存储器IC
BR24L02 -W / BR24L02F -W / BR24L02FJ -W /
BR24L02FV -W / BR24L02FVM -W
256× 8位的电可擦除的PROM
BR24L02 -W / BR24L02F -W / BR24L02FJ -W
BR24L02FV -W / BR24L02FVM -W
该BR24L02 -W系列是2线（I
2
C总线型）串行EEPROM这是电可编程。
I
2
C总线是飞利浦公司的注册商标。
应用
通用
特点
1 ） 256寄存器
×
8位串行架构。
2 ）单电源（ 1.8V至5.5V ） 。
3 ）两线串行接口。
4 ）自定时写周期自动擦除。
5 ） 8字节页写模式。
6 ）低功耗。
写（ 5V ） ： 1.2毫安（典型值）。
阅读（ 5V ） ： 0.2毫安（典型值）。
待机（ 5V ） （典型值）， 0.1μA
7 ）数据安全
写保护功能（ WP引脚） 。
禁止把它们写在低V
CC
.
8 ）小包装 - - - DIP8 / SOP8 / SOP- J8 / SSOP - B8 / MSOP - 8
9 ）高可靠性的EEPROM采用双单元结构
10 ）高可靠性精细图案的CMOS技术。
11 ）耐久性：100万次擦/写
12 ）数据保存：40岁
13 ）在SCL输入过滤
SDA的噪声抑制。
在所有地址14 ）初步数据FFH 。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
符号
V
CC
范围
0.3
to
+6.5
800 （ DIP8 ）
450 （ SOP8 ）
功耗
Pd
450 （ SOP- J8 ）
1
2
3
单位
V
mW
300 （ SSOP - B8 ）
4
310 （ MSOP8 ）
储存温度
工作温度
端电压
1
2,
3
4
5
5
TSTG
TOPR
65
to
+125
40
to
+85
0.3
到V
CC
+0.3
°C
°C
V
降解完成后，在8.0mW /°C的操作在25℃以上。
降解完成后，在4.5MW /°C的操作在25℃以上。
降解完成后，在3.0MW /°C的操作在25℃以上。
降解完成后，在3.1mW /°C的操作在25℃以上。
1/25
存储器IC
BR24L02 -W / BR24L02F -W / BR24L02FJ -W /
BR24L02FV -W / BR24L02FVM -W
符号
V
CC
V
IN
范围
1.85.5
0到V
CC
单位
V
V
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
直流工作特性
（除非另有规定的Ta = -40 85°C ， VCC = 1.8 5.5V ）
参数
"HIGH"输入volatge 1
"LOW"输入volatge 1
"HIGH"输入volatge 2
"LOW"输入volatge 2
"LOW"输出电压值1
"LOW"输出电压值2
输入漏电流
输出漏电流
符号
V
IH1
V
IL1
V
IH2
V
IL2
V
OL1
V
OL2
I
LI
I
LO
I
CC1
工作电流
I
CC2
待机电流
I
SB
0.5
2.0
mA
A
分钟。
0.7V
CC
0.8V
CC
1
1
典型值。
马克斯。
0.3V
CC
0.2V
CC
0.4
0.2
1
1
2.0
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
条件
2.5V≤V
CC
≤5.5V
2.5V≤V
CC
≤5.5V
1.8V≤V
CC
≤2.5V
1.8V≤V
CC
≤2.5V
I
OL
=3.0mA,
2.5V≤V
CC
≤5.5V,
（SDA）
I
OL
=0.7mA,
1.8V≤V
CC
≤5.5V,
（SDA）
V
IN
=0V
到V
CC
V
OUT
=0V
到V
CC
V
CC
=5.5V,
f
SCL
=400kHz,
t
WR
=5ms,
字节写入，页写入
V
CC
=5.5V,
f
SCL
=400kHz
随机读取，读取电流，
顺序读取
V
CC
=5.5V,
SDA ，SCL = = V
CC
,
A0，A1， A2 = GND时， WP = GND
本产品并非设计用于防止放射性射线。
2/25
存储器IC
维
9.3±0.3
8
5
6.5±0.3
BR24L02 -W / BR24L02F -W / BR24L02FJ -W /
BR24L02FV -W / BR24L02FVM -W
5.0±0.2
8
5
1
0.51Min.
