bq4010/bq4010Y
功能说明
当功率是有效的，则bq4010用作标准
CMOS SRAM 。在断电和上电周期，
该bq4010用作非易失性存储器时，自动
保护和维护的存储内容。
掉电/上电控制电路不断
监视V
CC
供应电源故障检测阈值
V
PFD
。对于V的bq4010显示器
PFD
= 4.62V典型
使用含5％容差的供应系统。该bq4010Y
显示器的V
PFD
= 4.37V典型的系统中使用同
10 ％的供应能力。
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，所述SRAM的
自动写保护数据。所有输出
成为高阻抗，并且所有的输入都被视为
“不关心”。如果一个有效的连接过程在时间
掉电检测，存储周期持续的COM
完井。如果存储器周期未能在终止
时间T
WPT
，写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
并接近3V ，控制
电路切换到内部锂电池备用电源，
它提供了数据保留，直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到内部备用上方的水平
单电池电压，电源被切换回至V
CC
。后
V
CC
斜上方的V
PFD
阈值时，写保护
持续一段时间t
CER
（ 120ms的最大值） ，以允许
处理器的稳定。可以在正常的内存操作
在此时间后恢复。
所使用的bq4010内部硬币电池具有
极长的保质期，并提供了数据保存的
超过10年，在没有系统电源。
由于运到Benchmarq ，积分锂电池是
从该存储器电隔离。 （自放电
这个条件是每年约0.5％。 ）按照
V的第一个应用程序
CC
，这种隔离被打破，
锂电池备份提供了数据保留
随后的断电。
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
0至+70
T
OPR
-40至+85
-40到+70
T
英镑
储存温度
-40至+85
-10至+70
T
BIAS
T
SOLDER
注意：
在偏置温度
焊接温度
-40至+85
+260
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
°C
°C
V
T
≤
V
CC
+ 0.3
广告
工业“N”
广告
工业“N”
广告
工业“N”
10秒
条件
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。置身于CON组
超越经营范围的时间过长ditions可能会影响器件的可靠性。
1996年9月
6-2
bq4010/bq4010Y
建议的直流工作条件
（ TA = TOPR ）
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
注意：
参数
电源电压
电源电压
输入低电压
输入高电压
最低
4.5
4.75
0
-0.3
2.2
典型
5.0
5.0
0
-
-
最大
5.5
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
笔记
bq4010Y/bq4010Y-xxxN
bq4010
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
DC电气特性
（ TA = TOPR ， VCCmin
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
最低
-
-
2.4
-
-
-
典型
-
-
-
-
4
2.5
≤
VCC
≤
VCCmax ）
单位
A
A
V
V
mA
mA
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE
≥
V
CC
- 0.2V,
0V
≤
V
IN
≤
0.2V,
或V
IN
≥
V
CC
- 0.2V
分钟。周期，占空比为100 ％ ，
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
bq4010
bq4010Y
最大
±
1
±
1
-
0.4
7
4
I
CC
工作电源电流
-
4.55
65
4.62
4.37
3
75
4.75
4.50
-
mA
V
V
V
V
PFD
V
SO
注意：
掉电检测电压
电源开关过电压
4.30
-
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V.
电容
（ TA = 25°C ， F = 1MHz时， VCC = 5.0V ）
符号
C
I / O
C
IN
注意：
参数
输入/输出电容
输入电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
10
10
单位
pF
pF
条件
输出电压= 0V
输入电压= 0V
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
1996年9月
6-3
bq4010/Y/LY
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SLUS116A - 1999年5月 - 修订2007年4月
8 k
×
8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ）
特点
数据保存至少10年不
动力
在自动写保护
上电/掉电周期
传统的SRAM运行，包括
没有写次数限制
电池的电源之前，内部隔离
应用
5 V或3.3 V工作
工业标准的28引脚DIP或引脚
34针寿命锂 SMD引脚
Snap-on公司，可更换锂电池
对于SMD器件
（设备编号： bq401BATCAP ）
概述
该CMOS bq4010 / Y / LY是非易失性的65,536位
静态RAM由8位， 8,192字。该
积分控制电路和锂电池
提供可靠的非易失性加上
标准SRAM的无限写入周期。
控制电路持续监控单
供应超差的情况。当V
CC
属于出公差时， SRAM是无条件
写保护，以防止意外的写入
操作。
此时的积分能量源被接通
维持内存中，直到V后
CC
返回有效。
该bq4010 / Y / LY采用极低的待机
当前的CMOS静态存储器，加上小锂
钮扣电池提供非易失性不长
写周期时间和写周期的限制
与EEPROM相关联。
该bq4010 / Y / LY无需外部电路，并
