bq4014/bq4014Y
功能说明
当功率是有效的，则bq4014用作标准
CMOS SRAM 。在断电和上电周期，
该bq4014用作非易失性存储器时，自动
保护和维护的存储内容。
掉电/上电控制电路不断
监视V
CC
供应电源故障检测阈值
V
PFD
。对于V的bq4014显示器
PFD
= 4.62V典型
使用含5％容差的供应系统。该bq4014Y
显示器的V
PFD
= 4.37V典型的系统中使用同
10 ％的供应能力。
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，所述SRAM的
自动写保护数据。所有输出
成为高阻抗，并且所有的输入都被视为
“不关心”。如果一个有效的连接过程在时间
掉电检测，存储周期持续的COM
完井。如果存储器周期未能在终止
时间T
WPT
，写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
并接近3V ，控制
电路切换到内部锂电池备用电源，
它提供了数据保留，直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到内部备用上方的水平
单电池电压，电源被切换回至V
CC
。后
V
CC
斜上方的V
PFD
阈值时，写保护
持续一段时间t
CER
（ 120ms的最大值） ，以允许
处理器的稳定。可以在正常的内存操作
在此时间后恢复。
所使用的bq4014内部硬币电池具有
极长的保质期，并提供数据保存
超过10年，在没有系统电源。
由于运到Benchmarq ，积分锂电池
从存储器中电隔离。 （自放电
在这种条件下是每年约0.5％ ）。
继V的第一个应用程序
CC
这个隔离
断，并且该锂备份提供数据保留
在随后的断电。
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
T
SOLDER
注意：
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
储存温度
在偏置温度
焊接温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
0至+70
-40到+70
-10至+70
+260
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
10秒
V
T
≤
V
CC
+ 0.3
条件
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。接触
超越经营范围的时间过长条件下可能影响器件的可靠性。
1992年9月
2
bq4014/bq4014Y
建议的直流工作条件
值（TA = 0 70℃ ）
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
注意：
参数
电源电压
电源电压
输入低电压
输入高电压
最低
4.5
4.75
0
-0.3
2.2
典型
5.0
5.0
0
-
-
最大
5.5
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
笔记
bq4014Y
bq4014
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
≤
VCC
≤
VCCmax ）
单位
A
A
V
V
mA
mA
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE
≥
V
CC
- 0.2V,
0V
≤
V
IN
≤
0.2V,
或V
IN
≥
V
CC
- 0.2
分钟。周期，占空比为100 ％ ，
CE = V
IL
, I
I / O
= 0mAV ，
A17 < V
IL
或A17 > V
IH
bq4014
bq4014Y
DC电气特性
值（TA = 0 70℃ ， VCCmin
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
最低
-
-
2.4
-
-
-
典型
-
-
-
-
5
2.5
最大
±
2
±
2
-
0.4
12
5
I
CC
工作电源电流
-
4.55
75
4.62
4.37
3
110
4.75
4.50
-
mA
V
V
V
V
PFD
V
SO
注意：
掉电检测电压
电源开关过电压
4.30
-
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V.
电容
（ TA = 25°C ， F = 1MHz时， VCC = 5.0V ）
符号
C
I / O
C
IN
注意：
参数
输入/输出电容
输入电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
40
40
单位
pF
pF
条件
输出电压= 0V
输入电压= 0V
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
1992年9月
3
bq4014/bq4014Y
功能说明
当功率是有效的，则bq4014用作标准
CMOS SRAM 。在断电和上电周期，
该bq4014用作非易失性存储器时，自动
保护和维护的存储内容。
掉电/上电控制电路不断
监视V
CC
供应电源故障检测阈值
V
PFD
。对于V的bq4014显示器
PFD
= 4.62V典型
使用含5％容差的供应系统。该bq4014Y
显示器的V
PFD
= 4.37V典型的系统中使用同
10 ％的供应能力。
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，所述SRAM的
自动写保护数据。所有输出
成为高阻抗，并且所有的输入都被视为
“不关心”。如果一个有效的连接过程在时间
掉电检测，存储周期持续的COM
完井。如果存储器周期未能在终止
时间T
WPT
，写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
并接近3V ，控制
电路切换到内部锂电池备用电源，
它提供了数据保留，直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到内部备用上方的水平
单电池电压，电源被切换回至V
CC
。后
V
CC
斜上方的V
PFD
阈值时，写保护
持续一段时间t
CER
（ 120ms的最大值） ，以允许
处理器的稳定。可以在正常的内存操作
在此时间后恢复。
所使用的bq4014内部硬币电池具有
极长的保质期，并提供数据保存
超过10年，在没有系统电源。
由于运到Benchmarq ，积分锂电池
从存储器中电隔离。 （自放电
在这种条件下是每年约0.5％ ）。
继V的第一个应用程序
CC
这个隔离
断，并且该锂备份提供数据保留
在随后的断电。
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
T
SOLDER
注意：
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
储存温度
在偏置温度
焊接温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
0至+70
-40到+70
-10至+70
+260
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
10秒
V
T
≤
V
CC
+ 0.3
条件
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。接触
超越经营范围的时间过长条件下可能影响器件的可靠性。
1992年9月
2
bq4014/bq4014Y
建议的直流工作条件
值（TA = 0 70℃ ）
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
注意：
参数
电源电压
电源电压
输入低电压
输入高电压
最低
4.5
4.75
0
-0.3
2.2
典型
5.0
5.0
0
-
-
最大
5.5
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
笔记
bq4014Y
bq4014
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
≤
VCC
≤
VCCmax ）
单位
A
A
V
V
mA
mA
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE
≥
V
CC
- 0.2V,
0V
≤
V
IN
≤
0.2V,
或V
IN
≥
V
CC
- 0.2
分钟。周期，占空比为100 ％ ，
CE = V
IL
, I
I / O
= 0mAV ，
A17 < V
IL
或A17 > V
IH
bq4014
bq4014Y
DC电气特性
值（TA = 0 70℃ ， VCCmin
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
最低
-
-
2.4
-
-
-
典型
-
-
-
-
5
2.5
最大
±
2
±
2
-
0.4
12
5
I
CC
工作电源电流
-
4.55
75
4.62
4.37
3
110
4.75
4.50
-
mA
V
V
V
V
PFD
V
SO
注意：
掉电检测电压
电源开关过电压
4.30
-
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V.
电容
（ TA = 25°C ， F = 1MHz时， VCC = 5.0V ）
符号
C
I / O
C
IN
注意：
参数
输入/输出电容
输入电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
40
40
单位
pF
pF
条件
输出电压= 0V
输入电压= 0V
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
1992年9月
3
QQ：2881677436 复制
