存储器IC
BR24L08 -W / BR24L08F -W / BR24L08FJ -W
BR24L08FV -W / BR24L08FVM -W
1024× 8位的电可擦除PROM
BR24L08 -W / BR24L08F -W / BR24L08FJ -W /
BR24L08FV -W / BR24L08FVM -W
该BR24L08 -W系列是2线（I
2
C总线型）串行EEPROM这是电可编程。
I 2 C总线是飞利浦公司的注册商标。
2
应用
通用
特点
1 ） 1024寄存器
×
8位串行架构。
2 ）单电源（ 1.8V至5.5V ） 。
3 ）两线串行接口。
4 ）自定时写周期自动擦除。
5 ） 16byte的页写模式。
6 ）低功耗。
写（ 5V ） ： 1.5毫安（典型值）。
阅读（ 5V ） ： 0.2毫安（典型值）。
待机（ 5V ） （典型值）， 0.1μA
7 ）数据安全
写保护功能（ WP引脚） 。
禁止把它们写在低V
CC
.
8 ）小包装 - - - DIP8 / SOP8 / SOP- J8 / SSOP - B8 / MSOP - 8
9 ）高可靠性的EEPROM采用双单元结构。
10 ）高可靠性精细图案的CMOS技术。
11 ）耐久性：100万次擦/写
12 ）数据保存：40岁
13 ）在SCL输入过滤
SDA的噪声抑制。
在所有地址14 ）初步数据FFH 。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
符号
V
CC
范围
0.3
to
+6.5
800(DIP8)
450(SOP8)
功耗
Pd
450(SOP-J8)
300(SSOP-B8)
310(MSOP8)
储存温度
工作温度
端电压
1
2
3
4
单位
V
1
2
2
3
4
mW
TSTG
TOPR
65
to
+125
40
to
+85
0.3
到V
CC
+0.3
°C
°C
V
超过25 ℃，每升高1 ℃，钽降低8.0mW 。
超过25 ℃，每升高1 ℃，钽减少4.5MW 。
超过25 ℃，每升高1 ℃，钽减少3.0MW 。
超过25 ℃，每升高1 ℃，钽降低3.1mW 。
1/25
存储器IC
BR24L08 -W / BR24L08F -W / BR24L08FJ -W
BR24L08FV -W / BR24L08FVM -W
符号
V
CC
V
IN
范围
1.85.5
0到V
CC
单位
V
V
推荐工作条件
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
直流工作特性
（除非另有说明的Ta = -40至85° C，V
CC
=1.8
至5.5V ）
参数
"HIGH"输入volatge 1
"LOW"输入volatge 1
"HIGH"输入volatge 2
"LOW"输入volatge 2
"LOW"输出电压值1
"LOW"输出电压值2
输入漏电流
输出漏电流
符号
V
IH1
V
IL1
V
IH2
V
IL2
V
OL1
V
OL2
I
LI
I
LO
I
CC1
工作电流
I
CC2
待机电流
I
SB
0.5
2.0
mA
A
分钟。
0.7V
CC
0.8V
CC
1
1
典型值。
马克斯。
0.3V
CC
0.2V
CC
0.4
0.2
1
1
2.0
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
条件
2.5V≤V
CC
≤5.5V
2.5V≤V
CC
≤5.5V
1.8V≤V
CC
<2.5V
1.8V≤V
CC
<2.5V
I
OL
=3.0mA,
2.5V≤V
CC
≤5.5V,
（SDA）
I
OL
=0.7mA,
1.8V≤V
CC
≤5.5V,
（SDA）
V
IN
=0V
到V
CC
V
OUT
=0V
到V
CC
V
CC
=5.5V,
f
SCL
=400kHz,
t
WR
=5ms,
字节写入，页写入
V
CC
=5.5V,
f
SCL
=400kHz
随机读取，读取电流，
顺序读取
V
CC
=5.5V,
SDA ，SCL = = V
CC
,
A0，A1， A2 = GND时， WP = GND
本产品并非设计用于防止放射性射线。
2/25
存储器IC
维
9.3±0.3
8
5
6.5±0.3
BR24L08 -W / BR24L08F -W / BR24L08FJ -W
BR24L08FV -W / BR24L08FVM -W
5.0±0.2
8
5
1
0.51Min.
