FT
= 3.0毫安
V
DRM
≤
800 V ， SMD - 6 （选项7 ） ，我
FT
= 3.0毫安
BRT21/BRT22/BRT23
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
过零
(1)
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
产量
测试条件
I
R
= 10 A
部分
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
BRT21
峰值断态电压
RMS通态电流
单周期浪涌电流
功耗
从25° C减免
耦合器
绝缘测试电压
（发射器和检测器，气候之间
按照DIN 500414 ，第2部分11月74 ）
污染等级（ DIN VDE 0109 ）
爬电距离
间隙距离
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分，
根据DIN VDE 6110第IIIa
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
(2)
马克斯。
≤
10秒浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
T = 1.0分钟
I
D（ RMS）
= 70 A
BRT22
BRT23
V
DM
V
DM
V
DM
I
TM
P
DISS
400
600
800
300
3.0
600
6.6
V
ISO
5300
2
≥
7.0
≥
7.0
V
RMS
mm
mm
CTI
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
≥
175
≥
10
12
≥
10
11
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
热阻，结到
环境
I
F
= 10毫安
V
R
= 6 V
F = 1MHz时， V
F
= 0 V
V
F
I
R
C
O
R
thJA
1.16
0.1
25
750
1.35
10
V
A
pF
K / W
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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修订版1.5 ， 07- 08年5月
BRT21/BRT22/BRT23
光电耦合器，光敏可控硅输出，
过零
电气特性
参数
产量
断态电压
重复峰值断态电压
FF-态电流
通态电压
通态电流
浪涌（非重复）
通态电流
触发电流温度。梯度
抑制电压的温度。梯度
断态电流抑制状态
保持电流
闭锁电流
零交叉禁止电压
开启时间
打开-O FF时间
崛起的断态临界速率
电压
上升电压的临界速度
电流换向
对国家崛起的临界速度
热阻，结到
环境
耦合器
耦合临界上升率
输入/输出电压
共模耦合
电容
电容（输入输出）
绝缘电阻
F = 1.0兆赫，V
IO
= 0 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
D
= 5.0 V，F - 版本
触发电流
V
D
= 5.0 V ，H - 版本
V
D
= 5.0 V，M - 版本
I
T
= 0 ，V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
dV
IO
/ DT
C
CM
C
IO
R
is
R
is
I
FT
I
FT
I
FT
≥
10000
0.01
0.8
10
12
1.2
2.0
3.0
≥
10
11
V / μs的
pF
pF
Ω
Ω
mA
mA
mA
V
T
= 2.2 V
I
F
=额定我
FT
V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
PF = 1.0，我
T
= 300毫安
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
j
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
j
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 80 °C
I
F
= I
FT1
, V
DRM
I
D（ RMS）
= 70 A
I
DRM
= 100 A
V
D
= V
DRM
, T
AMB
= 100 °C,
I
F
= 0毫安
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ，V
T（ RMS ）
= 1.7 V
F = 50赫兹
V
D（ RMS）
V
DRM
I
D（ RMS）
V
TM
I
TM
I
TSM
ΔI
FT1
/ΔT
j
ΔI
FT2
/ΔT
j
ΔV
DINH
/ΔT
j
I
DINH
I
H
I
L
V
IH
t
on
t
关闭
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
R
thJA
10000
5000
10000
5000
8.0
125
7.0
7.0
- 20
50
65
5.0
15
35
50
25
200
500
424
600
10
1.7
100
3.0
300
3.0
14
14
460
V
V
A
V
mA
A
μA / K
μA / K
毫伏/ K
A
A
mA
V
s
s
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / μs的
K / W
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
威世半导体
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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修订版1.5 ， 07- 08年5月
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BRT21/BRT22/BRT23
