日前，Vishay
BRT11 / 12月13日
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出
特点
I
真有效值
= 300毫安
高静压的dV
CRQ
/ DT <万V / μs的
输入和输出之间的电绝缘税务局局长
CUIT
微机兼容 - 非常低的触发
当前
非零电压检测器输入灵敏度高
A 1
C 2
NC 3
6 MT2
5 NC
4 MT1
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码为J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
i179041
订购信息
部分
BRT11-H
BRT12-H
BRT13-H
BRT11-M
BRT12-M
BRT13-M
备注
400 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， DIP - 6
600 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， DIP - 6
800 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， DIP - 6
400 V V
DRM
， 3毫安我
FT
， DIP - 6
600 V V
DRM
， 3毫安我
FT
， DIP - 6
800 V V
DRM
， 3毫安我
FT
， DIP - 6
600 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
600 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， SMD - 6 （选项7 ）
600 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， SMD - 6 （选件9 ）
800 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
800 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， SMD - 6 （选项7 ）
800 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， SMD - 6 （选件9 ）
600 V V
DRM
， 3毫安我
FT
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
应用
工业控制
FFI CE设备
消费类电子产品
描述
该BRT11 / 12月13日为交流光耦合器非零电压
年龄检测器包括两个电绝缘
横向功率集成电路其集成了晶闸管系统中，
在输出光检测器和噪声抑制
和IR砷化镓二极管的输入。
BRT12-H-X006
BRT12-H-X007
BRT12-H-X009
BRT13-H-X006
BRT13-H-X007
BRT13-H-X009
BRT12-M-X006
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83689
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
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1
BRT11 / 12月13日
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向连续电流
正向电流浪涌
功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6
20
1.5
30
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
重复峰值断态电压
测试条件
部分
BRT11
BRT12
BRT13
RMS通态电流
单周期浪涌电流
功耗
50赫兹
符号
V
DRM
V
DRM
V
DRM
I
真有效值
I
TSM
P
DISS
价值
400
600
800
300
3
600
单位
V
V
V
mA
A
mW
耦合器
参数
马克斯。功耗
环境温度
储存温度
绝缘测试电压
1)
输入/输出电路之间
（气候ACC 。符合DIN 40046 ，
第2部分11月74）
参考电压ACC 。同
VDE 0110 B
参考电压ACC 。同
VDE 0110 B（C保温组）
漏电电阻（符合。
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，
第1部分）
绝缘电阻
（ IIIa族符合DIN VDE
0109)
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 ° C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 ° C
DIN湿度类别，
DIN 40 040
爬电距离
（输入/输出电路）
清除率（输入/输出电路）
1)
测试条件
符号
P
合计
T
AMB
T
英镑
V
ISO
价值
630
- 40至+ 100
- 40 + 150
5300
单位
mW
°C
°C
V
RMS
V
REF
V
REF
CTI
500
600
175
V
RMS
V
DC
R
IO
R
IO
≥
10
12
≥
10
11
F
≥
7.2
≥
7.2
mm
mm
测试交流电压的累计。符合DIN 57883 ， 1980年6月
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2
文档编号83689
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
日前，Vishay
电气特性
BRT11 / 12月13日
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
热阻
2)
结 - 环境
2)
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6 V
符号
V
F
I
R
R
thJA
民
典型值。
1.1
最大
1.35
10
750
单位
V
A
° C / W
静气， SITAC焊接在PCB或底板。
产量
参数
崛起的断态临界速率
电压
上升电压的临界速度
电流换向
测试条件
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS
对国家崛起的临界速度
当前
脉冲电流
通态电压
FF-态电流
保持电流
热阻
2)
结 -
环境
2)
符号
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
民
10
5
10
5
8
典型值。
最大
单位
KV / μs的
KV / μs的
KV / μs的
KV / μs的
A / μs的
t
p
≤
5
s,
f 0的100赫兹，
dI
tp
/ DT
≤
8 A / μs的
I
T
= 300毫安
T
C
= 80℃ ，V
DRM
V
D
= 10 V
R
thJA
I
tp
V
T
I
D
I
H
R
thJA
0.5
80
2
2.3
100
500
125
A
V
A
A
° C / W
静气， SITAC焊接在PCB或底板。
耦合器
参数
触发电流
触发电流温度
梯度
电容（输入输出）
V
R
= 0 V ， F = 1千赫
测试条件
V
D
= 10 V ，H - 版本
V
D
= 10 V，M - 版本
符号
I
FT
I
FT
I
FT
/T
j
C
IO
民
0.4
0.8
7
典型值。
最大
2
3
14
2
单位
mA
mA
μA /°C的
pF
文档编号83689
