存储器IC
2048位串行电可擦除PROM
BR93LC56 / BR93LC56F / BR93LC56RF / BR93LC56FV
特点CMOS技术
低功耗
128
×
16位配置
= 2.7V至5.5V工作电压
低功耗
- 3毫安有功电流：5V （最大）
（最大值） - 5μA待机电流： 5V
自动增量高效的数据凸点
- 自动擦除前写
硬件和软件写保护
- 默认在开机时为写禁止状态
- 软件设置为写使能/禁用
- Vcc的锁定无意写保护
8引脚SOP / 8引脚SSOP -B / 8引脚DIP封装
在写周期设备状态信号
TTL兼容的输入/输出
100,000次擦除/写周期
- 数据保存10年
引脚分配
CS 1
SK 2
DI
3
8 V
CC
7北卡罗来纳州
北卡罗来纳州1
V
CC
2
CS
SK
3
4
8
7
6
5
北卡罗来纳州
GND
DO
DI
BR93LC56 /
BR93LC56RF
6北卡罗来纳州
5 GND
BR93LC56F /
BR93LC56FV
做4
引脚说明
针
名字
CS
SK
DI
DO
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
CC
片选输入
串行时钟输入
起始位，操作码，地址和序列
数据输入
串行数据输出， READY / BUSY内部
状态显示输出
地
没有连接
没有连接
电源
功能
概述是CMOS串行输入/输出型存储器电路（ EEPROM的）可电编程。
该BR93LC56
每个被配置的128个字
×
16位（ 2048位） ，并且每个字都可以单独地访问和数据读
从它与写入其中。
使用五种类型的命令进行动作控制。命令，地址和数据被输入
通过将CS和SK管脚的控制下DI引脚。在写操作中，内部状态信号（ READY或
BUSY ）可以从DO引脚输出。
该BR93LC56 / F /射频/ FV之间的唯一差别是写禁止电压和它的伴随的写
使能电压。所有其它的功能和特性相同。
1
存储器IC
BR93LC56 / BR93LC56F / BR93LC56RF / BR93LC56FV
框图
电源
CS
命令解码
控制
时钟发生器
写
电压检测器
高压
发电机
SK
关闭
地址
命令
7bit
卜FF器
地址
解码器
7bit
2,048-bit
DI
注册
数据
16bit
注册
扩音器
读/写
16bit
EEPROM阵列
DO
虚位
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
参数
施加的电压
BR93LC56
动力
BR93LC56F / RF
耗散
BR93LC56FV
储存温度
工作温度
端电压
符号
V
CC
范围
– 0.3 ~ + 6.5
500
1
Pd
350
2
300
3
TSTG
TOPR
—
– 65 ~ + 125
– 40 ~ + 85
– 0.3 ~ V
CC
+ 0.3
°C
°C
V
mW
单位
V
1降低5.0mW超过25 ℃，每升高1 ℃，钽。
2减少了3.5MW超过25 ℃，每升高1 ℃，钽。
3减少3.0MW超过25℃每上升1℃的Ta 。
推荐工作条件（ TA = 25 ° C）
参数
电源
电压
输入电压
写作
阅读
V
IN
符号
V
CC
分钟。
2.7
2.0
0
典型值。
—
—
—
马克斯。
5.5
5.5
V
CC
单位
V
V
V
2
存储器IC
BR93LC56 / BR93LC56F / BR93LC56RF / BR93LC56FV
CC
电特性（除非另有说明，钽= - 40 + 85° C，V
参数
输入低电平电压
输入高电平电压
输出低电平电压1
输出高电平电压1
输出低电平电压2
输出高电平电压2
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
耗散1
工作电流
消耗2
待机电流
I
CC2
I
SB
—
—
0.7
1.0
1.5
5
mA
A
符号
V
IL
V
IH
V
OL1
V
OH1
V
OL2
V
OH2
I
LI
I
LO
I
CC1
分钟。
– 0.3
2.0
—
2.4
—
V
CC
– 0.4
– 1.0
– 1.0
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
马克斯。
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
—
0.2
—
1.0
1.0
3
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
= 5V ± 10%)
条件
—
—
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= - 0.4毫安
I
OL
= 10A
I
OH
= – 10A
V
IN
= 0V ~ V
CC
V
OUT
= 0V ~ V
CC
， CS = GND
V
IN
= V
IH
/ V
IL
， DO = OPEN
F = 1MHz时，写
V
IN
= V
IH
/ V
IL
， DO = OPEN
F = 1MHz时， READ
CS = SK = DI = GND ， DO = OPEN
（除非另有说明，钽= - 40 + 85° C，V
CC
= 3V ± 10%)
参数
输入低电平电压
输入高电平电压
输出低电平电压
输出高电平电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
耗散1
工作电流
消耗2
待机电流
I
SB
—
0.4
3
A
I
CC2
—
0.2
1
mA
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
CC1
分钟。
– 0.3
0.7
×
V
CC
—
V
CC
– 0.4
– 1.0
– 1.0
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
0.5
马克斯。
0.15
×
V
CC
V
CC
+ 0.3
0.2
—
