bq77910
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SLUSA07B
–
2010年8月
–
经修订的2011年5月
单机多节锂离子/聚合物精密保护器
检查样品：
bq77910
1
特点
4-，5- ， 6-，7- ， 8-，9- ，或10节串联保护
单个电池的电压监控
低边NMOS FET驱动器进行充电和
放电控制
兼容1 - mΩ的电流检测电阻器
电源电压范围从5.6 V至50 V
集成3.3 -V微功耗LDO稳压器
低电源电流
–
普通模式： 50
A,
典型
–
关断模式，关断LDO ： 3
A,
典型
38引脚TSSOP封装
内置50 - mA的自动电池平衡
自动电池平衡使用内部提供
50 mA的电池电路。一个强大的均衡算法
通过维持所有细胞，能确保最佳性能
电压平衡。平衡可以被配置为
操作在任何时候，只有在充电，或者可以是
完全禁止。
在BQ77910的其他先进的安全功能
包括控制分离电源路径的能力
的MOSFET ，开孔感在线检测
机构，并检测一个开放的能力或
短路的外部温度传感器。
可编程保护功能
可编程阈值检测范围广
和延迟时间
可配置为多种细胞类型和应用
要求：
–
电池过压
–
电池欠压
–
包放电过电流
–
包放电短路
–
组充电短路电流
可变增益（ × 1
×5)
电流检测电路
–
适用于宽范围的电流检测
电阻器（ 1 mΩ至5 mΩ的典型值）的大小
应用需求
固定的硬件保护功能
预设过热保护
开放式小区检测
开路和短路热敏电阻检测
掉电保护快速关断场效应管下
低电量状态，避免FET过热
应用
充电式电动工具
无绳草坪设备
电动自行车
UPS
医疗设备
轻型电动车（ LEV ）
描述
该BQ77910精密保护器是一个完整的
独立，自包含电池和保护
细胞平衡装置适用于锂离子/聚合物
电池组。
该BQ77910监测4到10个系列单个细胞
电压，并提供快速的演技输出端可用
可用于驱动N沟道MOSFET，以中断
电源路径。激活延迟和恢复方法
每个安全状况是完全可编程
非易失性存储器。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权
2010-2011年，德州仪器
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经修订的2011年5月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
引脚的详细信息
引脚功能（ 38引脚封装）
针
名字
BAT
CCAP
CHG
CHGST
CPCKN
DCAP
DPCKN
DSG
EEPROM
GND
NC
SCLK
SDATA
SENSE （ + ）
SENSE （ - ）
TS
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VC6
VC7
VC8
VC9
VC10
VC11
VREG
VSS1
VSS2
VTSB
泽德
号
31
20
21
14
19
16
18
17
28
23, 24, 25
2, 4, 30, 35,
37
27
26
10
9
13
32
33
34
36
38
1
3
5
6
7
8
12
29
11
15
22
电源电压时，连接到最高的细胞（+）
能量存储电容器，用于充电FET驱动
充电FET （n沟道）的栅极驱动
充电器状态输入，用来检测充电器连接/唤醒
PACK
–
充电器负端（充电器回报）
储能电容的放电FET驱动器
PACK
–
放电负端（负载回报）
放电FET （n沟道）的栅极驱动
EEPROM编程电压输入。连接到VSS正常运行。
逻辑地（不适用于电源回路或模拟参考） 。 VSS连接。
无连接（请勿连接）外部。如果不能离开NC引脚开路可能导致误操作。
用于因EEPROM编程串行通信时钟输入
串行通信的数据输入/用于EEPROM编程（漏极开路）输出
电流检测输入
电流检测输入
温度传感输入
对于大多数阳性细胞感电压输入端
对于第二大阳性细胞感电压输入端
对于第三大部分阳性细胞感应电压输入端
第四，大多数阳性细胞感电压输入端
第五，大部分阳性细胞感电压输入端
第六，大多数阳性细胞感电压输入端
第七，大多数阳性细胞感电压输入端
第八，大多数阳性细胞感电压输入端
第九，大多数阳性细胞感电压输入端
对于tenthmost阳性（最负）细胞感电压输入端
大多数阴性细胞（ - ）端子（ BAT- ）
集成3.3 -V稳压器输出
模拟地（基板参考）
模拟地（基板参考）
热敏电阻偏置电源（从VREG来源）
零延迟
测试模式引脚。启用串行通信接口，最大限度地减少保护延迟时间
当连接到逻辑高电平。连接到VSS正常运行。推荐一个强大的连接。
描述
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电气规格
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
值/单位
直流电源电压范围，V
最大
BAT
DPCKN
CPCKN
细胞与细胞间的差， VCX于VC （X + 1 ）中，x = 1至10
SENSE （ + ）
输入电压范围，V
IN
SENSE （ - ）
SCLK ， SDATA ，泽德
TS ， CHGST
(3) (4)
EEPROM
单元格中输入VCX ， X = 1-10
单元格中输入VC11
CHG参考CPCKN
输出电压范围，V
O
目前的电池平衡，我
CB
稳压器电流，我
REG
存储温度范围，T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
DSG参考VSS
VTSB
(2)
(2)
–0.3
（5
×
细胞N） V，N =数量
在包执行
–0.3
V到50 V
（ BAT
–
50 ） V至（ BAT + 0.9 ）V
–0.3
V到9 V
–3
V至3伏
–0.3
V到50 V
–0.3
V至7 V
–0.3
V到V BAT
–0.3
V到15 V
(11
–
x)
×
5 V
–3
V至3伏
–
0.3 V至15 V
–0.3
V到15 V
–0.3
V至5 V
70毫安
45毫安
–65°C
至150℃
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只。该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有信号/逻辑引脚可被连接到所述包装的外部端子在内部钳位到5伏。如果在最大电压
找到这些信号的外部源超过钳位阈值时，从引脚到包装终端的串联电阻是需要
避免过载钳位电路。
CHGST和TS引脚都容许施加过电压所指出，允许充电器单容错能力。正常工作范围是
通常3.3 V或更低在这个引脚;由此，高电压这里看到可以对应于故障状态。
虽然没有损害结果时CHGST = VSS
–
0.3 V时，对于在上电时正常运行， CHGST必须
≥
VSS
–
0.25 V.
热信息
bq77910
热公制
(1)
θ
JA
θ
JA2
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JT2
结至环境热阻，非LDO
结至环境热阻， LDO
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(5)
结至顶部的特征参数，非LDO
结至顶部的特征参数， LDO
(6)
(6)
(3)
(4)
(2)
DBT
38针
71.7
115.8
18.5
33.9
1
38.9
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
(3)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
这些度量应该只用于计算结温由于功耗从I得到的用于
OUT
上加载VREG 。
结温计算功耗的所有其它信号源应该使用的标准值
θ
JA
和
ψ
JT
.
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
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