存储器IC
4096位串行电可擦除PROM
BR93LC66 / BR93LC66F / BR93LC66RF / BR93LC66FV
特点CMOS技术
低功耗
256
×
16位配置
= 2.7V至5.5V工作电压
低功耗
- 3毫安有功电流：5V （最大）
（最大值） - 5μA待机电流： 5V
自动增量高效的数据凸点
- 自动擦除前写
硬件和软件写保护
- 默认在开机时为写禁止状态
- 软件设置为写使能/禁用
- Vcc的锁定无意写保护
8引脚SOP / 8引脚SSOP -B / 8引脚DIP封装
在写周期设备状态信号
TTL兼容的输入/输出
100,000次擦除/写周期
- 数据保存10年
引脚分配
CS
SK
DI
1
2
3
8
7
6
5
V
CC
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GND
NC 1
V
CC
2
CS 3
SK
4
8
7
北卡罗来纳州
GND
DO
DI
BR93LC66 /
BR93LC66RF
BR93LC66F /
BR93LC66FV
6
5
做4
引脚说明
针
名字
CS
SK
DI
DO
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
CC
片选输入
串行时钟输入
起始位，操作码，地址和序列
数据输入
串行数据输出， READY / BUSY内部
状态显示输出
地
没有连接
没有连接
电源
功能
概述系列为CMOS串行输入/输出型存储器电路（ EEPROM的），其可以被编程
该BR93LC66
电。每个配置256个字
×
16位（ 4096位），每个字都可以单独地访问和
从它读取和写入其中的数据。
使用五种类型的命令进行动作控制。命令，地址和数据被输入
通过将CS和SK管脚的控制下DI引脚。在写操作中，内部状态信号（ READY或
BUSY ）可以从DO引脚输出。
1
存储器IC
BR93LC66 / BR93LC66F / BR93LC66RF / BR93LC66FV
框图
电源
CS
命令代码
电压检测器
控制
高压
写禁止
发电机
SK
时钟发生器
地址
命令
地址
8bit
卜FF器
解码器
DI
8bit
4096bit
注册
数据
读/写
EEPROM阵列
16bit
16bit
注册
扩音器
DO
虚位
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
参数
施加的电压
BR93LC66
动力
散热BR93LC66F / RF
BR93LC66FV
储存温度
工作温度
端电压
Pd
符号
V
CC
范围
– 0.3 ~ + 6.5
500
1
350
2
300
3
TSTG
TOPR
—
– 65 ~ + 125
– 40 ~ + 85
– 0.3 ~ V
CC
+ 0.3
°C
°C
V
mW
单位
V
1降低5.0mW超过25 ℃，每升高1 ℃，钽。
2减少了3.5MW超过25 ℃，每升高1 ℃，钽。
3减少3.0MW超过25℃每上升1℃的Ta 。
推荐工作条件（ TA = 25 ° C）
参数
电源
电压
输入电压
写作
阅读
符号
V
CC
V
IN
分钟。
2.7
2.0
0
典型值。
—
—
—
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
单位
V
V
V
2
存储器IC
BR93LC66 / BR93LC66F / BR93LC66RF / BR93LC66FV
CC
电特性（除非另有说明，钽= - 4085 ℃， V
参数
输入低电平电压
输入高电平电压
输出低电平电压1
输出高电平电压1
输出低电平电压2
输出高电平电压2
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
耗散1
工作电流
消耗2
待机电流
符号
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
SB
分钟。
– 0.3
2.0
—
2.4
—
典型值。
—
马克斯。
0.8
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
— V
CC
+ 0.3
—
—
—
0.4
—
0.2
—
1.0
1.0
3
1.5
5
= 5V ± 10%)
条件
—
—
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= - 0.4毫安
I
OL
= 10A
I
OH
= – 10A
V
IN
= 0V ~ V
CC
V
OUT
= 0V ~ V
CC
， CS = GND
V
IN
= V
IH
/ V
IL
， DO = OPEN ， FSK = 1MHz时，写
V
IN
= V
IH
/ V
IL
， DO = OPEN ， FSK = 1MHz时， READ
CS = SK = DI = GND ， DO = OPEN
V
CC
– 0.4 —
– 1.0
– 1.0
—
—
—
—
—
1.5
0.7
1.0
（除非另有说明，钽= - 4085 ℃， V
CC
= 3V ± 10%)
参数
输入低电平电压
输入高电平电压
输出低电平电压
输出高电平电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
耗散1
工作电流
消耗2
待机电流
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
SB
分钟。
– 0.3
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
I
OL
= 10A
I
OH
= – 10A
条件
—
—
— 0.15
×
V
CC
V
CC
+ 0.3
0.2
—
1.0
1.0
2
1
3
0.7
×
V
CC
—
—
—
V
CC
– 0.4 —
– 1.0
– 1.0
