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不建议用于新设计
bq4287
实时时钟模块NVRAM控制
特点
直接时钟/日历替换 -
换货的IBM
AT兼容电脑和
其他应用程序
与功能兼容
DS1287 / DS1287A和
MC146818A
114字节通用非易失性的
存储
自动备份和供应
写保护,使外部
非易失性SRAM
整体式锂电池和晶体
160 ns的周期时间允许快速公交
手术
英特尔总线时序
14字节时钟/日历和
控制
对于时钟BCD或二进制格式
和日历数据
日历日的一周中的一天,天
月,月和年
自动闰年调整
每天以秒,分钟时间,
和小时
114字节通用非易失性的
存储。
该bq4287写保护,时钟,
日历和存储寄存器能很好地协同
荷兰国际集团断电。积分
备份电源,然后main-
tains数据和操作的时钟
和日历。
该bq4287使用其组成由电池
备份控制器和电池,使
标准CMOS非易失性SRAM
在电源故障情况。中
自动电源失效时, bq4287
写保护外部SRAM和
提供了一个V
CC
从输出的来源
内置电池。
该bq4287是一个完全兼容
实时时钟为IBM AT兼容
电脑和其它应用程序。
由于运到Benchmarq的
备份电池是电隔离的
从存储器。继第一
应用程序的V
CC
这个隔离
坏了,备份单元提供
数据保存到该时钟,内部
RAM ,V
OUT
和CE
OUT
在之后,又
quent的断电。
该bq4287在功能上等价
借给bq4285 ,不同之处在于
电池(16 ,20)和晶体引脚(2,
3)不可访问。这些引脚
内部连接到一硬币电池
和石英晶体。纽扣电池亲
容量的志愿组织130mAh 。对于
功能完整描述, OP-
的工作条件,电气特
开创性意义,总线时序,和DE-脚
scriptions ,看到bq4285数据
表。
注意事项:
小心避免无意解散
充电通过V
OUT
和CE
OUT
之后,电池隔离已
坏了。
-
-
12或24小时格式
选购夏令时
调整
可编程方波输出
三个独立的可屏蔽IN-
中断事件标志:
-
-
-
周期率从122
s
to
500毫秒
时间的日报警每秒一次
第二,以每天一次
结束时的时钟更新周期
每更好的超过一分钟
一个月时钟精度
概述
在CMOS bq4287是一个低功率的
微处理器外设提供
时间 - 日期时钟和百年校准 -
endar带报警功能和BAT-
tery操作。其他功能IN-
CLUDE三个可屏蔽中断
源,方波输出,并且
引脚连接
引脚名称
AD
0
-AD
7
复用的地址/数据
输入/输出
片选输入
地址选通输入
数据选通输入
读/写输入
中断请求输出
复位输入
方波输出
RAM芯片使能输入
RAM芯片使能输出
无连接
电源输出
+ 5V电源
CS
ALE
RD
WR
INT
RST
SQW
CE
IN
CE
OUT
NC
V
OUT
V
CC
V
SS
VOUT
NC
NC
AD0
AD1
AD2
AD3
AD4
AD5
AD6
AD7
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
SQW
CEOUT
CEIN
NC
INT
RST
RD
NC
WR
ALE
CS
24引脚DIP模块
PN428701.eps
1993年11月
1
不建议用于新设计
bq4287
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
T
SOLDER
注意:
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
储存温度
在偏置温度
焊接温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
0至+70
-40到+70
-10至+70
260
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
V
T
V
CC
+ 0.3
广告
广告
广告
10秒
条件
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。置身于CON组
超越经营范围的时间过长ditions可能会影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= T
OPR
)
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
注意:
参数
电源电压
电源电压
输入低电压
输入高电压
最低
4.5
0
-0.3
2.2
典型
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
DC电气特性
(T
A
= T
OPR
, V
CC
= 5V
±
10%)
符号
C
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
CC
I
建行
V
SO
V
PFD
V
BC
V
OUT1
V