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
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3
BRT11 / 12月13日
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
日前，Vishay
t
gd
= F（我
F
/I
FT25°C
)
V
D
=200V
IFTN = F（ tpIF ）
IFTN归为参照IFT
到tpIF
≥
1 m
VOP = 220V ， F = 4 0 ... 60赫兹（典型值） 。
17239
17242
图。 1典型的触发延迟时间
图。 4脉冲触发电流
P
TOT = （I
真有效值
)
I
F
=
(
V
F
)
17240
17243
图。 2功耗40到60 Hz线路运行
图。 5典型的输入特性
I
D
= F （T
j
)
V
D
=800V
I
T
=
(
V
T
)
17241
17244
图。 3典型的断态电流
图。 6典型的输出特性
www.vishay.com
4
文档编号83689
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
日前，Vishay
BRT11 / 12月13日
威世半导体
ITRMS =
（ TA ）
RthJA = 125 K / W 3 ）
I
真有效值
=
(
T
PIN5
)
RthJ - PIN5 = 16,5 K / W 4 ）
17245
17246
图。 7电流减少
图。 8电流减少
包装尺寸以英寸（毫米）
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
2
1
引脚1号
ISO方法A
4
5
6
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
.048 (1.22)
.052 (1.32)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
18°
0.033 （ 0.84 ）典型值。
0.033 （ 0.84 ）典型值。
.100 （ 2.54 ），典型值
3°–9°
.008 (.20)
.012 (.30)
.300–.347
(7.62–8.81)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.300 (7.62)
典型值。
4°
典型值。
.018 (0.46)
.020 (0.51)
i178014
文档编号83689
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
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5
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BRT11 / 12月13日
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出
特点
I
真有效值
= 300毫安
高静压的dV
CRQ
/ DT <万V / μs的
输入和输出之间的电绝缘税务局局长
CUIT
微机兼容 - 非常低的触发
当前
非零电压检测器输入灵敏度高
A 1
C 2
NC 3
6 MT2
5 NC
4 MT1
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码为J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
i179041
订购信息
部分
BRT11-H
BRT12-H
BRT13-H
BRT11-M
BRT12-M
BRT13-M
备注
400 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， DIP - 6
600 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， DIP - 6
800 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， DIP - 6
400 V V
DRM
， 3毫安我
FT
， DIP - 6
600 V V
DRM
， 3毫安我
FT
， DIP - 6
800 V V
DRM
， 3毫安我
FT
， DIP - 6
600 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
600 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， SMD - 6 （选项7 ）
600 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， SMD - 6 （选件9 ）
800 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
800 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， SMD - 6 （选项7 ）
800 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， SMD - 6 （选件9 ）
600 V V
DRM
， 3毫安我
FT
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
应用
工业控制
FFI CE设备
消费类电子产品
描述
该BRT11 / 12月13日为交流光耦合器非零电压
年龄检测器包括两个电绝缘
横向功率集成电路其集成了晶闸管系统中，
在输出光检测器和噪声抑制
和IR砷化镓二极管的输入。
BRT12-H-X006
BRT12-H-X007
BRT12-H-X009
BRT13-H-X006
BRT13-H-X007
BRT13-H-X009
BRT12-M-X006
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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1
BRT11 / 12月13日
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向连续电流
正向电流浪涌
功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6
20
1.5
30
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
重复峰值断态电压
测试条件
部分
BRT11
BRT12
BRT13
RMS通态电流
单周期浪涌电流
功耗
50赫兹
符号
V
DRM
V
DRM
V
DRM
I
真有效值
I
TSM
P
DISS
价值
400
600
800
300
3
600
单位
V
V
V
mA
A
mW
耦合器
参数
马克斯。功耗
环境温度
储存温度
绝缘测试电压
1)
输入/输出电路之间
（气候ACC 。符合DIN 40046 ，
第2部分11月74）
参考电压ACC 。同
VDE 0110 B
参考电压ACC 。同
VDE 0110 B（C保温组）
漏电电阻（符合。
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，
第1部分）
绝缘电阻
（ IIIa族符合DIN VDE
0109)
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 ° C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 ° C
