bq4024/bq4024Y
功能说明
当功率是有效的，则bq4024用作标准
CMOS SRAM 。在断电和上电周期，
该bq4024用作非易失性存储器时，自动
保护和维护的存储内容。
掉电/上电控制电路不断MONI-
器的V
CC
供应电源故障检测阈值
V
PFD
。对于V的bq4024显示器
PFD
= 4.62V典型
使用含5％容差的供应系统。该bq4024Y
显示器的V
PFD
= 4.37V典型的系统中使用
有10 ％的供应能力。
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，所述SRAM的
自动写保护数据。所有输出如下─
来到高阻抗，并且所有的输入都被视为
“不关心”。如果一个有效的连接过程在时间
掉电检测，存储周期持续的COM
完井。如果存储器周期未能在终止
时间T
WPT
，写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
并接近3V ，控制
电路切换到内部锂电池备用电源，
它提供了数据保留，直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到内部备用上方的水平
单电池电压，电源被切换回至V
CC
。后
V
CC
斜上方的V
PFD
阈值时，写保护
持续一段时间t
CER
（ 120ms的最大值） ，以允许
处理器的稳定。可以在正常的内存操作
在此时间后恢复。
所使用的bq4024内部硬币电池具有EX-
tremely长的保质期，并提供数据保存
超过10年，在没有系统电源。
由于运到Benchmarq ，积分锂电池
从存储器中电隔离。 （自我
排在该条件下大约为0.5 ％，每
年）继V的第一个应用程序
CC
这间隔离
化被打破，而锂备份提供数据重新
张力在随后的断电。
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
T
SOLDER
注意：
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
储存温度
在偏置温度
焊接温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
0至+70
-40到+70
-10至+70
+260
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
10秒
V
T
≤
V
CC
+ 0.3
条件
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。置身于CON组
超越经营范围的时间过长ditions可能会影响器件的可靠性。
1992年9月
2
bq4024/bq4024Y
建议的直流工作条件
值（TA = 0 70℃ ）
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
注意：
参数
电源电压
电源电压
输入低电压
输入高电压
最低
4.5
4.75
0
-0.3
2.2
典型
5.0
5.0
0
-
-
最大
5.5
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
笔记
bq4024Y
bq4024
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
值（TA = 0 70℃ ， VCCmin
≤
VCC
≤
VCCmax ）
典型
-
-
-
-
5
2.5
最大
±
2
±
1
-
0.4
11
5
单位
A
A
V
V
mA
mA
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE
≥
V
CC
- 0.2V,
0V
≤
V
IN
≤
0.2V,
或V
IN
≥
V
CC
- 0.2V
分钟。周期，占空比为100 ％ ，
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
bq4024
bq4024Y
DC电气特性
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
最低
-
-
2.4
-
-
-
I
CC
V
PFD
V
SO
注意：
工作电源电流
-
4.55
95
4.62
4.37
3
200
4.75
4.50
-
mA
V
V
V
掉电检测电压
电源开关过电压
4.30
-
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V.
电容
（ TA = 25°C ， F = 1MHz时， VCC = 5.0V ）
符号
C
I / O
C
IN
注意：
参数
输入/输出电容
输入电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
10
20
单位
pF
pF
条件
输出电压= 0V
输入电压= 0V
这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
1992年9月
3
bq4024/bq4024Y
功能说明
当功率是有效的，则bq4024用作标准
CMOS SRAM 。在断电和上电周期，
该bq4024用作非易失性存储器时，自动
保护和维护的存储内容。
掉电/上电控制电路不断MONI-
器的V
CC
供应电源故障检测阈值
V
PFD
。对于V的bq4024显示器
PFD
= 4.62V典型
使用含5％容差的供应系统。该bq4024Y
显示器的V
PFD
= 4.37V典型的系统中使用
有10 ％的供应能力。
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，所述SRAM的
自动写保护数据。所有输出如下─
来到高阻抗，并且所有的输入都被视为
“不关心”。如果一个有效的连接过程在时间
掉电检测，存储周期持续的COM
完井。如果存储器周期未能在终止
时间T
WPT
，写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
并接近3V ，控制
电路切换到内部锂电池备用电源，
它提供了数据保留，直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到内部备用上方的水平
单电池电压，电源被切换回至V
CC
。后
V
CC
斜上方的V
PFD
阈值时，写保护
持续一段时间t
CER
（ 120ms的最大值） ，以允许
处理器的稳定。可以在正常的内存操作
在此时间后恢复。
所使用的bq4024内部硬币电池具有EX-
tremely长的保质期，并提供数据保存
超过10年，在没有系统电源。
由于运到Benchmarq ，积分锂电池
从存储器中电隔离。 （自我
排在该条件下大约为0.5 ％，每
年）继V的第一个应用程序
CC
这间隔离
化被打破，而锂备份提供数据重新
张力在随后的断电。
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
T
SOLDER
注意：
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
储存温度
在偏置温度
焊接温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
0至+70
-40到+70
-10至+70
+260
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
10秒
V
T
≤
V
CC
+ 0.3
条件
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。置身于CON组
超越经营范围的时间过长ditions可能会影响器件的可靠性。
1992年9月
2
bq4024/bq4024Y
建议的直流工作条件
值（TA = 0 70℃ ）
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
注意：
参数
电源电压
电源电压
输入低电压
输入高电压
最低
4.5
4.75
0
-0.3
2.2
典型
5.0
5.0
0
-
-
最大
5.5
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
笔记
bq4024Y
bq4024
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
值（TA = 0 70℃ ， VCCmin
≤
VCC
≤
VCCmax ）
典型
-
-
-
-
5
2.5
最大
±
2
±
1
-
0.4
11
5
单位
A
A
V
V
mA
mA
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE
≥
V
CC
- 0.2V,
0V
≤
V
IN
≤
0.2V,
或V
IN
≥
V
CC
- 0.2V
分钟。周期，占空比为100 ％ ，
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
bq4024
bq4024Y
DC电气特性
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
最低
-
-
2.4
-
-
-
I
CC
V
PFD
V
SO
注意：
工作电源电流
-
4.55
95
4.62
4.37
3
200
4.75
4.50
-
mA
V
V
V
掉电检测电压
电源开关过电压
4.30
-
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V.
电容
（ TA = 25°C ， F = 1MHz时， VCC = 5.0V ）
符号
C
I / O
C
IN
注意：
参数
输入/输出电容
输入电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
10
20
单位
pF
pF
条件
输出电压= 0V
输入电压= 0V
这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
1992年9月
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