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bq4010/bq4010Y
8Kx8非易失SRAM
特点
数据保留在没有
动力
自动写保护
在上电/掉电
周期
业界标准的28引脚8K ×8
引脚
传统的SRAM操作;
没有写次数限制
10年的最低数据保留
在断电情况下
电池内部隔离,直到
电源施加
概述
在CMOS bq4010是非易失性
65,536位静态RAM组织为
8,192字由8位。积分
控制电路和锂电池
来源提供可靠的非易失性
再加上无限的写
标准SRAM的周期。
控制电路不断
监视5V单电源为
出公差条件。当V
CC
属于出公差时, SRAM是
无条件写保护,以
防止意外的写入操作。
此时的积分能量
源被接通,以维持
内存中,直到经过V
CC
返回有效。
该bq4010采用极低
待机电流的CMOS SRAM ,
再加上一个小纽扣锂
电池提供非易失性不
长写周期时间,将写
周期限制关联
EEPROM 。
该bq4010无需外部税务局局长
cuitry是插座兼容
行业标准的SRAM和最
的EPROM和EEPROM的。
引脚连接
引脚名称
A
0
–A
12
DQ
0
-DQ
7
CE
OE
WE
NC
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
无连接
+5伏电源输入
框图
选购指南
部分
最大
ACCESS
时间(纳秒)
供应
公差
部分
bq4010Y -70
bq4010 -85
bq4010 -150
bq4010 -200
85
150
200
-5%
-5%
-5%
bq4010Y -85
bq4010Y -150
bq4010Y -200
最大
ACCESS
时间(纳秒)
70
85
150
200
供应
公差
-10%
-10%
-10%
-10%
1996年9月
1
bq4010/bq4010Y
功能说明
当功率是有效的,则bq4010用作标准
CMOS SRAM 。在断电和上电周期,
该bq4010用作非易失性存储器时,自动
保护和维护的存储内容。
掉电/上电控制电路不断
监视V
CC
供应电源故障检测阈值
V
PFD
。对于V的bq4010显示器
PFD
= 4.62V典型
使用含5%容差的供应系统。该bq4010Y
显示器的V
PFD
= 4.37V典型的系统中使用同
10 %的供应能力。
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时,所述SRAM的
自动写保护数据。所有输出
成为高阻抗,并且所有的输入都被视为
“不关心”。如果一个有效的连接过程在时间
掉电检测,存储周期持续的COM
完井。如果存储器周期未能在终止
时间T
WPT
,写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
并接近3V ,控制
电路切换到内部锂电池备用电源,
它提供了数据保留,直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到内部备用上方的水平
单电池电压,电源被切换回至V
CC
。后
V
CC
斜上方的V
PFD
阈值时,写保护
持续一段时间t
CER
( 120ms的最大值) ,以允许
处理器的稳定。可以在正常的内存操作
在此时间后恢复。
所使用的bq4010内部硬币电池具有
极长的保质期,并提供了数据保存的
超过10年,在没有系统电源。
由于运到Benchmarq ,积分锂电池是
从该存储器电隔离。 (自放电
这个条件是每年约0.5%。 )按照
V的第一个应用程序
CC
,这种隔离被打破,
锂电池备份提供了数据保留
随后的断电。
真值表
模式
未选择
输出禁用
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
0至+70
T
OPR
-40至+85
-40到+70
T
英镑
储存温度
-40至+85
-10至+70
T
BIAS
T
SOLDER
注意:
在偏置温度
焊接温度
-40至+85
+260
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
°C
°C
V
T
V
CC
+ 0.3
广告
工业“N”
广告
工业“N”
广告
工业“N”
10秒
条件
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。置身于CON组
超越经营范围的时间过长ditions可能会影响器件的可靠性。
1996年9月
6-2
bq4010/bq4010Y
建议的直流工作条件
( TA = TOPR )
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
注意:
参数
电源电压
电源电压
输入低电压
输入高电压
最低
4.5
4.75
0
-0.3
2.2
典型
5.0
5.0
0
-
-
最大
5.5
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
笔记
bq4010Y/bq4010Y-xxxN
bq4010
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
DC电气特性
( TA = TOPR , VCCmin
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
最低
-
-
2.4
-
-
-
典型
-
-
-
-
4
2.5
VCC
VCCmax )
单位
A
A
V
V
mA
mA
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE
V
CC
- 0.2V,
0V
V
IN
0.2V,
或V
IN
V
CC
- 0.2V
分钟。周期,占空比为100 % ,
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
bq4010
bq4010Y
最大
±
1
±
1
-
0.4
7
4
I
CC
工作电源电流
-
4.55
65
4.62
4.37
3
75
4.75
4.50
-
mA
V
V
V
V
PFD
V
SO
注意:
掉电检测电压
电源开关过电压
4.30
-
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C,V
CC
= 5V.