4
7.62
6.2±0.3
4.4±0.2
1
4
1.5±0.1
0.11
3.4±0.3
0.15±0.1
0.1
3.2±0.2
0.3
±0
.1
1.27
0.4±0.1
2.54
0.5±0.1
0° ~ 15°
图1（a ）外形尺寸（单位：毫米）
DIP8 （ BR24L08 -W ）
图1 （B ）外形尺寸（单位：毫米）
SOP8 （ BR24L08F -W ）
4.9±0.2
0.45Min.
6.0±0.3
3.9±0.2
6.4±0.3
4.4±0.2
8 7 6 5
3.0±0.2
8
5
1
4
1.375±0.1
0.175
1.15±0.1
0.1
1 2 3 4
0.15±0.1
0.1
0.2±0.1
0.1
1.27
0.42±0.1
0.22±0.1
0.65
(0.52)
图1（c ）外形尺寸（单位：毫米）
SOP- J8 （ BR24L08FJ - W）的
图1 （D ）外形尺寸（单位：毫米）
SSOP - B8 （ BR24L08FV -W ）
2.9±0.1
8
5
4.0±0.2
2.8±0.1
1
4
0.475
0.9Max.
0.75±0.05
0.08±0.05
0.22
0.04
0.65
0.08 S
+0.05
0.29±0.15
0.6±0.2
+0.05
0.145
0.03
0.08
M
图1 （ E）外形尺寸（单位：毫米）
MSOP8 （ BR24L08FVM -W ）
0.3Min.
0.3Min.
3/25
存储器IC
框图
A0
BR24L08 -W / BR24L08F -W / BR24L08FJ -W
BR24L08FV -W / BR24L08FVM -W
1
10bit
32Kbit的EEPROM阵列
8bit
10bit
奴字
地址寄存器
停止
8
V
CC
A1
2
地址
解码器
数据
注册
7
WP
A2
3
开始
控制逻辑
确认
6
SCL
GND
4
高压发生器
VCC电平检测
5
SDA
图2框图
引脚配置
V
CC
WP
SCL
SDA
8
7
6
5
BR24L08-W
BR24L08F-W
BR24L08FJ-W
BR24L08FV-W
BR24L08FVM-W
1
A0
2
A1
3
A2
4
GND
图3引脚布局
引脚名称
引脚名称
V
CC
GND
A0, A1
A2
SCL
SDA
I / O
IN
IN
输入/输出
IN
电源
地（ 0V ）
停止使用
功能
从站地址设置
串行时钟输入
从和字地址，
串行数据输入端，串行数据输出
写保护输入
1
WP
1
一个开漏输出，需要一个上拉电阻。
4/25
存储器IC
BR24L08 -W / BR24L08F -W / BR24L08FJ -W
BR24L08FV -W / BR24L08FVM -W
快速模式
2.5V
≤
VCC
≤
5.5V
分钟。
典型值。
马克斯。
400
0.3
0.3
0.9
5
0.1
0.6
1.2
0.6
0.6
0
100
0.1
0.1
0.6
1.2
0
0.1
1.0
标准模式
1.8V
≤
VCC
≤
5.5V
分钟。
4.0
4.7
4.0
4.7
0
250
0.2
0.2
4.7
4.7
0
0.1
1.0
典型值。
马克斯。
100
1.0
0.3
3.5
5
0.1
千赫
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
s
s
s
ms
s
ns
s
s
交流工作特性
（除非另有说明的Ta = -40至85° C，V
CC
=1.8
至5.5V ）
参数
时钟频率
数据时钟"HIGH"期
数据时钟"LOW"期
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
START条件保持时间
启动条件建立时间
输入数据保持时间
输入数据建立时间
输出数据的延迟时间
输出数据保持时间
停止条件的建立时间
总线空闲时间
写周期时间
噪声尖峰宽度（ SDA和SCL ）
WP保持时间
WP建立时间
WP高发期
1
未经100％测试。
1
1
符号
的fSCL
大腿
为tLOW
tR
tF
单位
THD： STA
TSU： STA
THD： DAT
TSU： DAT
tPD的
TDH
TSU： STO
TBUF
tWR的
tl
THD： WP
TSU： WP
大腿围： WP
5/25
存储器IC
BR24L08 -W / BR24L08F -W / BR24L08FJ -W
BR24L08FV -W / BR24L08FVM -W
1024× 8位的电可擦除PROM
BR24L08 -W / BR24L08F -W / BR24L08FJ -W /
BR24L08FV -W / BR24L08FVM -W
该BR24L08 -W系列是2线（I
2
C总线型）串行EEPROM这是电可编程。
I 2 C总线是飞利浦公司的注册商标。
2
应用
通用
特点
1 ） 1024寄存器
×
8位串行架构。
2 ）单电源（ 1.8V至5.5V ） 。
3 ）两线串行接口。
4 ）自定时写周期自动擦除。
5 ） 16byte的页写模式。
6 ）低功耗。
写（ 5V ） ： 1.5毫安（典型值）。
阅读（ 5V ） ： 0.2毫安（典型值）。
待机（ 5V ） （典型值）， 0.1μA
7 ）数据安全
写保护功能（ WP引脚） 。
禁止把它们写在低V
CC
.