—
—
—
—
—
0.5
0.2
0.4
A
V
IN
= 0V ~ V
CC
A
V
OUT
= 0V ~ V
CC
， CS = GND
毫安V
IN
= V
IH
/ V
IL
， DO = OPEN ， FSK = 250kHz的，写
毫安V
IN
= V
IH
/ V
IL
， DO = OPEN ， FSK = 250kHz的， READ
A
CS = SK = DI = GND ， DO = OPEN
电特性（除非另有说明，钽= - 4085 ℃， V
参数
输入低电平电压
输入高电平电压
输出低电平电压
输出高电平电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
消耗2
待机电流
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
CC2
I
SB
分钟。
– 0.3
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
A
— 0.15
×
V
CC
0.7
×
V
CC
— V
CC
+ 0.3
—
—
0.2
—
1.0
1.0
1
3
CC
= 2.0V)
条件
—
—
I
OL
= 10A
I
OH
= – 10A
V
IN
= 0V ~ V
CC
V
OUT
= 0V ~ V
CC
， CS = 0V
V
IN
= V
IH
/ V
IL
， DO = OPEN ， FSK = 200kHz的，
读
CS = SK = DI = 0V ， DO = OPEN
V
CC
– 0.4 —
– 1.0
– 1.0
—
—
—
—
0.2
0.4
3
存储器IC
BR93LC66 / BR93LC66F / BR93LC66RF / BR93LC66FV
电路工作原理
（ 1 ）命令模式
有了这些IC ，命令不可
开始工作
地址
数据
命令
CODE
位
认可或采取行动之前，
起始位被接收。起始位
1
10
A7 ~ A0
—
读（ READ ）
1
取接收到的第一个“1”的
1
00
11XXXXXX
—
写使能（ WEN ）
在CS引脚上升。
1
01
A7 ~ A0
D15 ~ D0
写（ WRITE）
2
1
读命令的设置后
1
00
01XXXXXX D15 D0
写入所有地址（ WRAL ）
2
和SK信号的输入，数据corre-
1
00
00XXXXXX
—
写禁止（ WDS ）
应的指定的地址
1
11
A7 ~ A0
—
输出，具有数据对应于向上
擦除（ ERASE ）
3
每个地址，然后输出SE-
1
00
10XXXXXX
—
芯片擦除（ ERAL ）
3
quence 。 （自动增量功能）
X：要么V
IH
或V
IL
2
当写或写所有的寻址
西文执行命令时，在被选中的存储单元中的所有数据被自动删除，并且将输入数据写入
的细胞。
3
这些模式是可选的模式。请联系罗门哈斯有关操作的定时信息。
（ 2 ）操作时序特性
（除非另有说明，钽= - 4085 ℃， V
CC
= 5V ± 10%)
参数
SK时钟频率
SK "H"时间
SK "L"时间
CS "L"时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
数据"1"输出延迟时间
数据"0"输出延迟时间
时间从CS到输出确认
时间从CS到输出高阻抗
写周期时间
符号
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
t
东/西
分钟。
—
450
450
450
50
100
0
100
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
1
—
—
—
—
—
—
—
500
500
500
100
10
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
4
存储器IC
BR93LC66 / BR93LC66F / BR93LC66RF / BR93LC66FV
用于低电压操作（除非另有说明，钽= - 4085 ℃， V
CC
= 3V ± 10%)
参数
SK时钟频率
SK "H"时间
SK "L"时间
CS "L"时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
数据"1"输出延迟时间
数据"0"输出延迟时间
时间从CS到输出确认
时间从CS到输出高阻抗
写周期时间
符号
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
t
东/西
分钟。
—
1
1
1
200
400
0
400
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
250
—
—
—
—
—
—
—
2
2
2
400
25
单位
千赫
s
s
s
ns
ns
ns
ns
s
s
s
ns
ms
当在低电压读出（除非另有说明，钽= - 4085 ℃， V
CC
= 2.0V)
参数
SK时钟频率
SK "H"时间
SK "L"时间
CS "L"时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
数据"1"输出延迟时间
数据"0"输出延迟时间
时间从CS到输出高阻抗
不是设计为耐辐射性。
符号
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
DF
分钟。
—
2
2
2
400
800
0
800
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
200
—
—
—
—
—
—
—
4
4
800
单位
千赫
s
s
s
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
5
QQ：2881677436 复制