电容
( TA = 25°C , F = 1MHz时, VCC = 5.0V )
符号
C
I / O
C
IN
注意:
参数
输入/输出电容
输入电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
10
10
单位
pF
pF
条件
输出电压= 0V
输入电压= 0V
这些参数进行采样,而不是100 %测试。
1996年9月
6-3
bq4010/bq4010Y
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载(包括范围和夹具)
测试条件
0V至3.0V
5纳秒
1.5V(除非另有规定)
参见图1和2
图1.输出负载一
图2.输出负载B
读周期
( TA = TOPR , VCCmin
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能输出
有效
芯片使能输出
在低Z
输出使能输出
在低Z
芯片禁用输出
在高Z
输出禁止以
在高Z输出
从输出保持
地址变更
VCC
VCCmax )
-85/-85N
分钟。
85
-
-
-
5
5
0
0
10
马克斯。
-
85
85
45
-
-
40
30
-
-150/-150N
分钟。
150
-
-
-
10
5
0
0
10
MAX 。 MIN 。
-
150
150
70
-
-
60
50
-
200
-
-
-
10
5
0
0
10
-200
马克斯。
-
200
200
90
-
-
70
70
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
输出负载A
输出负载A
输出负载A
输出负载B
输出负载B
输出负载B
输出负载B
输出负载A
条件
-70/-70N
分钟。
70
-
-
-
5
5
0
0
10
马克斯。
-
70
70
35
-
-
25
25
-
1996年9月
6-4
bq4010/bq4010Y
读周期第1号(地址访问)
1,2
读周期号2 ( CE访问)
1,3,4
读周期3号( OE访问)
1,5
注意事项:
1.我们是高举一个读周期。
2.设备不断选择: CE = OE = V
IL
.
3.地址先于或重合与CE过渡低有效。
4. OE = V
IL
.
5.设备不断选择: CE = V
IL
.
1996年9月
6-5
bq4010/Y/LY
www.ti.com
SLUS116A - 1999年5月 - 修订2007年4月
8 k
×
8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V )
特点
数据保存至少10年不
动力
在自动写保护
上电/掉电周期
传统的SRAM运行,包括
没有写次数限制
电池的电源之前,内部隔离
应用
5 V或3.3 V工作
工业标准的28引脚DIP或引脚
34针寿命锂 SMD引脚
Snap-on公司,可更换锂电池
对于SMD器件
(设备编号: bq401BATCAP )
概述
该CMOS bq4010 / Y / LY是非易失性的65,536位
静态RAM由8位, 8,192字。该
积分控制电路和锂电池
提供可靠的非易失性加上
标准SRAM的无限写入周期。
控制电路持续监控单
供应超差的情况。当V
CC
属于出公差时, SRAM是无条件
写保护,以防止意外的写入
操作。
此时的积分能量源被接通
维持内存中,直到V后
CC
返回有效。
该bq4010 / Y / LY采用极低的待机
当前的CMOS静态存储器,加上小锂
钮扣电池提供非易失性不长
写周期时间和写周期的限制
与EEPROM相关联。
该bq4010 / Y / LY无需外部电路,并
与业界标准的64 -MB SRAM兼容
引脚排列。
引脚连接
28引脚DIP模块
( TOP VIEW )
34Pin
寿命锂模块
( TOP VIEW )
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
NC
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
NC / BW
NC
NC
NC / RST
V
CC
WE
OE
CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
DQ
2
DQ
1
DQ
0
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
NC
NC
NC
NC
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有1999-2007 ,德州仪器
bq4010/Y/LY
www.ti.com
SLUS116A - 1999年5月 - 修订2007年4月
设备信息
表1.端子功能
终奌站
名字
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
BW
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DIP-28
10
9
8
7
6
5
4
3
25
24
