BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，过零
特点
高输入灵敏度我
FT
= 1.0毫安
I
真有效值
= 300毫安
高静态dv / dt的10千伏/微秒
输入之间的电绝缘
输出电路
微机兼容
触发电流
- (I
FT
< 1.2毫安） BRT22F ， BRT23F ，
- (I
FT
< 2毫安） BRT21H ， BRT22H ， BRT23H
- (I
FT
< 3毫安） BRT21M ， BRT22M ， BRT23M
可用表面贴装及卷带
零电压过零检测器
UL文件E52744系统代码"J"
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A 1
C 2
NC 3
17223
6 MT2
5
ZCC *
NC
4 MT1
*零交叉电路
订购信息
部分
BRT21H
BRT21M
BRT22F
BRT22H
备注
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 1.2毫安我
FT
应用
工业控制
办公设备
家电产品
BRT22M
BRT23F
BRT23H
BRT23M
描述
该BRT21 ， BRT22 ， BRT23产品系列包括
的交流开关的光电耦合器与零电压探测器
器具有两个电绝缘横向电源IC
其中集成了可控硅系统，光检测器
和噪声抑制在输出和红外砷化镓
二极管输入
高输入灵敏度是通过使用发射器来实现
跟随光电晶体管和可控硅预驱动器result-
荷兰国际集团以小于2mA或3毫安的LED触发电流
（直流） 。反并联可控硅整流提供
的dv / dt大于10千伏/μs的
过零线电压检测电路由
的两个MOSFET和一个光电二极管。
在BRT21 / 23分之22产品系列隔离低电压
年龄逻辑120 ， 230和380伏交流线来控制
电阻，电感或电容性负载，包括
电机，电磁阀，高电流thyristers或TRIAC
和继电器。
BRT21H-X006
BRT21H-X007
BRT21M-X006
BRT22F-X006
BRT22F - X0067 V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 1.2毫安我
FT
BRT22H-X007
BRT22M-X006
BRT23F-X006
BRT23F-X007
BRT23H-X006
BRT23H-X007
BRT23M-X006
BRT23M-X007
V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 3.0毫安我
FT
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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1
BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
测试条件
I
R
= 10
A
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
峰值断态电压
测试条件
I
D（ RMS）
= 70
A
部分
BRT21
BRT22
BRT23
RMS通态电流
单周期浪涌电流
功耗
从25° C减免
P
DISS
符号
V
DM
V
DM
V
DM
I
TM
价值
400
600
800
300
3.0
600
6.6
单位
V
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
隔离测试电压（T之间= 1.0分钟。
发射器和检测器，每个气候
DIN 500414 ，第2部分11月74）
污染度（ DIN VDE
0109)
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分，
根据DIN VDE 6110第IIIa
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤
10秒。浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
2
≥
7.0
≥
7.0
≥
175
mm
mm
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
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2
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威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻，结到
环境
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.16
0.1
25
750
最大
1.35
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
断态电压
FF-态电流
通态电压
通态电流
浪涌（非重复） ，通态
当前
触发电流温度。梯度
抑制电压的温度。梯度
断态电流抑制状态
保持电流
闭锁电流
零交叉禁止电压
开启时间
打开-O FF时间
崛起的断态临界速率
电压
上升电压的临界速度
电流换向
V
T
= 2.2 V
I
F
=额定我
FT
V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
PF = 1.0，我
T
= 300毫安
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 80 °C
对国家崛起的临界速度
热阻，结到
环境
I
F
= I
FT1
, V
DRM
测试条件
I
D（ RMS）
= 70
A
V
D
= V
DRM
, T
AMB
= 100 °C,
I
F
= 0毫安
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ，V
T（ RMS ）
= 1.7 V
F = 50赫兹
符号
V
D（ RMS）
V
DRM
I
D（ RMS）
V
TM
I
TM
I
TSM
I
FT1
/T
j
I
FT2
/T
j
V
DINH
/T
j
I
DINH
I
H
I
L
V
IH
t
on
t
关闭
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
R
thJA
10000
5000
10000
5000
8.0
125
7.0
7.0
-20
50
65
5.0
15
35
50
25
200
500
民
424
600