DIN湿度类别，
DIN 40 040
爬电距离
（输入/输出电路）
清除率（输入/输出电路）
1)
测试条件
符号
P
合计
T
AMB
T
英镑
V
ISO
价值
630
- 40至+ 100
- 40 + 150
5300
单位
mW
°C
°C
V
RMS
V
REF
V
REF
CTI
500
600
175
V
RMS
V
DC
R
IO
R
IO
≥
10
12
≥
10
11
F
≥
7.2
≥
7.2
mm
mm
测试交流电压的累计。符合DIN 57883 ， 1980年6月
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2
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电气特性
BRT11 / 12月13日
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
热阻
2)
结 - 环境
2)
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6 V
符号
V
F
I
R
R
thJA
民
典型值。
1.1
最大
1.35
10
750
单位
V
A
° C / W
静气， SITAC焊接在PCB或底板。
产量
参数
崛起的断态临界速率
电压
上升电压的临界速度
电流换向
测试条件
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS
对国家崛起的临界速度
当前
脉冲电流
通态电压
FF-态电流
保持电流
热阻
2)
结 -
环境
2)
符号
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
民
10
5
10
5
8
典型值。
最大
单位
KV / μs的
KV / μs的
KV / μs的
KV / μs的
A / μs的
t
p
≤
5
s,
f 0的100赫兹，
dI
tp
/ DT
≤
8 A / μs的
I
T
= 300毫安
T
C
= 80℃ ，V
DRM
V
D
= 10 V
R
thJA
I
tp
V
T
I
D
I
H
R
thJA
0.5
80
2
2.3
100
500
125
A
V
A
A
° C / W
静气， SITAC焊接在PCB或底板。
耦合器
参数
触发电流
触发电流温度
梯度
电容（输入输出）
V
R
= 0 V ， F = 1千赫
测试条件
V
D
= 10 V ，H - 版本
V
D
= 10 V，M - 版本
符号
I
FT
I
FT
I
FT
/T
j
C
IO
民
0.4
0.8
7
典型值。
最大
2
3
14
2
单位
mA
mA
μA /°C的
pF
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修订版1.4 ， 26 -APR- 04
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BRT11 / 12月13日
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
日前，Vishay
t
gd
= F（我
F
/I
FT25°C
)
V
D
=200V
IFTN = F（ tpIF ）
IFTN归为参照IFT
到tpIF
≥
1 m
VOP = 220V ， F = 4 0 ... 60赫兹（典型值） 。
17239
17242
图。 1典型的触发延迟时间
图。 4脉冲触发电流
P
TOT = （I
真有效值
)
I
F
=
(
V
F
)
17240
17243
图。 2功耗40到60 Hz线路运行
图。 5典型的输入特性
I
D
= F （T
j
)
V
D
=800V
I
T
=
(
V
T
)
17241
17244
图。 3典型的断态电流
图。 6典型的输出特性
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4
文档编号83689
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
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BRT11 / 12月13日
威世半导体
ITRMS =
（ TA ）
RthJA = 125 K / W 3 ）
I
真有效值
=
(
T
PIN5
)
RthJ - PIN5 = 16,5 K / W 4 ）
17245
17246
图。 7电流减少
图。 8电流减少
包装尺寸以英寸（毫米）
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
2
1
引脚1号
ISO方法A
4
5
6
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
.048 (1.22)
.052 (1.32)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
18°
0.033 （ 0.84 ）典型值。
0.033 （ 0.84 ）典型值。
.100 （ 2.54 ），典型值
3°–9°
.008 (.20)
.012 (.30)
.300–.347
(7.62–8.81)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.300 (7.62)
典型值。
4°
典型值。
.018 (0.46)
.020 (0.51)
i178014
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BRT11 / 12月13日
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出
特点
I
真有效值
= 300毫安
高静压的dV
CRQ
/ DT <万V / μs的
输入和输出之间的电绝缘税务局局长
CUIT
微机兼容 - 非常低的触发
当前
非零电压检测器输入灵敏度高
A 1
C 2
NC 3
6 MT2
5 NC
4 MT1
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码为J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
i179041
订购信息
部分
BRT11-H
BRT12-H
BRT13-H
BRT11-M
BRT12-M
BRT13-M
备注
400 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， DIP - 6
600 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， DIP - 6
800 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， DIP - 6
400 V V
DRM
， 3毫安我
FT
， DIP - 6
600 V V
DRM
， 3毫安我
FT
， DIP - 6
800 V V
DRM
， 3毫安我
FT
， DIP - 6
600 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
600 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， SMD - 6 （选项7 ）
600 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， SMD - 6 （选件9 ）
800 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
