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bq4015/Y
512Kx8非易失SRAM
特点
数据保留至少10
多年无动力
在自动写保护
上电/掉电周期
传统SRAM的工作,
包括无限制的写周期
电池BE-内部隔离
前发电应用
业界标准的32引脚DIP
引脚
34针寿命锂
模块
-
-
SNAP-ON电源源
锂电池备份
更换动力源
(零件号: bq40MS )
是无条件写保护,以
防止意外写操作
化。
此时的积分能量
源被接通,以维持
内存中,直到经过V
CC
回报
有效的。
该bq4015 / Y采用极低
待机电流CMOS SRAM的cou-
PLED小纽扣锂电池,以
提供非易失性不长
写周期时间和写周期
限制与EE-相关
舞会。
该bq4015 / Y ,无需外部
电路和与兼容
行业标准的4Mb SRAM引脚
出。
概述
该CMOS bq4015 / Y是nonvola-
瓷砖4,194,304位静态RAM器官
8位美化版为524,288字。该
积分控制电路和lith-
IUM能源提供了可靠的
非易失性再加上非
标准限量的写周期
SRAM 。
控制电路不断
监视5V单电源为
出公差条件。当
V
CC
属于出公差时, SRAM
-
模块完全
表面安装
引脚连接
引脚名称
A0–A18
地址输入
DQ0 - DQ7数据的输入/输出
NC
A15
A16
NC
V
CC
WE
OE
CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
DQ
2
DQ
1
DQ
0
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
A18
A17
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
CE
OE
WE
NC
V
CC
V
SS
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
无连接
电源电压输入
34针寿命锂模块
PN4015Yncm.eps
32引脚DIP模块
PN401501.eps
选购指南
部分
bq4015x -70
bq4015x -85
最大
ACCESS
时间(纳秒)
70
85
供应
公差
-5%
-5%
部分
bq4015Yx -70
bq4015Yx -85
最大
ACCESS
时间(纳秒)
70
85
供应
公差
-10%
-10%
注意:
X = MA的PDIP或MS终身锂模块。
5/99 E
1
bq4015/Y
功能说明
当功率是有效的,则bq4015 / Y作为标操作
准CMOS SRAM 。在断电和上电
周期中, bq4015 / Y作为非易失性存储器的作用,自动
matically保护和维护内存CON-
帐篷。
掉电/上电控制电路不断MONI-
器的V
CC
供应电源故障检测阈值
V
PFD
。对于V的bq4015显示器
PFD
= 4.62V典型
使用含5%容差的供应系统。该bq4015Y
显示器的V
PFD
= 4.37V典型的系统中使用
有10 %的供应能力。
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时,所述SRAM的
自动写保护数据。所有输出如下─
来到高阻抗,并且所有的输入都被视为
“不关心”。如果一个有效的连接过程在时间
掉电检测,存储周期持续的COM
完井。如果存储器周期未能在终止
时间T
WPT
,写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
并接近3V ,控制
电路切换到内部锂电池备用电源,
它提供了数据保留,直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到内部备用上方的水平
单电池电压,电源被切换回至V
CC
。后
V
CC
斜上方的V
PFD
阈值时,写保护
持续一段时间t
CER
( 120ms的最大值) ,以允许
处理器的稳定。可以在正常的内存操作
在此时间后恢复。
所使用的bq4015内部硬币电池/ Y具有一个EX-
tremely长的保质期,并提供数据保存
超过10年,在没有系统电源。
由于运到的Unitrode ,积分锂电池
对MT型组件是由电绝缘
内存。 (自放电在这种条件下是近似
三方共同每年0.5% )之后的第一个应用程序
V
CC
,这种隔离被打破,而备用锂电池
提供后续的断电数据保持。
寿命锂封装选项的运
两个部分。
框图
OE
1024K ×8
SRAM
A
0
–A
18
WE
DQ
0
-DQ
7
动力
CE
CON
CE
电源故障
控制
V
CC
CELL
BD4015.eps
2
bq4015/Y
真值表
模式
未选择
输出禁用
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
T
OPR
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
0至+70
-40至+85
-40到+70
-40至+85
-10至+70
-40至+85
+260
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
°C
°C
V
T
V
CC
+ 0.3
广告
工业“N”
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工业“N”
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工业“N”
10秒
条件
T
英镑
储存温度
T
BIAS
T
SOLDER
注意:
在偏置温度
焊接温度
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。置身于CON组
超越经营范围的时间过长ditions可能会影响器件的可靠性。
3
bq4015/Y
建议的直流工作条件
( TA = TOPR )
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
注意:
参数
电源电压
4.75
电源电压
输入低电压
输入高电压
0
-0.3
2.2
5.0
0
-
-
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
V
V
V
V
bq4015
最低
4.5
典型
5.0
最大
5.5
单位
V
笔记
bq4015Y
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
DC电气特性
( TA = TOPR , VCCmin
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
最低
-
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
3
0.1
VCC
VCCmax )
最大
±
1
±
1
-
0.4
5
1
单位
A
A
V
V
mA
mA
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE
V
CC
- 0.2V,
0V
V
IN
0.2V,
或V
IN
V
CC
- 0.2
分钟。周期,占空比为100 % ,
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安,
A17 < V
IL
或A17 > V
IH
,
A18 < V
IL
或A18 > V
IH
bq4015
bq4015Y
典型
I
CC
工作电源电流
-
-
90
mA
V
PFD
V
SO
注意:
掉电检测电压
电源开关过电压
4.55
4.30
-
4.62
4.37
3
4.75
4.50
-
V
V
V
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C,V
CC
= 5V.
电容
( TA = 25°C , F = 1MHz时, VCC = 5.0V )
符号
C
I / O
C
IN
注意:
参数
输入/输出电容
输入电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
条件
输出电压= 0V
输入电压= 0V
这些参数进行采样,而不是100 %测试。
4
bq4015/Y
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载(包括范围和夹具)
测试条件
0V至3.0V
5纳秒
1.5V(除非另有规定)
参见图1和2
图1.输出负载一
图2.输出负载B
读周期
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
( TA = TOPR , VCCmin
VCC
VCCmax )
-70
参数
分钟。
70
-
-
-
5
5
0
0
10
马克斯。
-
70
70
35
-
-
25
25
-
-85/-85N
分钟。
85
-
-
-
5
0
0
0
10
马克斯。
-
85
85
45
-
-
35
25
-
-120/-120N
分钟。
120
-
-
-
5
0
0
0
10
马克斯。
-
120
120
60
-
-
45
35
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
输出负载A
输出负载A
输出负载A
输出负载B
输出负载B
输出负载B
输出负载B
输出负载A
条件
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能在低Z输出
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
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