4
7.62
6.2±0.3
4.4±0.2
1
4
1.5±0.1
0.11
3.4±0.3
0.15±0.1
0.1
3.2±0.2
0.3
±0
.1
2.54
0.5±0.1
0° ~ 15°
1.27
0.4±0.1
图1（a ）外形尺寸（单位：毫米）
DIP8 （ BR24L02 -W ）
图1 （B ）外形尺寸（单位：毫米）
SOP8 （ BR24L02F -W ）
4.9±0.2
0.45Min.
6.0±0.3
3.9±0.2
6.4±0.3
4.4±0.2
8 7 6 5
3.0±0.2
8
5
1
4
1.375±0.1
0.175
1.15±0.1
0.1
1 2 3 4
0.15±0.1
0.1
0.2±0.1
0.1
1.27
0.42±0.1
0.22±0.1
0.65
(0.52)
图1（c ）外形尺寸（单位：毫米）
SOP- J8 （ BR24L02FJ - W）的
图1 （D ）外形尺寸（单位：毫米）
SSOP - B8 （ BR24L02FV -W ）
2.9±0.1
8
5
4.0±0.2
2.8±0.1
1
4
0.475
0.9Max.
0.75±0.05
0.08±0.05
0.22
+0.05
0.04
0.65
0.08 S
0.29±0.15
0.6±0.2
+0.05
0.145
0.03
0.08
M
图1 （ E）外形尺寸（单位：毫米）
MSOP8 （ BR24L02FVM -W ）
0.3Min.
0.3Min.
3/25
存储器IC
框图
A0
BR24L02 -W / BR24L02F -W / BR24L02FJ -W /
BR24L02FV -W / BR24L02FVM -W
1
8bit
2Kbit EEPROM阵列
8bit
8bits
奴字
地址寄存器
停止
8
V
CC
A1
2
地址
解码器
数据
注册
7
WP
A2
3
开始
控制逻辑
确认
6
SCL
GND
4
高压发生器
VCC电平检测
5
SDA
图2框图
引脚配置
V
CC
WP
SCL
SDA
8
7
6
5
BR24L02-W
BR24L02F-W
BR24L02FJ-W
BR24L02FV-W
BR24L02FVM-W
1
A0
2
A1
3
A2
4
GND
图3引脚布局
引脚名称
引脚名称
V
CC
GND
A0, A1, A2
SCL
SDA
I / O
IN
IN
输入/输出
IN
电源
地（ 0V ）
功能
从站地址设置
串行时钟输入
从和字地址，
串行数据输入端，串行数据输出
写保护输入
1
WP
1
一个开漏输出，需要一个上拉电阻。
4/25
存储器IC
BR24L02 -W / BR24L02F -W / BR24L02FJ -W /
BR24L02FV -W / BR24L02FVM -W
快速模式
2.5V
≤
VCC
≤
5.5V
分钟。
典型值。
马克斯。
400
0.3
0.3
0.9
5
0.1
0.6
1.2
0.6
0.6
0
100
0.1
0.1
0.6
1.2
0
0.1
1.0
标准模式
1.8V
≤
VCC
≤
5.5V
分钟。
4.0
4.7
4.0
4.7
0
250
0.2
0.2
4.7
4.7
0
0.1
1.0
典型值。
马克斯。
100
1.0
0.3
3.5
5
0.1
千赫
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
s
s
s
ms
s
ns
s
s
交流工作特性
（除非另有说明的Ta = -40至85° C，V
CC
= 1.8 5.5V ）
参数
时钟频率
数据时钟"HIGH"期
数据时钟"LOW"期
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
START条件保持时间
启动条件建立时间
输入数据保持时间
输入数据建立时间
输出数据的延迟时间
输出数据保持时间
停止条件的建立时间
总线空闲时间
写周期时间
噪声尖峰宽度（ SDA和SCL ）
WP保持时间
WP建立时间
WP高发期
1
未经100％测试。
1
1
符号
的fSCL
大腿
为tLOW
tR
tF
单位
THD： STA
TSU： STA
THD： DAT
TSU： DAT
tPD的
TDH
TSU： STO
TBUF
tWR的
tl
THD： WP
TSU： WP
大腿围： WP
5/25
存储器IC
BR24L02 -W / BR24L02F -W / BR24L02FJ -W /
BR24L02FV -W / BR24L02FVM -W
256× 8位的电可擦除的PROM
BR24L02 -W / BR24L02F -W / BR24L02FJ -W
BR24L02FV -W / BR24L02FVM -W
该BR24L02 -W系列是2线（I
2
C总线型）串行EEPROM这是电可编程。
I
2
C总线是飞利浦公司的注册商标。
应用
通用
特点
1 ） 256寄存器
×
8位串行架构。
2 ）单电源（ 1.8V至5.5V ） 。
3 ）两线串行接口。
4 ）自定时写周期自动擦除。
5 ） 8字节页写模式。
6 ）低功耗。
写（ 5V ） ： 1.2毫安（典型值）。
阅读（ 5V ） ： 0.2毫安（典型值）。
待机（ 5V ） （典型值）， 0.1μA
7 ）数据安全
写保护功能（ WP引脚） 。
禁止把它们写在低V
CC
.