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
过零
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
爬电距离
间隙距离
标准DIP - 6
标准DIP - 6
400万DIP - 6
400万DIP - 6
7
7
8
8
CTI
175
6000
630
200
400
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
40/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， § 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于仅在安全评级"safe电气insulation" 。遵守
安全等级应以保护电路装置来保证。
功率因数注意事项
消除虚假操作的缓冲是没有必要
因为高的静态和换向可控硅驱动
的dV / dt为1.0和0.8的功率因数之间的负载。当
感性负载与功率因子小于0.8的正
驱动，包括RC缓冲或直接单个电容器
跨器件受潮峰值整流的dV / dt
秒杀。通常，换向dv / dt会一关断
器件留在由于所储存的能量保留在
关断器件。
但在零电压交叉optotriac的情况下，该
换向dv / dt的峰值能抑制一半的TRIAC
从开启。如果尖峰电位超过抑制
电压的过零检测电路的，半双向晶闸管的
将heldoff不导通。这种拖延病情可
通过使用缓冲或电容器直接放置消除
横跨optotriac如图1。注意，该值
的电容器随着负载电流的函数。
在保持关闭状态还可以通过提供一种可以消除
更高级别的LED驱动电流。较高的LED驱动器
提供了一个较大的光电流引起的
光电晶体管来接通之前的换向尖峰具有
活化的零交叉网络。图2示出了
所述LED驱动器为小于功率因数的关系
1.0 。该曲线表明，如果一个设备需要1.5毫安一
阻性负载，那么1.8倍2.7毫安），这一数额将是
控制感性负载的功率因数要求
小于0.3 。
1
C
s
（ μF ） = 0.0032 （ μF ） * 10 ^ 0.0066我
L
（MA ）
C
s
- 并联电容（ μF ）
0.1
0.01
TA = 25°C ， PF = 0.3
IF = 2.0毫安
0.001
0
iil410_01
50
100 150 200 250 300 350 400
I
L
- 负载电流（mA ） （ RMS）
图。 1 - 并联电容与负载电流
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修订版1.5 ， 07- 08年5月
BRT21/BRT22/BRT23
光电耦合器，光敏可控硅输出，
过零
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
威世半导体
2.0
150
NI
FTH
-
归
LED
触发电流
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.0
LED - 发光二极管功率（mW ）
I
FTH
归
到我
FTH
在PF = 1.0
TA = 25℃
100
50
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
- 60 - 40 - 20
iil410_05
0
20
40
60
80
100
iil410_02
PF - 功率因数
T
a
- 环境温度（ ° C）
图。 2 - 归的LED触发电流与功率因数
图。 5 - 最大的LED功率耗散
1.4
10
3
5
TA = - 55°C
T
j
= 25 °C
100 °C
V
F
- 前进
电压
(V)
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.1
I
T
（MA ）
10
2
5
TA = 25℃
I
T
= F（V
T
),
参数：T已
j
TA =
85
°C
10
1
5
10
0
1
10
100
iil410_06
0
1
2
3
4
iil410_03
I
F
- 正向电流（mA ）
V
T
(V)
图。 3 - 正向电压与正向电流
图。 6 - 典型的输出特性
10000
如果（ PK） - LED峰值电流（mA ）
τ
占空比
1000
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
t
DF ？
τ
/t
400
I
真有效值
= F（ VT）
R
thJA
= 150 K / W
设备开关
焊接在印刷电路板
or
BASE
板。
I
真有效值
（MA ）
10
1
300
200
100
100
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
iil410_04
0
0
iil410_07
20
40
60
80
100
吨 - LED脉冲持续时间（ S）
T
A
(°C)
图。 7 - 降低电流
图。 4 - 峰值LED电流与占空比，头
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修订版1.5 ， 07- 08年5月
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BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，过零
特点
高输入灵敏度我
FT
= 1.0毫安
I
真有效值
= 300毫安
高静态dv / dt的10千伏/微秒
输入之间的电绝缘
输出电路
微机兼容
触发电流
- (I
FT
< 1.2毫安） BRT22F ， BRT23F ，
- (I
FT
< 2毫安） BRT21H ， BRT22H ， BRT23H
- (I
FT
< 3毫安） BRT21M ， BRT22M ， BRT23M
可用表面贴装及卷带
零电压过零检测器
UL文件E52744系统代码"J"
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A 1
C 2
NC 3
17223
6 MT2
5
ZCC *
NC
4 MT1
*零交叉电路
订购信息
部分
BRT21H
BRT21M
BRT22F
BRT22H
备注