21
23
2
-
20
11
12
13
15
16
17
18
19
1
-
-
-
NC
26
-
-
-
OE
RST
V
CC
V
SS
WE
22
-
28
14
27
LLM-34
V
CC
= 3.3 V
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
1
8
16
15
14
13
12
11
10
9
-
2
3
-
-
31
32
33
34
7
4
5
17
6
LLM-34
V
CC
= 5 V
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
-
8
16
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
-
31
32
33
34
7
-
5
17
6
I
O
I
-
I
输出使能输入
上电复位系统CPU输出(开
漏)
电源电压输入
写使能输入
-
无连接
I / O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
O
I
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
数据输入/输出
电池报警输出(开漏)
芯片使能输入
地址输入
描述
2
提交文档反馈
bq4010/Y/LY
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SLUS116A - 1999年5月 - 修订2007年4月
功能说明
当功率是有效的,则bq4010 / Y / LY用作标准CMOS SRAM中。在断电和上电
周期中, bq4010 / Y / LY用作非易失性存储器时,自动保护和保存在存储器
目录。
掉电/上电控制电路持续监控V
CC
供应电源故障检测阈值V
PFD
.
对于V的bq4010显示器
PFD
= 4.62 V典型的5 -V系统中使用了5%的供应能力。该bq4010Y
显示器的V
PFD
= 4.37 V典型的5 -V系统中使用10%的电源容限。该bq4010LY监视
V
PFD
= 2.90 V(典型值)在3.3 V系统中使用。
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时,会自动SRAM写保护数据。所有输出成为
高阻抗,并且所有的输入都被视为
不在乎。
如果一个有效的访问是在处理时的时间掉电
检测时,存储器周期继续进行到完成。如果存储周期未能在时间t终止
WPT
,
写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
和方法V
SO
时,控制电路转换到内部锂备用电源,
它提供了数据保留,直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到上面的内部备用电池电压电平,电源被切换回至V
CC
。 V后
CC
斜上方的V
PFD
阈值时,写保护持续时间t
CER
(最多5 -V系统120毫秒,
85毫秒最大的3.3 -V系统) ,让处理器稳定。正常的内存操作可能恢复
在此时间之后。
所使用的bq4010内部纽扣电池/ Y / LY有一个非常长的保质期和提供数据保留
超过10年,在没有系统电源。
由于运到TI的MT型模块的积分锂电池电从内存中分离出来。
(自放电在这种条件下是每年约0.5%。 )按照Ⅴ的第一应用
CC
隔离被打破,而锂备份提供了数据保留在随后的断电。寿命
锂封装选项附带的两个设备,必须单独订购。
提交文档反馈
3
bq4010/Y/LY
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SLUS116A - 1999年5月 - 修订2007年4月
框图
DIP模块
bq4010/Y/LY
MA包装
锂电池的寿命
bq4010Y/LY
EBZ包装
OE
8k×8
SRAM
A
0
- A
12
DQ
0
- DQ
7
OE
8k×8
SRAM
A
0
- A
12
DQ
0
- DQ
7
WE
WE
动力
CE
CON
动力
CE
CON
CE
电源故障
控制
V
CC
CE
电源故障
控制
V
CC
+
CELL
bq401BATCAP
+
CELL
UDG-06075
4
提交文档反馈
bq4010/Y/LY
www.ti.com
SLUS116A - 1999年5月 - 修订2007年4月
订购信息
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录数据表的末尾,或者查看
TI网站www.ti.com 。
选购指南
设备号
bq4010MA-70
bq4010MA-85
bq4010MA-150
bq4010MA-200
bq4010YMA-70
bq4010YMA-85
bq4010YMA-150
bq4010YMA-200
bq4010YMA-70N
bq4010YMA-85N
bq4010YMA-150N
bq4010YEBZ-70N
bq4010LYMA-70N
bq4010LYEBZ-70N
70
3.3
最大
ACCESS