10
1.7
100
3.0
300
3.0
14
14
典型值。
460
最大
单位
V
V
A
V
mA
A
μA / K
μA / K
毫伏/ K
A
A
mA
V
s
s
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / μs的
K / W
重复峰值断态电压I
DRM
= 100
A
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BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
耦合器
参数
耦合临界上升率
输入/输出电压
共模耦合
电容
电容（输入输出）
绝缘电阻
F = 1.0兆赫，V
IO
= 0 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
触发电流
V
D
= 5.0 V，F - 版本
V
D
= 5.0 V ，H - 版本
V
D
= 5.0 V，M - 版本
测试条件
I
T
= 0 ，V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
符号
dv
IO
/ DT
C
CM
C
IO
R
is
R
is
I
FT
I
FT
I
FT
民
典型值。
10000
0.01
0.8
≥
10
12
≥
10
11
1.2
2.0
3.0
最大
单位
V / μs的
pF
pF
mA
mA
mA
功率因数注意事项
杜绝虚假操作的缓冲是没有必要
因为高静和的COM的TRIAC激励器
突变的dv / dt与1.0至0.8功率负载
因素。当感性负载，功率因数少
超过0.8正在推动，包括RC缓冲或
直接在器件单个电容器受潮
峰换向dv / dt的峰值。通常一个COM
变异的dv / dt会导致一个关断器件留在
由于所存储的能量留在关断
装置。
但在零电压交叉optotriac的情况下，
换向dv / dt的峰值能抑制一半
可控硅的导通。如果秒杀潜力
超过的零交叉检测的禁止电压
电路，半双向晶闸管将heldoff和不开启
上。此保持关闭状态可以通过使用被消除
一个缓冲电容或直接穿过放置
optotriac如示于图1。注意的值
电容随着负载的函数的电流
租。
在保持关闭状态也可以通过亲被淘汰
人们提供的LED驱动电流的更高的水平。较高
LED驱动器提供了更大的光电流而
使光电晶体管来接通的COM前
变异穗启动了零交叉网络。
图2示出了LED驱动器的关系
小于1.0的功率因数。该曲线表明
如果一个设备需要1.5毫安的电阻负载，则
的1.8倍2.7毫安），该量将需要
控制感性负载的功率因数小于
大于0.3 。
1
CS （ μF ） = 0.0032 （ μF ） * 10 ^ （ 0.0066IL （MA ）
CS - 并联电容 -
F
.1
.01
TA = 25 ° C， PF = 0.3
IF = 2.0毫安
.001
0
iil410_01
50
100
150
200
250
300
350
400
IL - 负载电流 - 电流（有效值）
图1.并联电容与负载电流
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BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，过零
特点
高输入灵敏度我
FT
= 1.0毫安
I
真有效值
= 300毫安
高静态dv / dt的10千伏/微秒
输入之间的电绝缘
输出电路
微机兼容
触发电流
- (I
FT
< 1.2毫安） BRT22F ， BRT23F ，
- (I
FT
< 2毫安） BRT21H ， BRT22H ， BRT23H
- (I
FT
< 3毫安） BRT21M ， BRT22M ， BRT23M
可用表面贴装及卷带
零电压过零检测器
UL文件E52744系统代码"J"
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A 1
C 2
NC 3
17223
6 MT2
5
ZCC *
NC
4 MT1
*零交叉电路
订购信息
部分
BRT21H
BRT21M
BRT22F
BRT22H
备注
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
400 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 1.2毫安我
FT
应用
工业控制
办公设备
家电产品
BRT22M
BRT23F
BRT23H
BRT23M
描述
该BRT21 ， BRT22 ， BRT23产品系列包括
的交流开关的光电耦合器与零电压探测器
器具有两个电绝缘横向电源IC
其中集成了可控硅系统，光检测器
和噪声抑制在输出和红外砷化镓
二极管输入
高输入灵敏度是通过使用发射器来实现
跟随光电晶体管和可控硅预驱动器result-
荷兰国际集团以小于2mA或3毫安的LED触发电流
（直流） 。反并联可控硅整流提供
的dv / dt大于10千伏/μs的
过零线电压检测电路由
的两个MOSFET和一个光电二极管。
在BRT21 / 23分之22产品系列隔离低电压
年龄逻辑120 ， 230和380伏交流线来控制
电阻，电感或电容性负载，包括
电机，电磁阀，高电流thyristers或TRIAC
和继电器。
BRT21H-X006
BRT21H-X007
BRT21M-X006
BRT22F-X006
BRT22F - X0067 V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 1.2毫安我
FT
BRT22H-X007
BRT22M-X006
BRT23F-X006
BRT23F-X007
BRT23H-X006
BRT23H-X007
BRT23M-X006
BRT23M-X007
V
DRM
≤
600 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
600 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 1.2毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 2.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， DIP - 6 400万（选项6 ） ， 3.0毫安我
FT
V
DRM
≤
800 V ， SMD - 6 （选项7 ） ， 3.0毫安我
FT
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
测试条件
I
R
= 10
A