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 1.2毫安我
FT
应用
工业控制
办公设备
家电产品
BRT22M
BRT23F
BRT23H
BRT23M
描述
该BRT21 ， BRT22 ， BRT23产品系列包括
的交流开关的光电耦合器与零电压探测器
器具有两个电绝缘横向电源IC
其中集成了可控硅系统，光检测器
和噪声抑制在输出和红外砷化镓
二极管输入
高输入灵敏度是通过使用发射器来实现
跟随光电晶体管和可控硅预驱动器result-
荷兰国际集团以小于2mA或3毫安的LED触发电流
（直流） 。反并联可控硅整流提供
的dv / dt大于10千伏/μs的
过零线电压检测电路由
的两个MOSFET和一个光电二极管。
在BRT21 / 23分之22产品系列隔离低电压
年龄逻辑120 ， 230和380伏交流线来控制
电阻，电感或电容性负载，包括
电机，电磁阀，高电流thyristers或TRIAC
和继电器。
BRT21H-X006
BRT21H-X007
BRT21M-X006
BRT22F-X006
BRT22F - X0067 V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 1.2毫安我
FT
BRT22H-X007
BRT22M-X006
BRT23F-X006
BRT23F-X007
BRT23H-X006
BRT23H-X007
BRT23M-X006
BRT23M-X007
V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 3.0毫安我
FT
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选项信息。
文档编号83690
修订版1.4 10 -JAN- 05
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1
BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
测试条件
I
R
= 10
A
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
峰值断态电压
测试条件
I
D（ RMS）
= 70
A
部分
BRT21
BRT22
BRT23
RMS通态电流
单周期浪涌电流
功耗
从25° C减免
P
DISS
符号
V
DM
V
DM
V
DM
I
TM
价值
400
600
800
300
3.0
600
6.6
单位
V
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
隔离测试电压（T之间= 1.0分钟。
发射器和检测器，每个气候
DIN 500414 ，第2部分11月74）
污染度（ DIN VDE
0109)
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分，
根据DIN VDE 6110第IIIa
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤
10秒。浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
2
≥
7.0
≥
7.0
≥
175
mm
mm
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
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2
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BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻，结到
环境
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.16
0.1
25
750
最大
1.35
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
断态电压
FF-态电流
通态电压
通态电流
浪涌（非重复） ，通态
当前
触发电流温度。梯度
抑制电压的温度。梯度
断态电流抑制状态
保持电流
闭锁电流
零交叉禁止电压
开启时间
打开-O FF时间
崛起的断态临界速率
电压
上升电压的临界速度
电流换向
V
T
= 2.2 V
I
F
=额定我
FT
V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
PF = 1.0，我
T
= 300毫安
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 80 °C
对国家崛起的临界速度
热阻，结到
环境
I
F
= I
FT1
, V
DRM
测试条件
I
D（ RMS）
= 70
A
V
D
= V
DRM
, T
AMB
= 100 °C,
I
F
= 0毫安
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ，V
T（ RMS ）
= 1.7 V
F = 50赫兹
符号
V
D（ RMS）
V
DRM
I
D（ RMS）
V
TM
I
TM
I
TSM
I
FT1
/T
j
I
FT2
/T
j
V
DINH
/T
j
I
DINH
I
H
I
L
V
IH
t
on
t
关闭
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
R
thJA
10000
5000
10000
5000
8.0
125
7.0
7.0
-20
50
65
5.0
15
35
50
25
200
500
民
424
600
10
1.7
100
3.0
300
3.0
14
14
典型值。
460
最大
单位
V
V
A
V
mA
A
μA / K
μA / K
毫伏/ K
A
A
mA
V
s
s
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / μs的
K / W
重复峰值断态电压I
DRM
= 100
A