时间(纳秒)
70
85
150
200
70
85
150
200
70
85
150
-10
-40到85
5
-5
0到70
DIP
负电源
公差
(%)
额定输入
电压
V
CC
(V)
温度
(°C)
模块
锂电池的寿命
DIP
锂电池的寿命
零件编号
产品
LINE
bq40
内存
密度
10
10 = 8 k
×
8
11 = 32 k
×
8
13 = 128 k
×
8
14 = 256 k
×
8
15 = 512 k
×
8
16 = 1024 k
×
8
17 = 2048 k
×
8
输入
电压
(V)
L
空白= 5
L= 3.3
供应
公差
Y
空白= 5 %
Y = 10%
MA
MA = DIP
EBZ = SMD
速度
(纳秒)
70
70
85
100
120
150
200
N =工业
(-40到85)的
温度
(°C)
N
空白=商业
( 0-70 )
提交文档反馈
5
bq4010/bq4010Y
8Kx8非易失SRAM
特点
数据保留在没有
动力
自动写保护
在上电/掉电
周期
业界标准的28引脚8K ×8
引脚
传统的SRAM操作;
没有写次数限制
10年的最低数据保留
在断电情况下
电池内部隔离,直到
电源施加
概述
在CMOS bq4010是非易失性
65,536位静态RAM组织为
8,192字由8位。积分
控制电路和锂电池
来源提供可靠的非易失性
再加上无限的写
标准SRAM的周期。
控制电路不断
监视5V单电源为
出公差条件。当V
CC
属于出公差时, SRAM是
无条件写保护,以
防止意外的写入操作。
此时的积分能量
源被接通,以维持
内存中,直到经过V
CC
返回有效。
该bq4010采用极低
待机电流的CMOS SRAM ,
再加上一个小纽扣锂
电池提供非易失性不
长写周期时间,将写
周期限制关联
EEPROM 。
该bq4010无需外部税务局局长
cuitry是插座兼容
行业标准的SRAM和最
的EPROM和EEPROM的。
引脚连接
引脚名称
A
0
–A
12
DQ
0
-DQ
7
CE
OE
WE
NC
V
CC
V
SS
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
无连接
+5伏电源输入
框图
选购指南
部分
最大
ACCESS
时间(纳秒)
供应
公差
部分
bq4010Y -70
bq4010 -85
bq4010 -150
bq4010 -200
85
150
200
-5%
-5%
-5%
bq4010Y -85
bq4010Y -150
bq4010Y -200
最大
ACCESS
时间(纳秒)
70
85
150
200
供应
公差
-10%
-10%
-10%
-10%
1996年9月
1
bq4010/bq4010Y
功能说明
当功率是有效的,则bq4010用作标准
CMOS SRAM 。在断电和上电周期,
该bq4010用作非易失性存储器时,自动
保护和维护的存储内容。
掉电/上电控制电路不断
监视V
CC
供应电源故障检测阈值
V
PFD
。对于V的bq4010显示器
PFD
= 4.62V典型
使用含5%容差的供应系统。该bq4010Y
显示器的V
PFD
= 4.37V典型的系统中使用同
10 %的供应能力。
当V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时,所述SRAM的
自动写保护数据。所有输出
成为高阻抗,并且所有的输入都被视为
“不关心”。如果一个有效的连接过程在时间
掉电检测,存储周期持续的COM
完井。如果存储器周期未能在终止
时间T
WPT
,写保护发生。
为V
CC
属于过去的V
PFD
并接近3V ,控制
电路切换到内部锂电池备用电源,
它提供了数据保留,直到有效V
CC
被施加。
当V
CC
返回到内部备用上方的水平
单电池电压,电源被切换回至V
CC
。后
V
CC
斜上方的V
PFD
阈值时,写保护
持续一段时间t
CER
( 120ms的最大值) ,以允许
处理器的稳定。可以在正常的内存操作
在此时间后恢复。
所使用的bq4010内部硬币电池具有
极长的保质期,并提供了数据保存的
超过10年,在没有系统电源。
由于运到Benchmarq ,积分锂电池是
从该存储器电隔离。 (自放电
这个条件是每年约0.5%。 )按照
V的第一个应用程序
CC
,这种隔离被打破,
锂电池备份提供了数据保留
随后的断电。
真值表
模式
未选择
输出禁用
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
0至+70
T
OPR
-40至+85
-40到+70
T
英镑
储存温度
-40至+85
-10至+70
T
BIAS
T
SOLDER
注意:
在偏置温度
焊接温度
-40至+85
+260
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
°C
°C
V
T
V
CC
+ 0.3
广告
工业“N”
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工业“N”
