技术说明
双电池记忆的插头&播放
DDR/DDR2
（对于内存模块）内存SPD
BR34E02-W
°说明
BR34E02FVT -W是256 × 8位电可擦除PROM （基于串行存在检测）
■特点
256×8
位架构的串行EEPROM
ùWide
工作电压范围： 1.7V - 3.6V
·两线
串行接口
高
用金片，金线连接的可靠性
- 自定时
擦除和写入周期
“页
写功能（ 16byte的）
“写
保护模式
可设置可逆写保护功能： 00H至7Fh
写保护1 （一次性光盘）
： 00H至7Fh
写保护2 （硬连线WP PIN）
： 00H - FFH
ULOW
耗电量
写
（在1.7V ） ： 0.4毫安（典型值）。
读
（在1.7V ） ： 0.1毫安（典型值）。
待机（在1.7V ） ： 0.1μA （ TYP。）
数据
安全
写保护功能（ WP引脚）
禁止把它们写在低V
CC
紧凑型
封装： TSSOP - B8 ， VSON008X2030
高
可靠性精细图案的CMOS技术
·重写
可能高达100万次
数据
保：40岁
Noise
在SCL / SDA减少过滤输入
←初始
在所有的地址数据FFH
●BR34E02-W
系列
容量位格式
2Kbit
256X8
TYPE
BR34E02-W
电源电压
1.7V½3.6V
TSSOP-B8
●
VSON008X2030
●
VER.A 2007年8月
“绝对
最大额定值
(Ta=25℃)
等级
-0.3½+6.5
330(BR34E02FVT-W)
功耗
Pd
300(BR34E02NUX-W)
储存温度
TSTG
-65½+125
工作温度
TOPR
-40½+85
终端电压（ A0 ）
-
-0.3½10.0
终端电压（诸如此类）
-
-0.3½V
CC
+0.3
*由3.3mW减少（ * 1 ） ， 3.0毫瓦（ * 2 ） / C超过25C
“推荐
工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
VIN
等级
1.7½3.6
0½V
CC
单位
V
V
参数
电源电压
符号
V
CC
单位
V
*1
*2
mW
℃
℃
V
V
内存
细胞特性（Ta = 25 ℃ ，
V
CC
=1.7V½3.6V）
参数
写入/擦除周期* 1
数据保留
*1
规范
分钟。
1,000,000
40
典型值。
－
－
马克斯。
－
－
单位
周期
岁月
* 1 ：未经100％测试
ⅵELECTRICAL
特点 - 直流（除非
otherwise specified Ta=-40℃½+85℃, V
CC
=1.7V½3.6V）
规范
分钟。
0.7 V
CC
-
-0.3
-
-1
-1
-1
-1
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
Vcc+0.3
0.3 V
CC
0.4
0.2
1
15
20
1
1.0
参数
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压
"L"输出电压1
"L"输出电压2
输入漏电流1
输入漏电流2
输入漏电流3
输出漏电流
符号
VIH1
VIL1
VOL1
VOL2
ILI1
ILI2
ILI3
国际劳工组织
ICC1
单位
V
V
V
V
测试条件
IOL=2.1mA，2.5V≦V
CC
≦3.6V（SDA）
IOL=0.7mA，1.7V≦V
CC
＜2.5V（SDA）
μA
VIN=0V½V
CC
（A0,A1,A2,SCL）
μA
VIN=0V½V
CC
（ WP ）
μA
VIN=VHV(A0)
μA
VOUT=0V½V
CC
V
CC
=1.7V,fSCL=100½Hz，tWR=5ms
毫安字节写
页写
写保护
V
CC
=3.6V,fSCL=100½Hz, tWR=5ms
毫安字节写
页写
写保护
V
CC
=3.6V,fSCL=100½Hz
随机读取
mA
当前的读
顺序读取
μA
V
CC
= 3.6V ， SDA ， SCL = V
CC
A0,A1,A2=GND,WP=GND
V
VHV-Vcc≧4.8V
工作电流
ICC2
-
-
3.0
ICC3
-
-
0.5
待机电流
A0高压电压
ISB
VHV
-
7
-
-
2.0
10
注意：
这个IC没有设计成耐辐射。
2/19
ⅵELECTRICAL
特点 - 交流（除非
otherwise specified Ta=-40℃½+85℃, V
CC
=1.7V½3.6V）
快速模式
2.5V≦V
CC
≦5.5V
分钟。
典型值。
马克斯。
－
－
400
0.6
－
－
1.2
－
－
－
－
0.3
－
－
0.3
0.6
－
－
0.6
－
－
0
－
－
100
－
－
0.1
－
0.9
0.1
－
－
0.6
－
－
1.2
－
－
－
－
5
－
0
0.1
1.0
－
－
－
－
0.1
－
－
－
标准模式
1.7V≦V
CC
≦5.5V
分钟。
典型值。
马克斯。
－
－
100
4.0
－
－
4.7
－
－
－
－
1.0
－
－
0.3
4.0
－
－
4.7
－
－
0
－
－
250
－
－
0.1
－
3.5
0.1
－
－
4.0
－
－
4.7
－
－
－
－
5
－
0
0.1
1.0
－
－
－
－
0.1
－
－
－
参数
符号
单位
千赫
μs
μs
μs
μs
μs
μs
ns
ns
μs
μs
μs
μs
ms
μs
ns
μs
μs
经过测试
时钟频率
的fSCL
大腿
数据时钟周期高
为tLOW
数据时钟低电平时间
tR
SDA和SCL上升时间* 1
tF
SDA和SCL下降时间* 1
THD： STA
START条件保持时间
TSU： STA
启动条件建立时间
THD： DAT
输入数据保持时间
TSU： DAT
输入数据建立时间
tPD的
输出数据的延迟时间
TDH
输出数据保持时间
TSU： STO
停止条件的建立时间
TBUF
总线空闲时间
tWR的
写周期时间
噪声尖峰脉冲宽度（ SDA
tI
和SCL ）
THD： WP
WP保持时间
TSU： WP
WP建立时间
大腿围： WP
WP高发期
* 1：不100 ％
·快速
/标准模式
快速模式和标准模式的工作频率只有不同。在100kHz时执行的操作被认为是
"Standard - mode" ，而在400kHz的实施是"Fast - mode" 。
请注意，这些时钟频率是最高值。在较低的电源电压也难以在高操作
速度。