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BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
耦合器
参数
耦合临界上升率
输入/输出电压
共模耦合
电容
电容（输入输出）
绝缘电阻
F = 1.0兆赫，V
IO
= 0 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
触发电流
V
D
= 5.0 V，F - 版本
V
D
= 5.0 V ，H - 版本
V
D
= 5.0 V，M - 版本
测试条件
I
T
= 0 ，V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
符号
dv
IO
/ DT
C
CM
C
IO
R
is
R
is
I
FT
I
FT
I
FT
民
典型值。
10000
0.01
0.8
≥
10
12
≥
10
11
1.2
2.0
3.0
最大
单位
V / μs的
pF
pF
mA
mA
mA
功率因数注意事项
杜绝虚假操作的缓冲是没有必要
因为高静和的COM的TRIAC激励器
突变的dv / dt与1.0至0.8功率负载
因素。当感性负载，功率因数少
超过0.8正在推动，包括RC缓冲或
直接在器件单个电容器受潮
峰换向dv / dt的峰值。通常一个COM
变异的dv / dt会导致一个关断器件留在
由于所存储的能量留在关断
装置。
但在零电压交叉optotriac的情况下，
换向dv / dt的峰值能抑制一半
可控硅的导通。如果秒杀潜力
超过的零交叉检测的禁止电压
电路，半双向晶闸管将heldoff和不开启
上。此保持关闭状态可以通过使用被消除
一个缓冲电容或直接穿过放置
optotriac如示于图1。注意的值
电容随着负载的函数的电流
租。
在保持关闭状态也可以通过亲被淘汰
人们提供的LED驱动电流的更高的水平。较高
LED驱动器提供了更大的光电流而
使光电晶体管来接通的COM前
变异穗启动了零交叉网络。
图2示出了LED驱动器的关系
小于1.0的功率因数。该曲线表明
如果一个设备需要1.5毫安的电阻负载，则
的1.8倍2.7毫安），该量将需要
控制感性负载的功率因数小于
大于0.3 。
1
CS （ μF ） = 0.0032 （ μF ） * 10 ^ （ 0.0066IL （MA ）
CS - 并联电容 -
F
.1
.01
TA = 25 ° C， PF = 0.3
IF = 2.0毫安
.001
0
iil410_01
50
100
150
200
250
300
350
400
IL - 负载电流 - 电流（有效值）
图1.并联电容与负载电流
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BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，过零
特点
高输入灵敏度我
FT
= 1.0毫安
I
真有效值
= 300毫安
高静态dv / dt的10千伏/微秒
输入之间的电绝缘
输出电路
微机兼容
触发电流
- (I
FT
< 1.2毫安） BRT22F ， BRT23F ，
- (I
FT
< 2毫安） BRT21H ， BRT22H ， BRT23H
- (I
FT
< 3毫安） BRT21M ， BRT22M ， BRT23M
可用表面贴装及卷带
零电压过零检测器
UL文件E52744系统代码"J"
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A 1
C 2
NC 3
17223
6 MT2
5
ZCC *
NC
4 MT1
*零交叉电路
订购信息
部分
BRT21H
BRT21M
BRT22F
BRT22H
备注
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 1.2毫安我
FT
应用
工业控制
办公设备
家电产品
BRT22M
BRT23F
BRT23H
BRT23M
描述
该BRT21 ， BRT22 ， BRT23产品系列包括
的交流开关的光电耦合器与零电压探测器
器具有两个电绝缘横向电源IC
其中集成了可控硅系统，光检测器
和噪声抑制在输出和红外砷化镓
二极管输入
高输入灵敏度是通过使用发射器来实现
跟随光电晶体管和可控硅预驱动器result-
荷兰国际集团以小于2mA或3毫安的LED触发电流
（直流） 。反并联可控硅整流提供
的dv / dt大于10千伏/μs的
过零线电压检测电路由
的两个MOSFET和一个光电二极管。
在BRT21 / 23分之22产品系列隔离低电压
年龄逻辑120 ， 230和380伏交流线来控制
电阻，电感或电容性负载，包括
电机，电磁阀，高电流thyristers或TRIAC
和继电器。
BRT21H-X006
BRT21H-X007
BRT21M-X006
BRT22F-X006
BRT22F - X0067 V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 1.2毫安我
FT
BRT22H-X007
BRT22M-X006
BRT23F-X006
BRT23F-X007
BRT23H-X006
BRT23H-X007
BRT23M-X006
BRT23M-X007
V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 3.0毫安我
FT
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文档编号83690
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BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
测试条件
I
R
= 10
A
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
峰值断态电压
测试条件
I
D（ RMS）
= 70
A
部分
BRT21
BRT22
BRT23
RMS通态电流
单周期浪涌电流
功耗
从25° C减免
P
DISS
符号
V
DM
V
DM
V
DM
I
TM
价值
400
600
800
300
3.0
600
6.6
单位
V