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工业“N”
10秒
条件
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。置身于CON组
超越经营范围的时间过长ditions可能会影响器件的可靠性。
1996年9月
6-2
bq4010/bq4010Y
建议的直流工作条件
( TA = TOPR )
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
注意:
参数
电源电压
电源电压
输入低电压
输入高电压
最低
4.5
4.75
0
-0.3
2.2
典型
5.0
5.0
0
-
-
最大
5.5
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
笔记
bq4010Y/bq4010Y-xxxN
bq4010
典型值指示器件的工作在T
A
= 25°C.
DC电气特性
( TA = TOPR , VCCmin
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
SB1
I
SB2
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
待机电源电流
待机电源电流
最低
-
-
2.4
-
-
-
典型
-
-
-
-
4
2.5
VCC
VCCmax )
单位
A
A
V
V
mA
mA
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
or
WE = V
IL
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
CE = V
IH
CE
V
CC
- 0.2V,
0V
V
IN
0.2V,
或V
IN
V
CC
- 0.2V
分钟。周期,占空比为100 % ,
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
bq4010
bq4010Y
最大
±
1
±
1
-
0.4
7
4
I
CC
工作电源电流
-
4.55
65
4.62
4.37
3
75
4.75
4.50
-
mA
V
V
V
V
PFD
V
SO
注意:
掉电检测电压
电源开关过电压
4.30
-
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C,V
CC
= 5V.
电容
( TA = 25°C , F = 1MHz时, VCC = 5.0V )
符号
C
I / O
C
IN
注意:
参数
输入/输出电容
输入电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
10
10
单位
pF
pF
条件
输出电压= 0V
输入电压= 0V
这些参数进行采样,而不是100 %测试。
1996年9月
6-3
bq4010/bq4010Y
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载(包括范围和夹具)
测试条件
0V至3.0V
5纳秒
1.5V(除非另有规定)
参见图1和2
图1.输出负载一
图2.输出负载B
读周期
( TA = TOPR , VCCmin
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能输出
有效
芯片使能输出
在低Z
输出使能输出
在低Z
芯片禁用输出
在高Z
输出禁止以
在高Z输出
从输出保持
地址变更
VCC
VCCmax )
-85/-85N
分钟。
85
-
-
-
5
5
0
0
10
马克斯。
-
85
85
45
-
-
40
30
-
-150/-150N
分钟。
150
-
-
-
10
5
0
0
10
MAX 。 MIN 。
-
150
150
70
-
-
60
50
-
200
-
-
-
10
5
0
0
10
-200
马克斯。
-
200
200
90
-
-
70
70
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
输出负载A
输出负载A
输出负载A
输出负载B
输出负载B
输出负载B
输出负载B
输出负载A
条件
-70/-70N
分钟。
70
-
-
-
5
5
0
0
10
马克斯。
-
70
70
35
-
-
25
25
-
1996年9月
6-4
bq4010/bq4010Y
读周期第1号(地址访问)
1,2
读周期号2 ( CE访问)
1,3,4
读周期3号( OE访问)
1,5
注意事项:
1.我们是高举一个读周期。
2.设备不断选择: CE = OE = V
IL
.
3.地址先于或重合与CE过渡低有效。
4. OE = V
IL
.
5.设备不断选择: CE = V
IL
.
1996年9月
6-5
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    BQ4010Y
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