该EEPROM可以在400kHz的操作， 2.5V和3.6V之间，并从1.7V - 2.5V 100kHz的。
○同步
数据时序
t
R
SCL
t
HD
： STA
SDA
（中）
t
BUF
SDA
（下）
t
PD
t
DH
WP
t
F
t
高
SCL
t
SU
： DAT吨
低
t
HD
： DAT
SDA
DATA(1)
D1
D0
确认
数据（N ）
确认
t
WR
停止位
Fig.1- （一）同步数据时序
○
SDA数据在上升沿锁存到芯片
○
的SCL时钟。
○
输出数据的切换，在SCL时钟的下降沿。
SCL
t
SU
● WP
½
ＨＤ
● WP
Fig.1- （四） WP定时的写操作
DATA(1)
数据（N ）
D0
确认
½HIGH : WP
确认
t
WR
SCL
t
SU
： STA
SDA
开始位
t
HD
： STA
t
SU
： STO
SDA
D1
WP
停止位
Fig.1- （二）启动/停止位时序
SCL
Fig.1- （五） WP定时写入取消操作
For
WRITE操作， WP必须"Low"从上升沿
时钟（其取入第一个字节的D0）直到tWR的末尾。
（参见Fig.1- （ d））的在此期间，写操作可以是
通过设置WP "High"取消。 （见Fig.1- （ e）条）
当
WP是tWR的过程中设置为"High" ，写操作
立刻停止，使数据不可靠。然后，它必须
被重新写入。
SDA
D0
确认
写入数据（ N）
停止
条件
t
WR
开始
条件
Fig.1- （三）写周期时序
3/19
3.5
SPEC1
0.6
0.5
½SCL=400kHz(V
CC
≧2.5V)
fSCL=100kHz(1.7V≦Vcc＜２．５V)
DATA = AA
规格
2.5
规格
3
2.5
ICC1,2[mA]
2
1.5
SPEC2
2
½ＳＣＬ=100kHz
数据= AAH
0.4
ICC3[mA]
0.3
0.2
0.1
ISB [ μA ]
Ta=85℃
Ta=25℃
1.5
1
1
0.5
0
0
Ta=25℃
Ta=85℃
Ta=-40℃
0.5
Ta=-40℃
Ta=85℃
Ta=25℃
Ta=-40℃
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
0
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
图10写工作电流ICC1,2
(fSCL=100kHz,400kHz)
图11读取工作电流ICC 3
(fSCL=400kHz)
图12待机电流ISB
10000
Ta=85℃
Ta=25℃
Ta=-40℃
5
SPEC2
5
SPEC2
4
1000
的fSCL [千赫]
大腿[微秒]
为tLOW微秒
SPEC1
4
3
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
3
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
100
SPEC2
2
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC1
2
SPEC1
10
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
1
Ta=85℃
Ta=25℃
Ta=-40℃
1
1
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
0
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
0
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
图13时钟频率的fSCL
图14数据时钟高电平时间大腿
图15数据时钟低电平时间TLOW
5
SPEC2
5
50
SPEC2
SPEC1,2
4
THD： STA微秒
4
0
THD：DAT （高） [微秒]
Ta=85℃
Ta=25℃
Ta=-40℃
TSU： STA [微秒]
3
3
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
2
-50
2
1
SPEC1
1
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
SPEC1
-100
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
-150
0
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
0
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
-200
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
图16开始条件保持时间
THD： STA
图17开始条件建立时间
TSU： STA
图18数据保持时间
THD： DAT （高）
50
300
300
SPEC2
0
THD： DAT （ LOW ） [微秒]
SPEC1,2
200
TSU： DAT （高） [ NS ]
SPEC1
200
TSU： DAT （ LOW ） [ NS ]
SPEC1 ：快速模式
-50
SPEC2 ：标准模式
100
Ta=85℃
Ta=25℃
Ta=-40℃
100
Ta=85℃
-100
Ta=85℃
0
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
0
Ta=25℃
SPEC1 ：快速模式
SPEC2 ：标准模式
Ta=-40℃
-150
Ta=25℃
Ta=-40℃
-100
-100
-200
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
-200
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
-200
0
1
2
的Vcc [V]的
3
4
图19数据保持时间
THD： DAT （ LOW ）
图20输入数据建立时间
TSU： DAT （ HIGH ）
图21输入数据建立时间
TSU： DAT （ LOW ）
5/19
QQ：2881677436 复制
