bq4015/Y
512Kx8非易失SRAM
特点
数据保留至少10
多年无动力
在自动写保护
上电/掉电周期
传统SRAM的工作，
包括无限制的写周期
电池BE-内部隔离
前发电应用
业界标准的32引脚DIP
引脚
34针寿命锂
模块
-
-
SNAP-ON电源源
锂电池备份
更换动力源
（零件号： bq40MS ）
是无条件写保护，以
防止意外写操作
化。
此时的积分能量
源被接通，以维持
内存中，直到经过V
CC
回报
有效的。
该bq4015 / Y采用极低
待机电流CMOS SRAM的cou-
PLED小纽扣锂电池，以
提供非易失性不长
写周期时间和写周期
限制与EE-相关
舞会。
该bq4015 / Y ，无需外部
电路和与兼容
行业标准的4Mb SRAM引脚
出。
概述
该CMOS bq4015 / Y是nonvola-
瓷砖4,194,304位静态RAM器官
8位美化版为524,288字。该
积分控制电路和lith-
IUM能源提供了可靠的
非易失性再加上非
标准限量的写周期
SRAM 。
控制电路不断
监视5V单电源为
出公差条件。当
V
CC
属于出公差时， SRAM
-
模块完全
表面安装
引脚连接
引脚名称
A0–A18
地址输入
DQ0 - DQ7数据的输入/输出
NC
A15
A16
NC
V
CC
WE
OE
CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
DQ
2
DQ
1
DQ
0
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
A18
A17
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
CE
OE
WE
NC
V
CC
V
SS
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
无连接
电源电压输入
地
34针寿命锂模块
PN4015Yncm.eps
32引脚DIP模块
PN401501.eps
选购指南
部分
数
bq4015x -70
bq4015x -85
最大
ACCESS
时间（纳秒）
70
85
负
供应
公差
-5%
-5%
部分
数
bq4015Yx -70
bq4015Yx -85
最大
ACCESS
时间（纳秒）
70
85
负
供应
公差
-10%
-10%
注意：
X = MA的PDIP或MS终身锂模块。
5/99 E
1
bq4015/Y
功能说明
当功率是有效的，则bq4015 / Y作为标操作
准CMOS SRAM 。在断电和上电
周期中， bq4015 / Y作为非易失性存储器的作用，自动
matically保护和维护内存CON-
帐篷。
掉电/上电控制电路不断MONI-
器的V
CC
供应电源故障检测阈值
V
PFD
。对于V的bq4015显示器
PFD
= 4.62V典型
使用含5％容差的供应系统。该bq4015Y
显示器的V
PFD
= 4.37V典型的系统中使用
有10 ％的供应能力。
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，所述SRAM的
自动写保护数据。所有输出如下─
来到高阻抗，并且所有的输入都被视为
“不关心”。如果一个有效的连接过程在时间
掉电检测，存储周期持续的COM
完井。如果存储器周期未能在终止
时间T
WPT
，写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
并接近3V ，控制
电路切换到内部锂电池备用电源，
它提供了数据保留，直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到内部备用上方的水平
单电池电压，电源被切换回至V
CC
。后
V
CC
斜上方的V
PFD
阈值时，写保护
持续一段时间t
CER
（ 120ms的最大值） ，以允许
处理器的稳定。可以在正常的内存操作
在此时间后恢复。
所使用的bq4015内部硬币电池/ Y具有一个EX-
tremely长的保质期，并提供数据保存
超过10年，在没有系统电源。
由于运到的Unitrode ，积分锂电池
对MT型组件是由电绝缘
内存。 （自放电在这种条件下是近似
三方共同每年0.5％ ）之后的第一个应用程序
V
CC
，这种隔离被打破，而备用锂电池
提供后续的断电数据保持。
寿命锂封装选项的运
两个部分。
框图
OE
1024K ×8
SRAM
块
A
0
–A
18
WE
DQ
0
-DQ
7
动力
CE
CON
CE
电源故障
控制
V
CC
锂
CELL
BD4015.eps
2
bq4015/Y
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
T
OPR
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
0至+70
-40至+85
-40到+70
-40至+85
-10至+70
-40至+85
+260
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
°C
°C
V
T
≤
V
CC
+ 0.3
广告
工业“N”
广告
工业“N”
广告
工业“N”
10秒
条件
T
英镑
储存温度
T
BIAS
T
SOLDER
注意：
在偏置温度
焊接温度
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。置身于CON组
超越经营范围的时间过长ditions可能会影响器件的可靠性。
3
bq4015/Y
建议的直流工作条件
（ TA = TOPR ）
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
注意：
参数
电源电压
4.75
电源电压
输入低电压
输入高电压
0
-0.3
2.2
5.0
0
-
-
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
V
V
V
V
bq4015
最低
4.5
典型
5.0
最大
5.5
单位
V
笔记
bq4015Y
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
DC电气特性
（ TA = TOPR ， VCCmin
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
最低
-
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
3
0.1
≤
VCC
≤
VCCmax ）
最大
±
1
±
1
-
0.4
5
1
单位
A
A
V
V
mA
mA
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE
≥
V
CC
- 0.2V,
0V
≤
V
IN
≤
0.2V,
或V
IN
≥
V
CC
- 0.2
分钟。周期，占空比为100 ％ ，
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，
A17 < V
IL
或A17 > V
IH
,
A18 < V
IL
或A18 > V
IH
bq4015
bq4015Y
典型
I
CC
工作电源电流
-
-
90
mA
V
PFD
V
SO
注意：
掉电检测电压
电源开关过电压
4.55
4.30
-
4.62
4.37
3
4.75
4.50
-
V
V
V
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V.