8 ）小包装 - - - DIP8 / SOP8 / SOP- J8 / SSOP - B8 / MSOP - 8
9 ）高可靠性的EEPROM采用双单元结构
10 ）高可靠性精细图案的CMOS技术。
11 ）耐久性：100万次擦/写
12 ）数据保存：40岁
13 ）在SCL输入过滤
SDA的噪声抑制。
在所有地址14 ）初步数据FFH 。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
电源电压
符号
V
CC
范围
0.3
to
+6.5
800 （ DIP8 ）
450 （ SOP8 ）
功耗
Pd
450 （ SOP- J8 ）
1
2
3
单位
V
mW
300 （ SSOP - B8 ）
4
310 （ MSOP8 ）
储存温度
工作温度
端电压
1
2,
3
4
5
5
TSTG
TOPR
65
to
+125
40
to
+85
0.3
到V
CC
+0.3
°C
°C
V
降解完成后，在8.0mW /°C的操作在25℃以上。
降解完成后，在4.5MW /°C的操作在25℃以上。
降解完成后，在3.0MW /°C的操作在25℃以上。
降解完成后，在3.1mW /°C的操作在25℃以上。
1/25
存储器IC
BR24L02 -W / BR24L02F -W / BR24L02FJ -W /
BR24L02FV -W / BR24L02FVM -W
符号
V
CC
V
IN
范围
1.85.5
0到V
CC
单位
V
V
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
直流工作特性
（除非另有规定的Ta = -40 85°C ， VCC = 1.8 5.5V ）
参数
"HIGH"输入volatge 1
"LOW"输入volatge 1
"HIGH"输入volatge 2
"LOW"输入volatge 2
"LOW"输出电压值1
"LOW"输出电压值2
输入漏电流
输出漏电流
符号
V
IH1
V
IL1
V
IH2
V
IL2
V
OL1
V
OL2
I
LI
I
LO
I
CC1
工作电流
I
CC2
待机电流
I
SB
0.5
2.0
mA
A
分钟。
0.7V
CC
0.8V
CC
1
1
典型值。
马克斯。
0.3V
CC
0.2V
CC
0.4
0.2
1
1
2.0
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
条件
2.5V≤V
CC
≤5.5V
2.5V≤V
CC
≤5.5V
1.8V≤V
CC
≤2.5V
1.8V≤V
CC
≤2.5V
I
OL
=3.0mA,
2.5V≤V
CC
≤5.5V,
（SDA）
I
OL
=0.7mA,
1.8V≤V
CC
≤5.5V,
（SDA）
V
IN
=0V
到V
CC
V
OUT
=0V
到V
CC
V
CC
=5.5V,
f
SCL
=400kHz,
t
WR
=5ms,
字节写入，页写入
V
CC
=5.5V,
f
SCL
=400kHz
随机读取，读取电流，
顺序读取
V
CC
=5.5V,
SDA ，SCL = = V
CC
,
A0，A1， A2 = GND时， WP = GND
本产品并非设计用于防止放射性射线。
2/25
存储器IC
维
9.3±0.3
8
5
6.5±0.3
BR24L02 -W / BR24L02F -W / BR24L02FJ -W /
BR24L02FV -W / BR24L02FVM -W
5.0±0.2
8
5
1
0.51Min.