8 ）小包装 - - - DIP8 / SOP8 / SOP- J8 / SSOP - B8 / MSOP - 8
9 ）高可靠性的EEPROM采用双单元结构。
10 ）高可靠性精细图案的CMOS技术。
11 ）耐久性：100万次擦/写
12 ）数据保存：40岁
13 ）在SCL输入过滤
SDA的噪声抑制。
在所有地址14 ）初步数据FFH 。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
符号
V
CC
范围
0.3
to
+6.5
800(DIP8)
450(SOP8)
功耗
Pd
450(SOP-J8)
300(SSOP-B8)
310(MSOP8)
储存温度
工作温度
端电压
1
2
3
4
单位
V
1
2
2
3
4
mW
TSTG
TOPR
65
to
+125
40
to
+85
0.3
到V
CC
+0.3
°C
°C
V
超过25 ℃，每升高1 ℃，钽降低8.0mW 。
超过25 ℃，每升高1 ℃，钽减少4.5MW 。
超过25 ℃，每升高1 ℃，钽减少3.0MW 。
超过25 ℃，每升高1 ℃，钽降低3.1mW 。
1/25
存储器IC
BR24L08 -W / BR24L08F -W / BR24L08FJ -W
BR24L08FV -W / BR24L08FVM -W
符号
V
CC
V
IN
范围
1.85.5
0到V
CC
单位
V
V
推荐工作条件
(Ta=25°C)
参数
电源电压
输入电压
直流工作特性
（除非另有说明的Ta = -40至85° C，V
CC
=1.8
至5.5V ）
参数
"HIGH"输入volatge 1
"LOW"输入volatge 1
"HIGH"输入volatge 2
"LOW"输入volatge 2
"LOW"输出电压值1
"LOW"输出电压值2
输入漏电流
输出漏电流
符号
V
IH1
V
IL1
V
IH2
V
IL2
V
OL1
V
OL2
I
LI
I
LO
I
CC1
工作电流
I
CC2
待机电流
I
SB
0.5
2.0
mA
A
分钟。
0.7V
CC
0.8V
CC
1
1
典型值。
马克斯。
0.3V
CC
0.2V
CC
0.4
0.2
1
1
2.0
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
条件
2.5V≤V
CC
≤5.5V
2.5V≤V
CC
≤5.5V
1.8V≤V
CC
<2.5V
1.8V≤V
CC
<2.5V
I
OL
=3.0mA,
2.5V≤V
CC
≤5.5V,
（SDA）
I
OL
=0.7mA,
1.8V≤V
CC
≤5.5V,
（SDA）
V
IN
=0V
到V
CC
V
OUT
=0V
到V
CC
V
CC
=5.5V,
f
SCL
=400kHz,
t
WR
=5ms,
字节写入，页写入
V
CC
=5.5V,
f
SCL
=400kHz
随机读取，读取电流，
顺序读取
V
CC
=5.5V,
SDA ，SCL = = V
CC
,
A0，A1， A2 = GND时， WP = GND
本产品并非设计用于防止放射性射线。
2/25
存储器IC
维
9.3±0.3
8
5
6.5±0.3
BR24L08 -W / BR24L08F -W / BR24L08FJ -W
BR24L08FV -W / BR24L08FVM -W
5.0±0.2
8
5
1
0.51Min.