电容
（ TA = 25°C ， F = 1MHz时， VCC = 5.0V ）
符号
C
I / O
C
IN
注意：
参数
输入/输出电容
输入电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
条件
输出电压= 0V
输入电压= 0V
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
4
bq4015/Y
512Kx8非易失SRAM
特点
数据保留至少10
多年无动力
在自动写保护
上电/掉电周期
传统SRAM的工作，
包括无限制的写周期
电池BE-内部隔离
前发电应用
业界标准的32引脚DIP
引脚
34针寿命锂
模块
-
-
SNAP-ON电源源
锂电池备份
更换动力源
（零件号： bq40MS ）
是无条件写保护，以
防止意外写操作
化。
此时的积分能量
源被接通，以维持
内存中，直到经过V
CC
回报
有效的。
该bq4015 / Y采用极低
待机电流CMOS SRAM的cou-
PLED小纽扣锂电池，以
提供非易失性不长
写周期时间和写周期
限制与EE-相关
舞会。
该bq4015 / Y ，无需外部
电路和与兼容
行业标准的4Mb SRAM引脚
出。
概述
该CMOS bq4015 / Y是nonvola-
瓷砖4,194,304位静态RAM器官
8位美化版为524,288字。该
积分控制电路和lith-
IUM能源提供了可靠的
非易失性再加上非
标准限量的写周期
SRAM 。
控制电路不断
监视5V单电源为
出公差条件。当
V
CC
属于出公差时， SRAM
-
模块完全
表面安装
引脚连接
引脚名称
A0–A18
地址输入
DQ0 - DQ7数据的输入/输出
NC
A15
A16
NC
V
CC
WE
OE
CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
DQ
2
DQ
1
DQ
0
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
A18
A17
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
CE
OE
WE
NC
V
CC
V
SS
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
无连接
电源电压输入
地
34针寿命锂模块
PN4015Yncm.eps
32引脚DIP模块
PN401501.eps
选购指南
部分
数
bq4015x -70
bq4015x -85
最大
ACCESS
时间（纳秒）
70
85
负
供应
公差
-5%
-5%
部分
数
bq4015Yx -70
bq4015Yx -85
最大
ACCESS
时间（纳秒）
70
85
负
供应
公差
-10%
-10%
注意：
X = MA的PDIP或MS终身锂模块。
5/99 E
1
bq4015/Y
功能说明
当功率是有效的，则bq4015 / Y作为标操作
准CMOS SRAM 。在断电和上电
周期中， bq4015 / Y作为非易失性存储器的作用，自动
matically保护和维护内存CON-
帐篷。
掉电/上电控制电路不断MONI-
器的V
CC
供应电源故障检测阈值
V
PFD
。对于V的bq4015显示器
PFD
= 4.62V典型
使用含5％容差的供应系统。该bq4015Y
显示器的V
PFD
= 4.37V典型的系统中使用
有10 ％的供应能力。
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，所述SRAM的
自动写保护数据。所有输出如下─
来到高阻抗，并且所有的输入都被视为
“不关心”。如果一个有效的连接过程在时间
掉电检测，存储周期持续的COM
完井。如果存储器周期未能在终止
时间T
WPT
，写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
并接近3V ，控制
电路切换到内部锂电池备用电源，
它提供了数据保留，直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到内部备用上方的水平
单电池电压，电源被切换回至V
CC
。后
V
CC
斜上方的V
PFD
阈值时，写保护
持续一段时间t
CER
（ 120ms的最大值） ，以允许
处理器的稳定。可以在正常的内存操作
在此时间后恢复。
所使用的bq4015内部硬币电池/ Y具有一个EX-
tremely长的保质期，并提供数据保存
超过10年，在没有系统电源。
由于运到的Unitrode ，积分锂电池
对MT型组件是由电绝缘
内存。 （自放电在这种条件下是近似
三方共同每年0.5％ ）之后的第一个应用程序
V
CC
，这种隔离被打破，而备用锂电池
提供后续的断电数据保持。
寿命锂封装选项的运
两个部分。
框图
OE
1024K ×8
SRAM
块
A
0
–A
18
WE
DQ
0
-DQ
7
动力
CE
CON
CE
电源故障
控制
V
CC
锂
CELL
BD4015.eps
2
bq4015/Y
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
T
OPR
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
0至+70
-40至+85
-40到+70
-40至+85
-10至+70
-40至+85
+260
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
°C
°C
V
T
≤
V
CC
+ 0.3
广告
工业“N”