与业界标准的64 -MB SRAM兼容
引脚排列。
引脚连接
28引脚DIP模块
（ TOP VIEW ）
34Pin
寿命锂模块
（ TOP VIEW ）
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
NC
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
NC / BW
NC
NC
NC / RST
V
CC
WE
OE
CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
DQ
2
DQ
1
DQ
0
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
NC
NC
NC
NC
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有1999-2007 ，德州仪器
bq4010/Y/LY
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SLUS116A - 1999年5月 - 修订2007年4月
设备信息
表1.端子功能
终奌站
名字
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
BW
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DIP-28
10
9
8
7
6
5
4
3
25
24
21
23
2
-
20
11
12
13
15
16
17
18
19
1
-
-
-
NC
26
-
-
-
OE
RST
V
CC
V
SS
WE
22
-
28
14
27
LLM-34
V
CC
= 3.3 V
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
1
8
16
15
14
13
12
11
10
9
-
2
3
-
-
31
32
33
34
7
4
5
17
6
LLM-34
V
CC
= 5 V
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
-
8
16
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
-
31
32
33
34
7
-
5
17
6
I
O
I
-
I
输出使能输入
上电复位系统CPU输出（开
漏）
电源电压输入
地
写使能输入
-
无连接
I / O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
O
I
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
数据输入/输出
电池报警输出（开漏）
芯片使能输入
地址输入
描述
2
提交文档反馈
bq4010/Y/LY
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SLUS116A - 1999年5月 - 修订2007年4月
功能说明
当功率是有效的，则bq4010 / Y / LY用作标准CMOS SRAM中。在断电和上电
周期中， bq4010 / Y / LY用作非易失性存储器时，自动保护和保存在存储器
目录。
掉电/上电控制电路持续监控V
CC
供应电源故障检测阈值V
PFD
.
对于V的bq4010显示器
PFD
= 4.62 V典型的5 -V系统中使用了5％的供应能力。该bq4010Y
显示器的V
PFD
= 4.37 V典型的5 -V系统中使用10％的电源容限。该bq4010LY监视
V
PFD
= 2.90 V（典型值）在3.3 V系统中使用。
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，会自动SRAM写保护数据。所有输出成为
高阻抗，并且所有的输入都被视为
不在乎。
如果一个有效的访问是在处理时的时间掉电
检测时，存储器周期继续进行到完成。如果存储周期未能在时间t终止
WPT
,
写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
和方法V
SO
时，控制电路转换到内部锂备用电源，
它提供了数据保留，直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到上面的内部备用电池电压电平，电源被切换回至V
CC
。 V后
CC
斜上方的V
PFD
阈值时，写保护持续时间t
CER
（最多5 -V系统120毫秒，
85毫秒最大的3.3 -V系统） ，让处理器稳定。正常的内存操作可能恢复
在此时间之后。
所使用的bq4010内部纽扣电池/ Y / LY有一个非常长的保质期和提供数据保留
超过10年，在没有系统电源。
由于运到TI的MT型模块的积分锂电池电从内存中分离出来。
（自放电在这种条件下是每年约0.5％。 ）按照Ⅴ的第一应用
CC
这
隔离被打破，而锂备份提供了数据保留在随后的断电。寿命
锂封装选项附带的两个设备，必须单独订购。
提交文档反馈
3
bq4010/Y/LY
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SLUS116A - 1999年5月 - 修订2007年4月
框图
DIP模块
bq4010/Y/LY
MA包装
锂电池的寿命
bq4010Y/LY
EBZ包装
OE
8k×8
SRAM
块
A
0
- A
12
DQ
0
- DQ
7
OE
8k×8
SRAM
块
A
0
- A
12
DQ
0
- DQ
7
WE
WE
动力
CE
CON
动力
CE
CON
CE
电源故障
控制
V
CC
CE
电源故障
控制
V
CC
+
锂
CELL
bq401BATCAP
+
锂
CELL
UDG-06075
4
提交文档反馈
bq4010/Y/LY
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SLUS116A - 1999年5月 - 修订2007年4月
订购信息
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录数据表的末尾，或者查看
TI网站www.ti.com 。
选购指南
设备号
bq4010MA-70
bq4010MA-85
bq4010MA-150