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
峰值断态电压
测试条件
I
D（ RMS）
= 70
A
部分
BRT21
BRT22
BRT23
RMS通态电流
单周期浪涌电流
功耗
从25° C减免
P
DISS
符号
V
DM
V
DM
V
DM
I
TM
价值
400
600
800
300
3.0
600
6.6
单位
V
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
隔离测试电压（T之间= 1.0分钟。
发射器和检测器，每个气候
DIN 500414 ，第2部分11月74）
污染度（ DIN VDE
0109)
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分，
根据DIN VDE 6110第IIIa
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤
10秒。浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
2
≥
7.0
≥
7.0
≥
175
mm
mm
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
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威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻，结到
环境
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.16
0.1
25
750
最大
1.35
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
断态电压
FF-态电流
通态电压
通态电流
浪涌（非重复） ，通态
当前
触发电流温度。梯度
抑制电压的温度。梯度
断态电流抑制状态
保持电流
闭锁电流
零交叉禁止电压
开启时间
打开-O FF时间
崛起的断态临界速率
电压
上升电压的临界速度
电流换向
V
T
= 2.2 V
I
F
=额定我
FT
V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
PF = 1.0，我
T
= 300毫安
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 80 °C
对国家崛起的临界速度
热阻，结到
环境
I
F
= I
FT1
, V
DRM
测试条件
I
D（ RMS）
= 70
A
V
D
= V
DRM
, T
AMB
= 100 °C,
I
F
= 0毫安
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ，V
T（ RMS ）
= 1.7 V
F = 50赫兹
符号
V
D（ RMS）
V
DRM
I
D（ RMS）
V
TM
I
TM
I
TSM
I
FT1
/T
j
I
FT2
/T
j
V
DINH
/T
j
I
DINH
I
H
I
L
V
IH
t
on
t
关闭
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
R
thJA
10000
5000
10000
5000
8.0
125
7.0
7.0
-20
50
65
5.0
15
35
50
25
200
500
民
424
600
10
1.7
100
3.0
300
3.0
14
14
典型值。
460
最大
单位
V
V
A
V
mA
A
μA / K
μA / K
毫伏/ K
A
A
mA
V
s
s
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / μs的
K / W
重复峰值断态电压I
DRM
= 100
A
文档编号83690
修订版1.4 10 -JAN- 05
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3
BRT21 /二十三分之二十二
威世半导体
耦合器
参数
耦合临界上升率
输入/输出电压
共模耦合
电容
电容（输入输出）
绝缘电阻
F = 1.0兆赫，V
IO
= 0 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
触发电流
V
D
= 5.0 V，F - 版本
V
D
= 5.0 V ，H - 版本
V
D
= 5.0 V，M - 版本
测试条件
I
T
= 0 ，V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
符号
dv
IO
/ DT
C
CM
C
IO
R
is
R
is
I
FT
I
FT
I
FT
民
典型值。
10000
0.01
0.8
≥
10
12
≥
10
11
1.2
2.0
3.0
最大
单位
V / μs的
pF
pF
mA
mA
mA
功率因数注意事项
杜绝虚假操作的缓冲是没有必要
因为高静和的COM的TRIAC激励器
突变的dv / dt与1.0至0.8功率负载
因素。当感性负载，功率因数少
超过0.8正在推动，包括RC缓冲或
直接在器件单个电容器受潮
峰换向dv / dt的峰值。通常一个COM
变异的dv / dt会导致一个关断器件留在
由于所存储的能量留在关断
装置。
但在零电压交叉optotriac的情况下，
换向dv / dt的峰值能抑制一半
可控硅的导通。如果秒杀潜力
超过的零交叉检测的禁止电压
电路，半双向晶闸管将heldoff和不开启
上。此保持关闭状态可以通过使用被消除
一个缓冲电容或直接穿过放置
optotriac如示于图1。注意的值
电容随着负载的函数的电流
租。
在保持关闭状态也可以通过亲被淘汰
人们提供的LED驱动电流的更高的水平。较高
LED驱动器提供了更大的光电流而
使光电晶体管来接通的COM前
变异穗启动了零交叉网络。
图2示出了LED驱动器的关系
小于1.0的功率因数。该曲线表明
如果一个设备需要1.5毫安的电阻负载，则
的1.8倍2.7毫安），该量将需要
控制感性负载的功率因数小于
大于0.3 。
1
CS （ μF ） = 0.0032 （ μF ） * 10 ^ （ 0.0066IL （MA ）
CS - 并联电容 -
F
.1
.01
TA = 25 ° C， PF = 0.3
IF = 2.0毫安
.001
0
iil410_01
50
100
150
200
250
300
350
400
IL - 负载电流 - 电流（有效值）
图1.并联电容与负载电流
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