4
7.62
6.2±0.3
4.4±0.2
1
4
1.5±0.1
0.11
3.4±0.3
0.15±0.1
0.1
3.2±0.2
0.3
±0
.1
1.27
0.4±0.1
2.54
0.5±0.1
0° ~ 15°
图1（a ）外形尺寸（单位：毫米）
DIP8 （ BR24L08 -W ）
图1 （B ）外形尺寸（单位：毫米）
SOP8 （ BR24L08F -W ）
4.9±0.2
0.45Min.
6.0±0.3
3.9±0.2
6.4±0.3
4.4±0.2
8 7 6 5
3.0±0.2
8
5
1
4
1.375±0.1
0.175
1.15±0.1
0.1
1 2 3 4
0.15±0.1
0.1
0.2±0.1
0.1
1.27
0.42±0.1
0.22±0.1
0.65
(0.52)
图1（c ）外形尺寸（单位：毫米）
SOP- J8 （ BR24L08FJ - W）的
图1 （D ）外形尺寸（单位：毫米）
SSOP - B8 （ BR24L08FV -W ）
2.9±0.1
8
5
4.0±0.2
2.8±0.1
1
4
0.475
0.9Max.
0.75±0.05
0.08±0.05
0.22
0.04
0.65
0.08 S
+0.05
0.29±0.15
0.6±0.2
+0.05
0.145
0.03
0.08
M
图1 （ E）外形尺寸（单位：毫米）
MSOP8 （ BR24L08FVM -W ）
0.3Min.
0.3Min.
3/25
存储器IC
框图
A0
BR24L08 -W / BR24L08F -W / BR24L08FJ -W
BR24L08FV -W / BR24L08FVM -W
1
10bit
32Kbit的EEPROM阵列
8bit
10bit
奴字
地址寄存器
停止
8
V
CC
A1
2
地址
解码器
数据
注册
7
WP
A2
3
开始
控制逻辑
确认
6
SCL
GND
4
高压发生器
VCC电平检测
5
SDA
图2框图
引脚配置
V
CC
WP
SCL
SDA
8
7
6
5
BR24L08-W
BR24L08F-W
BR24L08FJ-W
BR24L08FV-W
BR24L08FVM-W
1
A0
2
A1
3
A2
4
GND
图3引脚布局
引脚名称
引脚名称
V
CC
GND
A0, A1
A2
SCL
SDA
I / O
IN
IN
输入/输出
IN
电源
地（ 0V ）
停止使用
功能
从站地址设置
串行时钟输入
从和字地址，
串行数据输入端，串行数据输出
写保护输入
1
WP
1
一个开漏输出，需要一个上拉电阻。
4/25
存储器IC
BR24L08 -W / BR24L08F -W / BR24L08FJ -W
BR24L08FV -W / BR24L08FVM -W
快速模式
2.5V
≤
VCC
≤
5.5V
分钟。
典型值。
马克斯。
400
0.3
0.3
0.9
5
0.1
0.6
1.2
0.6
0.6
0
100
0.1
0.1
0.6
1.2
0
0.1
1.0
标准模式
1.8V
≤
VCC
≤
5.5V
分钟。
4.0
4.7
4.0
4.7
0
250
0.2
0.2
4.7
4.7
0
0.1
1.0
典型值。
马克斯。
100
1.0
0.3
3.5
5
0.1
千赫
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
s
s
s
ms
s
ns
s
s
交流工作特性
（除非另有说明的Ta = -40至85° C，V
CC
=1.8
至5.5V ）
参数
时钟频率
数据时钟"HIGH"期
数据时钟"LOW"期
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
START条件保持时间
启动条件建立时间
输入数据保持时间
输入数据建立时间
输出数据的延迟时间
输出数据保持时间
停止条件的建立时间
总线空闲时间
写周期时间
噪声尖峰宽度（ SDA和SCL ）
WP保持时间
WP建立时间
WP高发期
1
未经100％测试。
1
1
符号
的fSCL
大腿
为tLOW
tR
tF
单位
THD： STA
TSU： STA
THD： DAT
TSU： DAT
tPD的
TDH
TSU： STO
TBUF
tWR的
tl
THD： WP
TSU： WP
大腿围： WP
5/25
QQ：2880707522 复制