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
隔离测试电压（T之间= 1.0分钟。
发射器和检测器，每个气候
DIN 500414 ，第2部分11月74）
污染度（ DIN VDE
0109)
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分，
根据DIN VDE 6110第IIIa
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤
10秒。浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
2
≥
7.0
≥
7.0
≥
175
mm
mm
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
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BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻，结到
环境
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.16
0.1
25
750
最大
1.35
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
断态电压
FF-态电流
通态电压
通态电流
浪涌（非重复） ，通态
当前
触发电流温度。梯度
抑制电压的温度。梯度
断态电流抑制状态
保持电流
闭锁电流
零交叉禁止电压
开启时间
打开-O FF时间
崛起的断态临界速率
电压
上升电压的临界速度
电流换向
V
T
= 2.2 V
I
F
=额定我
FT
V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
PF = 1.0，我
T
= 300毫安
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 80 °C
对国家崛起的临界速度
热阻，结到
环境
I
F
= I
FT1
, V
DRM
测试条件
I
D（ RMS）
= 70
A
V
D
= V
DRM
, T
AMB
= 100 °C,
I
F
= 0毫安
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ，V
T（ RMS ）
= 1.7 V
F = 50赫兹
符号
V
D（ RMS）
V
DRM
I
D（ RMS）
V
TM
I
TM
I
TSM
I
FT1
/T
j
I
FT2
/T
j
V
DINH
/T
j
I
DINH
I
H
I
L
V
IH
t
on
t
关闭
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
R
thJA
10000
5000
10000
5000
8.0
125
7.0
7.0
-20
50
65
5.0
15
35
50
25
200
500
民
424
600
10
1.7
100
3.0
300
3.0
14
14
典型值。
460
最大
单位
V
V
A
V
mA
A
μA / K
μA / K
毫伏/ K
A
A
mA
V
s
s
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / μs的
K / W
重复峰值断态电压I
DRM
= 100
A
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BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
耦合器
参数
耦合临界上升率
输入/输出电压
共模耦合
电容
电容（输入输出）
绝缘电阻
F = 1.0兆赫，V
IO
= 0 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
触发电流
V
D
= 5.0 V，F - 版本
V
D
= 5.0 V ，H - 版本
V
D
= 5.0 V，M - 版本
测试条件
I
T
= 0 ，V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
符号
dv
IO
/ DT
C
CM
C
IO
R
is
R
is
I
FT
I
FT
I
FT
民
典型值。
10000
0.01
0.8
≥
10
12
≥
10
11
1.2
2.0
3.0
最大
单位
V / μs的
pF
pF
mA
mA
mA
功率因数注意事项
杜绝虚假操作的缓冲是没有必要
因为高静和的COM的TRIAC激励器
突变的dv / dt与1.0至0.8功率负载
因素。当感性负载，功率因数少
超过0.8正在推动，包括RC缓冲或
直接在器件单个电容器受潮
峰换向dv / dt的峰值。通常一个COM
变异的dv / dt会导致一个关断器件留在
由于所存储的能量留在关断
装置。
但在零电压交叉optotriac的情况下，
换向dv / dt的峰值能抑制一半
可控硅的导通。如果秒杀潜力
超过的零交叉检测的禁止电压
电路，半双向晶闸管将heldoff和不开启
上。此保持关闭状态可以通过使用被消除
一个缓冲电容或直接穿过放置
optotriac如示于图1。注意的值
电容随着负载的函数的电流
租。
在保持关闭状态也可以通过亲被淘汰
人们提供的LED驱动电流的更高的水平。较高
LED驱动器提供了更大的光电流而
使光电晶体管来接通的COM前
变异穗启动了零交叉网络。
图2示出了LED驱动器的关系
小于1.0的功率因数。该曲线表明
如果一个设备需要1.5毫安的电阻负载，则
的1.8倍2.7毫安），该量将需要
控制感性负载的功率因数小于
大于0.3 。
1
CS （ μF ） = 0.0032 （ μF ） * 10 ^ （ 0.0066IL （MA ）
CS - 并联电容 -
F
.1
.01
TA = 25 ° C， PF = 0.3
IF = 2.0毫安
.001
0
iil410_01
50
100
150
200
250
300
350
400
IL - 负载电流 - 电流（有效值）
图1.并联电容与负载电流
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