800 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， SMD - 6 （选项7 ）
800 V V
DRM
， 2毫安我
FT
， SMD - 6 （选件9 ）
600 V V
DRM
， 3毫安我
FT
， DIP - 6 400万
（选项6 ）
应用
工业控制
FFI CE设备
消费类电子产品
描述
该BRT11 / 12月13日为交流光耦合器非零电压
年龄检测器包括两个电绝缘
横向功率集成电路其集成了晶闸管系统中，
在输出光检测器和噪声抑制
和IR砷化镓二极管的输入。
BRT12-H-X006
BRT12-H-X007
BRT12-H-X009
BRT13-H-X006
BRT13-H-X007
BRT13-H-X009
BRT12-M-X006
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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1
BRT11 / 12月13日
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向连续电流
正向电流浪涌
功耗
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6
20
1.5
30
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
重复峰值断态电压
测试条件
部分
BRT11
BRT12
BRT13
RMS通态电流
单周期浪涌电流
功耗
50赫兹
符号
V
DRM
V
DRM
V
DRM
I
真有效值
I
TSM
P
DISS
价值
400
600
800
300
3
600
单位
V
V
V
mA
A
mW
耦合器
参数
马克斯。功耗
环境温度
储存温度
绝缘测试电压
1)
输入/输出电路之间
（气候ACC 。符合DIN 40046 ，
第2部分11月74）
参考电压ACC 。同
VDE 0110 B
参考电压ACC 。同
VDE 0110 B（C保温组）
漏电电阻（符合。
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，
第1部分）
绝缘电阻
（ IIIa族符合DIN VDE
0109)
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 ° C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 ° C
DIN湿度类别，
DIN 40 040
爬电距离
（输入/输出电路）
清除率（输入/输出电路）
1)
测试条件
符号
P
合计
T
AMB
T
英镑
V
ISO
价值
630
- 40至+ 100
- 40 + 150
5300
单位
mW
°C
°C
V
RMS
V
REF
V
REF
CTI
500
600
175
V
RMS
V
DC
R
IO
R
IO
≥
10
12
≥
10
11
F
≥
7.2
≥
7.2
mm
mm
测试交流电压的累计。符合DIN 57883 ， 1980年6月
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日前，Vishay
电气特性
BRT11 / 12月13日
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
热阻
2)
结 - 环境
2)
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6 V
符号
V
F
I
R
R
thJA
民
典型值。
1.1
最大
1.35
10
750
单位
V
A
° C / W
静气， SITAC焊接在PCB或底板。
产量
参数
崛起的断态临界速率
电压
上升电压的临界速度
电流换向
测试条件
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS
对国家崛起的临界速度
当前
脉冲电流
通态电压
FF-态电流
保持电流
热阻
2)
结 -
环境
2)
符号
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
民
10
5
10
5
8
典型值。
最大
单位
KV / μs的
KV / μs的
KV / μs的
KV / μs的
A / μs的
t
p
≤
5
s,
f 0的100赫兹，
dI
tp
/ DT
≤
8 A / μs的
I
T
= 300毫安
T
C
= 80℃ ，V
DRM
V
D
= 10 V
R
thJA
I
tp
V
T
I
D
I
H
R
thJA
0.5
80
2
2.3
100
500
125
A
V
A
A
° C / W
静气， SITAC焊接在PCB或底板。
耦合器
参数
触发电流
触发电流温度
梯度
电容（输入输出）
V
R
= 0 V ， F = 1千赫
测试条件
V
D
= 10 V ，H - 版本
V
D
= 10 V，M - 版本
符号
I
FT
I
FT
I
FT
/T
j
C
IO
民
0.4
0.8
7
典型值。
最大
2
3
14
2
单位
mA
mA
μA /°C的
pF
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3
BRT11 / 12月13日
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
日前，Vishay
t
gd
= F（我
F
/I
FT25°C
)
V
D
=200V
IFTN = F（ tpIF ）
IFTN归为参照IFT
到tpIF
≥
1 m
VOP = 220V ， F = 4 0 ... 60赫兹（典型值） 。
17239
17242
图。 1典型的触发延迟时间
图。 4脉冲触发电流
P
TOT = （I
真有效值
)
I
F
=
(
V
F
)
17240
17243
图。 2功耗40到60 Hz线路运行
图。 5典型的输入特性
I
D
= F （T
j
)
V
D
=800V
I
T
=
(
V
T
)
17241
17244
图。 3典型的断态电流
图。 6典型的输出特性
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4
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BRT11 / 12月13日
威世半导体
ITRMS =
（ TA ）
RthJA = 125 K / W 3 ）
I
真有效值
=
(
T
PIN5
)
RthJ - PIN5 = 16,5 K / W 4 ）
17245
17246
图。 7电流减少
图。 8电流减少
包装尺寸以英寸（毫米）
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
2
1
引脚1号
ISO方法A
4
5
6
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
.048 (1.22)
.052 (1.32)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
18°
0.033 （ 0.84 ）典型值。
0.033 （ 0.84 ）典型值。
.100 （ 2.54 ），典型值
3°–9°
.008 (.20)
.012 (.30)
.300–.347
(7.62–8.81)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.300 (7.62)
典型值。
4°
典型值。
.018 (0.46)
.020 (0.51)
i178014
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