bq4010MA-200
bq4010YMA-70
bq4010YMA-85
bq4010YMA-150
bq4010YMA-200
bq4010YMA-70N
bq4010YMA-85N
bq4010YMA-150N
bq4010YEBZ-70N
bq4010LYMA-70N
bq4010LYEBZ-70N
70
3.3
最大
ACCESS
时间（纳秒）
70
85
150
200
70
85
150
200
70
85
150
-10
-40到85
5
-5
0到70
DIP
负电源
公差
(%)
额定输入
电压
V
CC
(V)
温度
(°C)
模块
锂电池的寿命
DIP
锂电池的寿命
零件编号
产品
LINE
bq40
内存
密度
10
10 = 8 k
×
8
11 = 32 k
×
8
13 = 128 k
×
8
14 = 256 k
×
8
15 = 512 k
×
8
16 = 1024 k
×
8
17 = 2048 k
×
8
输入
电压
(V)
L
空白= 5
L= 3.3
负
供应
公差
Y
空白= 5 ％
Y = 10%
包
MA
MA = DIP
EBZ = SMD
速度
（纳秒）
70
70
85
100
120
150
200
N =工业
（-40到85）的
温度
(°C)
N
空白=商业
（ 0-70 ）
提交文档反馈
5
bq4010/bq4010Y
功能说明
当功率是有效的，则bq4010用作标准
CMOS SRAM 。在断电和上电周期，
该bq4010用作非易失性存储器时，自动
保护和维护的存储内容。
掉电/上电控制电路不断
监视V
CC
供应电源故障检测阈值
V
PFD
。对于V的bq4010显示器
PFD
= 4.62V典型
使用含5％容差的供应系统。该bq4010Y
显示器的V
PFD
= 4.37V典型的系统中使用同
10 ％的供应能力。
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，所述SRAM的
自动写保护数据。所有输出
成为高阻抗，并且所有的输入都被视为
“不关心”。如果一个有效的连接过程在时间
掉电检测，存储周期持续的COM
完井。如果存储器周期未能在终止
时间T
WPT
，写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
并接近3V ，控制
电路切换到内部锂电池备用电源，
它提供了数据保留，直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到内部备用上方的水平
单电池电压，电源被切换回至V
CC
。后
V
CC
斜上方的V
PFD
阈值时，写保护
持续一段时间t
CER
（ 120ms的最大值） ，以允许
处理器的稳定。可以在正常的内存操作
在此时间后恢复。
所使用的bq4010内部硬币电池具有
极长的保质期，并提供了数据保存的
超过10年，在没有系统电源。
由于运到Benchmarq ，积分锂电池是
从该存储器电隔离。 （自放电
这个条件是每年约0.5％。 ）按照
V的第一个应用程序
CC
，这种隔离被打破，
锂电池备份提供了数据保留
随后的断电。
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
0至+70
T
OPR
-40至+85
-40到+70
T
英镑
储存温度
-40至+85
-10至+70
T
BIAS
T
SOLDER
注意：
在偏置温度
焊接温度
-40至+85
+260
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
°C
°C
V
T
≤
V
CC
+ 0.3
广告
工业“N”
广告
工业“N”
广告
工业“N”
10秒
条件
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。置身于CON组
超越经营范围的时间过长ditions可能会影响器件的可靠性。
1996年9月
6-2
bq4010/bq4010Y
建议的直流工作条件
（ TA = TOPR ）
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
注意：
参数
电源电压
电源电压
输入低电压
输入高电压
最低
4.5
4.75
0
-0.3
2.2
典型
5.0
5.0
0
-
-
最大
5.5
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
笔记
bq4010Y/bq4010Y-xxxN
bq4010
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
DC电气特性
（ TA = TOPR ， VCCmin
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
最低
-
-
2.4
-
-
-
典型
-
-
-
-
4
2.5
≤
VCC
≤
VCCmax ）
单位
A
A
V
V
mA
mA
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE
≥
V
CC
- 0.2V,
0V
≤
V
IN
≤
0.2V,
或V
IN
≥
V
CC
- 0.2V
分钟。周期，占空比为100 ％ ，
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
bq4010
bq4010Y
最大
±
1
±
1
-
0.4
7
4
I
CC
工作电源电流
-
4.55
65
4.62
4.37
3
75
4.75
4.50
-
mA
V
V
V
V
PFD
V
SO
注意：
掉电检测电压
电源开关过电压
4.30
-
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V.
电容
（ TA = 25°C ， F = 1MHz时， VCC = 5.0V ）
符号
C
I / O
C
IN
注意：
参数
输入/输出电容
输入电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
10
10
单位
pF
pF
条件
输出电压= 0V
输入电压= 0V
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
1996年9月
6-3
QQ：2881677436 复制
