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飞利浦半导体
产品speci fi cation
击穿二极管
BR211系列
概述
双向，转折的一系列
二极管在轴向，气密地
密封玻璃封套。这些
器件具有导通控制
电压和高电流控股
具有高的峰值电流一起
处理
能力。
典型
应用
包括
短暂
过压
保护
in
电信设备。
快速参考数据
符号
V
（BO）
I
H
I
TSM
参数
BR211-140 280
击穿电压
保持电流
非重复峰值电流
分钟。
140
150
-
马克斯。
280
-
40
单位
V
mA
A
概要 - SOD84
BR211-XXX
符号
XXX表示电压等级
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
D
I
TSM1
I
TSM2
I
2
t
dI
T
/ DT
P
合计
P
TM
T
英镑
T
a
T
vj
参数
连续电压
非重复峰值电流
不重复通态电流
I
2
吨融合
率通态电流上升
经过V
（BO）
开启
连续耗散
峰值功耗
储存温度
工作环境温度
过载结温
10/320
s
脉冲当量为
10/700
s,
1.6千伏电压冲击
（ CCITT K17 ）
半正弦波; T = 10毫秒;
T
j
= 70℃暴涨前
t
p
= 10毫秒
t
p
= 10
s
T
a
= 25C
t
p
= 1毫秒;牛逼
a
= 25C
关闭状态
导通状态
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
-
马克斯。
75％的
V
（ BO ）典型值
40
15
1.1
50
1.2
50
150
70
150
单位
V
A
A
A
2
s
A / μs的
W
W
C
C
C
1996年8月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
击穿二极管
BR211系列
热阻
符号
R
第j个-E
R
日J-一
Z
日J-一
R
个E- TP
R
个E-一
R
第TP-A
参数
热阻结到
信封
热阻结到
环境
热阻抗交界处
环境
热电阻信封
连接点
热电阻信封
环境
热电阻连接点，以
环境
条件
分钟。
-
安装如图： 12
t
p
= 1毫秒
铅长为5mm
导线长度= 10毫米
铅长为5mm
导线长度= 10毫米
安装如图： 12
装有1厘米
2
铜
每线层压板。
装有2.25平方厘米铜
每铅层压
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
22
105
2.62
15
30
440
350
70
55
45
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
V
TM1
V
（ BR ）
V
（BO）
参数
通态电压
雪崩电压（最小值）
导通电压（最大）
条件
I
TM
= 2 A
I
（ BR ）
= 10
mA
I
≤
I
S
, t
p
= 100
s
BR211-140
BR211-160
BR211-180
BR211-200
BR211-220
BR211-240
BR211-260
BR211-280
分钟。
-
123
140
158
176
193
211
228
246
-
150
100
10
-
典型值。
-
140
160
180
200
220
240
260
280
+0.1
-
-
200
-
马克斯。
2.5
157
180
202
224
247
269
292
314
-
-
-
1000
10
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
%/K
mA
mA
mA
A
S
（ BR ）
I
H2
I
S3
I
D4
V温度COEF网络cient
（ BR ）
保持电流
T
j
= 25C
T
j
= 70C
开关电流
t
p
= 100
s
FF-态电流
V
D
= 85% V
（ BR ）分
, T
j
= 70C
1
脉冲的条件下测量，以避免过大的功耗
2
在该二极管将保持在导通状态下的最小电流
3
所需的雪崩电流的二极管切换到导通状态
4
测得最大推荐连续电压。照度
≤
500勒克斯（光照） ;相对的
湿气< 65％。
1996年8月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
击穿二极管
BR211系列
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
C
j
参数
对关闭状态上升的线性速度
电压，不会引发任何
设备
关态电容
条件
V
（ DM ）
= 85% V
（ BR ）分
; T
j
= 70 C
V
D
= 0 V ; F = 1千赫至1 MHz
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
2000
100
单位
V / μs的
pF
当前
IT
VT
20
ITSM / A
BR211
I
ITSM2
时间
15
IS
IH
ID
V（ BR ）
I（ BR ）
VD
电压
5
V（ BO ）
10
符号
对称BOD
0
1
10
100
脉冲数
1000
10000
图1 。的击穿二极管特性的定义。
如图3所示。最大允许非重复通态
基于正弦电流的电流; F = 50赫兹;
装置在每一个脉冲的起始触发;牛逼
j
= 70C
前激增。
V（ BR ） （ TJ ）
V（ BR ） （ 25°C ）
当前
1.06
100%
90%
ITSM
1.04
1.02
1.00
50%
0.98
0.96
30%
0.94
0.92
0
10us
700us
时间
0.90
-40
-20
0
20
40
TJ / C
60
80
100
图2 。高压脉冲I测试波形（
TSM1
)
根据CCITT第IX -REC K17 。
图4 。归一化的雪崩击穿电压V
（ BR ）
和V
（BO）
作为温度的函数。
1996年8月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
击穿二极管
BR211系列
20
IT / A
TJ = 25℃
TJ = 150℃
10 IH / A
15
1
10
典型值
最大
0.1
民
5
0.01
0
1
2
VT / V
3
4
0.001
-50
0
50
TJ / C
100
150
图5 。通态电流的导通状态的函数
电压;牛逼
p
= 200
s至避免过度消耗。
100号/微安
图8 。最小保持电流为函数
温度。
100
CJ / PF
10
最大
典型值
BR211-140
BR211-280
10
1
0.1
-40
-20
0
20
40
TJ / C
60
80
100
1
1
10
VD / V
100
1000
图6 。最大断态电流的函数
温度。
图9 。典型结电容的一个函数
断态电压， F = 1MHz的;牛逼
j
= 25C.
第Z / （K / W）
BR211
10 IS / A
1000
1
最大
典型值
100
0.1
10
0.01
民
1
P
D
t
p
t
0.001
-50
0
50
TJ / C
100
150
0.1
10us
1ms
0.1s
TP /秒
10s
1000s
图7 。开关电流结的功能
温度。
图10 。瞬态热阻抗。
日J-一
= F （T
p
).
1996年8月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
击穿二极管
BR211系列
连接点
RTH J- ê
信封
RTH E- TP
领带点
Rth的TP-A
3
50
50
RTH E-一
7
25
2
环境
图11 。热电阻元件，
RTHE
一。 （ Rthe
tp
+
Rthtp
a)
RTH
a
=
RTH
e
+
（ Rthe -
a
+
RTHE
tp
+
Rthtp
a)
图12 。安装在印刷电路板中使用的R
th
测量。
1996年8月
5
启1.200
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