4
7.62
6.2±0.3
4.4±0.2
1
4
1.5±0.1
0.11
3.4±0.3
0.15±0.1
0.1
3.2±0.2
0.3
±0
.1
2.54
0.5±0.1
0° ~ 15°
1.27
0.4±0.1
图1（a ）外形尺寸（单位：毫米）
DIP8 （ BR24L02 -W ）
图1 （B ）外形尺寸（单位：毫米）
SOP8 （ BR24L02F -W ）
4.9±0.2
0.45Min.
6.0±0.3
3.9±0.2
6.4±0.3
4.4±0.2
8 7 6 5
3.0±0.2
8
5
1
4
1.375±0.1
0.175
1.15±0.1
0.1
1 2 3 4
0.15±0.1
0.1
0.2±0.1
0.1
1.27
0.42±0.1
0.22±0.1
0.65
(0.52)
图1（c ）外形尺寸（单位：毫米）
SOP- J8 （ BR24L02FJ - W）的
图1 （D ）外形尺寸（单位：毫米）
SSOP - B8 （ BR24L02FV -W ）
2.9±0.1
8
5
4.0±0.2
2.8±0.1
1
4
0.475
0.9Max.
0.75±0.05
0.08±0.05
0.22
+0.05
0.04
0.65
0.08 S
0.29±0.15
0.6±0.2
+0.05
0.145
0.03
0.08
M
图1 （ E）外形尺寸（单位：毫米）
MSOP8 （ BR24L02FVM -W ）
0.3Min.
0.3Min.
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存储器IC
框图
A0
BR24L02 -W / BR24L02F -W / BR24L02FJ -W /
BR24L02FV -W / BR24L02FVM -W
1
8bit
2Kbit EEPROM阵列
8bit
8bits
奴字
地址寄存器
停止
8
V
CC
A1
2
地址
解码器
数据
注册
7
WP
A2
3
开始
控制逻辑
确认
6
SCL
GND
4
高压发生器
VCC电平检测
5
SDA
图2框图
引脚配置
V
CC
WP
SCL
SDA
8
7
6
5
BR24L02-W
BR24L02F-W
BR24L02FJ-W
BR24L02FV-W
BR24L02FVM-W
1
A0
2
A1
3
A2
4
GND
图3引脚布局
引脚名称
引脚名称
V
CC
GND
A0, A1, A2
SCL
SDA
I / O
IN
IN
输入/输出
IN
电源
地（ 0V ）
功能
从站地址设置
串行时钟输入
从和字地址，
串行数据输入端，串行数据输出
写保护输入
1
WP
1
一个开漏输出，需要一个上拉电阻。
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存储器IC
BR24L02 -W / BR24L02F -W / BR24L02FJ -W /
BR24L02FV -W / BR24L02FVM -W
快速模式
2.5V
≤
VCC
≤
5.5V
分钟。
典型值。
马克斯。
400
0.3
0.3
0.9
5
0.1
0.6
1.2
0.6
0.6
0
100
0.1
0.1
0.6
1.2
0
0.1
1.0
标准模式
1.8V
≤
VCC
≤
5.5V
分钟。
4.0
4.7
4.0
4.7
0
250
0.2
0.2
4.7
4.7
0
0.1
1.0
典型值。
马克斯。
100
1.0
0.3
3.5
5
0.1
千赫
s
s
s
s
s
s
ns
ns
s
s
s
s
ms
s
ns
s
s
交流工作特性
（除非另有说明的Ta = -40至85° C，V
CC
= 1.8 5.5V ）
参数
时钟频率
数据时钟"HIGH"期
数据时钟"LOW"期
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
START条件保持时间
启动条件建立时间
输入数据保持时间
输入数据建立时间
输出数据的延迟时间
输出数据保持时间
停止条件的建立时间
总线空闲时间
写周期时间
噪声尖峰宽度（ SDA和SCL ）
WP保持时间
WP建立时间
WP高发期
1
未经100％测试。
1
1
符号
的fSCL
大腿
为tLOW
tR
tF
单位
THD： STA
TSU： STA
THD： DAT
TSU： DAT
tPD的
TDH
TSU： STO
TBUF
tWR的
tl
THD： WP
TSU： WP
大腿围： WP
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附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
QQ：2880707522 复制