广告
工业“N”
广告
工业“N”
10秒
条件
T
英镑
储存温度
T
BIAS
T
SOLDER
注意：
在偏置温度
焊接温度
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。置身于CON组
超越经营范围的时间过长ditions可能会影响器件的可靠性。
3
bq4015/Y
建议的直流工作条件
（ TA = TOPR ）
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
注意：
参数
电源电压
4.75
电源电压
输入低电压
输入高电压
0
-0.3
2.2
5.0
0
-
-
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
V
V
V
V
bq4015
最低
4.5
典型
5.0
最大
5.5
单位
V
笔记
bq4015Y
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
DC电气特性
（ TA = TOPR ， VCCmin
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
最低
-
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
3
0.1
≤
VCC
≤
VCCmax ）
最大
±
1
±
1
-
0.4
5
1
单位
A
A
V
V
mA
mA
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE
≥
V
CC
- 0.2V,
0V
≤
V
IN
≤
0.2V,
或V
IN
≥
V
CC
- 0.2
分钟。周期，占空比为100 ％ ，
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，
A17 < V
IL
或A17 > V
IH
,
A18 < V
IL
或A18 > V
IH
bq4015
bq4015Y
典型
I
CC
工作电源电流
-
-
90
mA
V
PFD
V
SO
注意：
掉电检测电压
电源开关过电压
4.55
4.30
-
4.62
4.37
3
4.75
4.50
-
V
V
V
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V.
电容
（ TA = 25°C ， F = 1MHz时， VCC = 5.0V ）
符号
C
I / O
C
IN
注意：
参数
输入/输出电容
输入电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
条件
输出电压= 0V
输入电压= 0V
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
4
不建议用于新设计
bq4015/Y/LY
www.ti.com
SLUS125B - 1999年5月 - 修订2010年1月
有512K × 8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ）
检查样品：
bq4015/Y/LY
1
特点
数据保存至少10年不
动力
在自动写保护
上电/掉电周期
传统的SRAM运行，包括
没有写次数限制
电池的电源之前，内部隔离
应用
5 V或3.3 V工作
工业标准的32引脚DIP封装
控制电路持续监控单
供应超差的情况。当V
CC
属于出公差时， SRAM是无条件
写保护，以防止意外的写入
操作。
此时的积分能量源被接通
维持内存中，直到V后
CC
返回有效。
该bq4015 / Y / LY采用极低的待机电流
CMOS SRAM的，再加上小纽扣锂电池
提供非易失性不长写周期时间
和与其相关联的写周期的限制
EEPROM 。
该bq4015 / Y / LY无需外部电路，并
与业界标准的4 -MB SRAM兼容
引脚排列。
概述
该CMOS bq4015 / Y / LY是一种非易失性
4,194,304位静态RAM组织为524,288字
由8位。积分控制电路和锂
能源提供可靠的非易失性结合
与标准SRAM的无限的写入周期。
引脚连接
32引脚DIP模块
（ TOP VIEW ）
A
18
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
17
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有1999-2010 ，德州仪器
bq4015/Y/LY
不建议用于新设计
www.ti.com
SLUS125B - 1999年5月 - 修订2010年1月
设备信息
表1.端子功能
终奌站
名字
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
OE
V
CC
V
SS
WE
数
12
11
10
9
8
7
6
5
27
26
23
25
4
28
3
31
2
30
1
22
13
14
15
17
18
19
20
21
24
32
16
29
I / O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I
I
-
I
输出使能输入
电源电压输入
地
写使能输入
数据输入/输出
芯片使能输入
地址输入
描述
功能说明
当功率是有效的，则bq4015 / Y / LY用作标准CMOS SRAM中。在断电和上电
周期中， bq4015 / Y / LY用作非易失性存储器时，自动保护和保存在存储器
目录。
掉电/上电控制电路持续监控V
CC
供应电源故障检测阈值V
PFD
.