OUT2
I
CE
注意:
参数
电池容量
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
工作电源电流
电池工作电流
电源开关过电压
掉电检测电压
备份电池电压
V
OUT
电压
V
OUT
电压
芯片使能输入电流
最低
-
-
-
2.4
-
-
-
-
4.0
-
V
CC
- 0.3V
V
BC
- 0.3V
-
典型
130
-
-
-
-
7
0.3
3.0
4.17
3.0
-
-
-
最大
-
±
1
±
1
-
0.4
15
0.5
-
4.35
-
-
-
100
条件/注意事项
毫安时请参考典型BAT-图
tery特性部分
A
V
IN
= V
SS
到V
CC
A
AD
0
-AD
7
, INT和SQW在
高阻抗
V
I
OH
= -1.0毫安
V
I
OL
= 4.0毫安
马敏。周期,占空比为100 % ,我
OH
= 0毫安,我
OL
= 0毫安
A
V
BC
= 3V ,T
A
= 25 ℃,无负荷
在V
OUT
或CE
OUT
V
V
内置备用电池电压;
V
是指在典型BAT-图
tery特性部分
V
I
OUT
= 100mA时V
CC
& GT ; V
BC
V
I
OUT
= 100μA ,V
CC
& LT ; V
BC
A
内部50K的上拉
单位
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C,V
CC
= 5V.
1993年11月
2
不建议用于新设计
bq4287
掉电/上电时序
符号
t
F
t
R
t
企业社会责任
参数
V
CC
摆在4.5V至0V
V
CC
摆在0V至4.5V
CS在V
IH
上电后
数据保留时间和
保持时间
写保护时间
外部RAM
最低
300
100
20
(T
A
= T
OPR )
典型
-
-
-
最大
-
-
200
单位
s
s
ms
内置写保护
V期后
CC
通过V
PFD
上电。
T
A
= 25 ° C,在V无负载
OUT
or
CE
OUT
.
V后延时
CC
减慢
以往V
PFD
之前, SRAM是
写保护。
时间在此期间,外
SRAM被写保护后,
V
CC
通过V
PFD
上电。
条件
t
DR
10
-
-
岁月
t
WPT
10
16
30
s
t
CER
芯片使能的恢复时间
芯片使能繁殖
延迟到外部SRAM
t
企业社会责任
-
t
企业社会责任
ms
t
CED
注意:
-
7
10
ns
时钟精度优于
±
在t期间每月1分钟25℃的
DR
.
注意:负下冲低于-0.3V在电池备份模式下的绝对最大额定值
可能影响数据的完整性。
掉电/上电时序
1993年11月
3
不建议用于新设计
bq4287
典型的电池特性
(来源=松下)
CR1632负载特性
3.50
温度: 20C( 68F )
3.00
电压
(V)
2.50
2.00
15K
(190 A)
30K
(95 A)
100K
(29 A)
1.50
0
1000
2000
3000
4000
5000
时间(小时)
CR1632容量与负载电阻
150
60℃ ( 140F )
125
20C( 68F )
100
容量
(毫安时)
75
50
25
切断V : 2.0V
0
负载( K) 1
( A)
|
2000
|
1000
|
500
10
|
300
|
200
|
100
|
50
100
|
30
1993年11月
4
不建议用于新设计
bq4287
CR1632工作电压和负载电阻
3.20
3.00
60℃ ( 140F )
2.80
电压
(V)
2.60
20C( 68F )
2.40
-10℃ ( 14F )
电压在50 %放电
2.20
负载( K) 1
( UA)
|
2000
|
1000
|
500
10
|
300
|
200
|
100
|
50
100
|
30
CR1632温度特性
3.50
负载: 15K ( 190 )
60℃ ( 140F )
3.00
电压
(V)
-10℃ ( 14F )
20C( 68F )
2.50
2.00
1.50
0
100
200
300
400
时间(小时)
500
600
700
800
1993年11月
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BQ4287MT-SB2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13711580601
联系人:郭
地址:深圳市福田区华强北华强广场B座
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DIP
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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
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