1.0
1.0
2
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
OL
= 10A
I
OH
= – 10A
V
IN
= 0V ~ V
CC
V
OUT
= 0V ~ V
CC
， CS = GND
V
IN
= V
IH
/ V
IL
， DO = OPEN ，
F = 250kHz的，写
V
IN
= V
IH
/ V
IL
， DO = OPEN ，
F = 250kHz的读
CS = SK = DI = GND ， DO = OPEN
CC
条件
—
—
电特性（除非另有说明，钽= - 40 + 85° C，V
参数
输入低电平电压
输入高电平电压
输出低电平电压
输出高电平电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
消耗2
待机电流
I
CC2
I
SB
—
—
0.2
0.4
1
3
mA
A
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
分钟。
– 0.3
0.7
×
V
CC
—
V
CC
– 0.4
– 1.0
– 1.0
典型值。
—
—
—
—
—
—
马克斯。
0.15
×
V
CC
V
CC
+ 0.3
0.2
—
1.0
1.0
单位
V
V
V
V
A
A
= 2.0V ± 10%)
条件
—
—
I
OL
= 10A
I
OH
= – 10A
V
IN
= 0V ~ V
CC
V
OUT
= 0V ~ V
CC
， CS = 0V
V
IN
= V
IH
/ V
IL
， DO = OPEN
F = 200kHz的读
CS = SK = DI = 0V ， DO = OPEN
3
存储器IC
BR93LC56 / BR93LC56F / BR93LC56RF / BR93LC56FV
命令
开始工作
CODE
位
地址
电路工作原理
（ 1 ）命令模式
数据
有了这些IC ，命令不会市盈率
1
10
—
0A6 ~ A0
读（ READ ）
1
ognized或采取行动，直到起始位
1
00
—
11XXXXXX
写使能（ WEN ）
被接收。起始位被取为
1
01
0A6 A0 D15 D0
写（ WRITE）
2
第一个“1 ”，也就是之后的CS引脚接收
1
00
01XXXXXX D15 D0
写的所有地址（ WRAL ）
2
上升。
1
读命令的设置后
1
00
—
00XXXXXX
写禁止（ WDS ）
和SK信号的输入，数据corre-
1
11
—
0A6 ~ A0
擦除（ ERASE ）
3
应的指定的地址
1
00
—
10XXXXXX
芯片擦除（ ERAL ）
3
输出，具有数据对应于向上
X：要么V
IH
或V
IL
每个地址，然后输出SE-
quence 。 （自动增量功能）
2
当写或写命令被执行的所有地址，在所选择的存储器单元中的所有数据被擦除自动
matically ，并且输入的数据被写入到该单元格。
3
这些模式是可选的模式。请联系罗门哈斯有关操作的定时信息。
（ 2 ）操作时序特性
（除非另有说明，钽= - 40 + 85° C，V
CC
= 5V ± 10%)
参数
SK时钟频率
SK "H"时间
SK "L"时间
CS "L"时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
数据"1"输出延迟时间
数据"0"输出延迟时间
时间从CS到输出确认
时间从CS到输出高阻抗
写周期时间
符号
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
t
东/西
分钟。
—
450
450
450
50
100
0
100
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
1
—
—
—
—
—
—
—
500
500
500
100
10
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
4
存储器IC
BR93LC56 / BR93LC56F / BR93LC56RF / BR93LC56FV
用于低电压操作（除非另有说明，钽= - 40 + 85° C，V
CC
= 3V ± 10%)
参数
SK时钟频率
SK "H"时间
SK "L"时间
CS "L"时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
数据"1"输出延迟时间
数据"0"输出延迟时间
时间从CS到输出确认
时间从CS到输出高阻抗
写周期时间
符号
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
SV
t
DF
t
东/西
分钟。
—
1
1
1
200
400
0
400
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
250
—
—
—
—
—
—
—
2
2
2
400
25
单位
千赫
s
s
s
ns
ns
ns
ns
s
s
s
ns
ms
当在低电压读出（除非另有说明，钽= - 40 + 85° C，V
CC
= 2.0V)
参数
SK时钟频率
SK "H"时间
SK "L"时间
CS "L"时间
CS建立时间
DI建立时间
CS保持时间
DI保持时间
数据"1"输出延迟时间
数据"0"输出延迟时间
时间从CS到输出高阻抗
不适合的放射性射线。
符号
f
SK
t
圣公会
t
SKL
t
CS
t
CSS
t
DIS
t
CSH
t
DIH
t
PD1
t
PD0
t
DF
分钟。
—
2
2
2
400
800
0
800
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
200
—
—
—
—
—
—
—
4
4
800
单位
千赫
s
s
s
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
5
QQ：2880707522 复制