对于V的bq4015显示器
PFD
= 4.62 V典型的5 -V系统中使用了5％的供应能力。该bq4015Y
显示器的V
PFD
= 4.37 V典型的5 -V系统中使用10％的电源容限。该bq4015LY监视
V
PFD
= 2.90 V（典型值）在3.3 V系统中使用。
2
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SLUS125B - 1999年5月 - 修订2010年1月
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，会自动SRAM写保护数据。所有输出成为
高阻抗，并且所有的输入都被视为
不在乎。
如果一个有效的访问是在处理时的时间掉电
检测时，存储器周期继续进行到完成。如果存储周期未能在时间t终止
WPT
,
写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
和方法V
SO
时，控制电路转换到内部锂备用电源，
它提供了数据保留，直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到上面的内部备用电池电压电平，电源被切换回至V
CC
。 V后
CC
斜上方的V
PFD
阈值时，写保护持续时间t
CER
（ 120毫秒maximumin 5 - V系统， 85
MS最大的3.3 -V系统） ，让处理器稳定。普通内存手术后可以恢复
这次。
所使用的bq4015内部纽扣电池/ Y / LY有一个非常长的保质期和提供数据保留
超过10年，在没有系统电源。
由于运到TI的MT型模块的积分锂电池电从内存中分离出来。
（自放电在这种条件下是每年约0.5％。 ）按照Ⅴ的第一应用
CC
这
隔离被打破，而锂备份提供了数据保留在随后的断电。
框图
DIP模块
bq4015/Y/LY
MA包装
OE
512 k × 8
SRAM
块
A
0
- A
18
DQ
0
- DQ
7
WE
动力
CE
CON
CE
电源故障
控制
V
CC
+
锂
CELL
UDG-06075
表2.真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
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订购信息
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录数据表的末尾，或者查看
TI网站www.ti.com 。
表3.选择指南
设备号
bq4015MA-70
bq4015MA-85
bq4015YMA-70
bq4015YMA-85
bq4015LYMA-70N
最大
ACCESS
时间（纳秒）
70
85
70
85
70
-10
3.3
负电源
公差
(%)
-5
5
-40到85
额定输入
电压
V
CC
(V)
温度
(°C)
表4.零件编号
产品
LINE
bq40
内存
密度
15
10 = 8 k × 8
11 = 32 k × 8
13 = 128 k × 8
14 = 256 k × 8
15 = 512 k × 8
16 = 1024 k × 8
17 = 2048 k × 8
输入
电压
(V)
L
空白= 5
L= 3.3
负
供应
公差
Y
空白= 5 ％
Y = 10%
包
MA
MA = DIP
速度
（纳秒）
70
70
85
100
120
150
200
-40到85
温度
(°C)
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绝对最大额定值
(1)
参数
V
CC
直流电压施加在相对VCC和VSS
条件
bq4015Y
bq4015
bq4015LY
bq4015Y
V
T
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
T
SOLDER
(1)
直流电压施加在任意引脚除外
V
VT
≤
V
VCC
+0.3 V
VCC相对于VSS
工作温度
储存温度
在偏置温度
焊接温度
10秒
bq4015
bq4015LY
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
-0.3 6.0
-0.3 7.0
-0.3 7.0
-0.3 （V
CC
+ 0.3)
-40到85
-40到85
-40到85
260
°C
V
V
单位
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作应限于该
建议的直流工作条件详见本数据表。置身于超越经营范围条件下，其
时间会影响器件的可靠性。
推荐工作条件（T
A
= T
OPR
)
民
bq4015Y
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
(1)
电源电压
电源电压
低电平输入电压
高电平输入电压
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
bq4015
bq4015LY
4.50
4.75
3.00
0
–0.3
2.2
典型值
(1)
5.00
5.00
3.30
0
最大
5.50
5.50
3.60
0
0.8
V
CC
+ 0.3
V
单位
DC电气特性
T
A
= T
OPR
, V
CC（分钟）
≤
V
CC
≤
V
CC（ MAX）的
参数
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
bq4015
I
CC
工作电源电流
bq4015Y
bq4015LY
bq4015
V
PFD
掉电检测电压
bq4015Y
bq4015LY
bq4015
V
SO
电源开关过电压
bq4015Y
bq4015LY
(1)
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5.0 V或V
CC
= 3.3 V.
4.55
4.30
2.85
4.62
4.37
2.90
3
3
2.9
最小周期，占空比为100 ％ ，
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE
≥
V
CC
– 0.2 V, 0V
≤
V
IN
≤
0.2 V,
或V
IN
≥
V
CC
–0.2
1
0.1
2.4
0.4
2
1
50
50
4.75
4.50
2.95
V
民
典型值
(1)
最大
±1
±1
单位
μA
V
μA
mA
mA
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bq4015/Y/LY
5
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