bq34z651
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SLUSAL7
–
2011年8月
SBS 1.1的电量监测计和保护已启用采用Impedance Track 和
外部电池加热器控制
检查样品：
bq34z651
1
特点
新一代专利的Impedance Track
技术精确测量可用
在充电锂离子和锂聚合物电池
–
优于1％的错误在的寿命
电池
支持智能电池技术规范
SBS V1.1
灵活的配置为2系列到4系列
锂离子和锂聚合物电池
电池温度加热器控制
功能强大的8位RISC CPU与超低功耗
模式
可编程保护全阵列
特点
–
电压，电流和温度
满足JEITA指引
更多的灵活性，以处理更复杂
充电配置文件
寿命数据记录
驱动3-，4-，和5段LED显示为
电池组条件
支持SHA - 1认证
完整的电池保护和电量监测计
在一个一揽子解决方案
采用44引脚TSSOP （ DBT ）套餐
应用
笔记本电脑
医疗和测试设备
便携式仪表
2
描述
该bq34z651 SBS兼容瓦斯超限和
保护IC ，器件采用专利的阻抗
Track技术，是一款单芯片解决方案
对于电池组或系统安装。该
bq34z651措施和维护一个准确
可充电锂离子或锂聚合物纪录
利用其集成的高性能电池
模拟外设。该bq34z651监控能力
变化，电池阻抗，开路电压，和
的电池组的其它关键参数，这
报告中的信息到系统主机控制器
通过串行通信总线。连同
集成的模拟前端（ AFE），短路和
过载保护，在bq34z651最大化
功能性和安全性，同时最大限度地减小外部
元件数量，成本和智能电池尺寸
电路。
在实施阻抗跟踪气体计量
技术的持续分析电池
阻抗，从而导致优异的气体计量
准确度。这使得能够剩余容量是
随放电速率，温度和细胞计算
老化过程中所有的每一个阶段，每一个占
周期以高精度。
表1.可选项
T
A
–40°C
至85℃
(1)
(2)
(3)
包
(1)
44引脚TSSOP （ DBT ）管
bq34z651DBT
(2)
44引脚TSSOP （ DBT）卷带式
bq34z651DBTR
(3)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
单管的数量是40台。
单卷盘数量为2000台。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
阻抗跟踪是德州仪器的商标。
版权
2011年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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2011年8月
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热信息
bq34z651
热公制
θ
JA ，高钾
θ
JC （顶部）
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JC （底部）
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(1)
TSSOP
44针
60.9
15.3
30.2
(5)
(6)
单位
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
(3)
结至顶部的特征参数
0.3
27.2
不适用
° C / W
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
2
版权
2011年，德州仪器
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
系统划分框图
PACK +
暖气
ZVCHG
GPOD
PRES
安全
PFIN
PACK
DSG
CHG
PMS
VCC
LED1
LED2
LED3
LED4
LED5
VSS
BAT
RBI
DISP
LED显示屏
保险丝熔断
检测&逻辑
振荡器
预充电FET
& GPOD驱动器
N沟道FET
DRIVE
电源模式
控制
MSRT
SMBD
SMB 1.1
SMBC
数据闪存
内存
电压
测量
电池电压
多路复用器
系统控制
AFE硬件控制
看门狗
RESET
警报
VCELL +
+
VC1
VC2
+
VC1
VC2
VC3
VDD
OUT
CD
GND
JEITA并
增强
充电
算法
过度
温度
保护
超过&下
电压
保护
阻抗
轨道气
衡量
VC3
电池平衡
VC4
+
VC4
+
bq294xx
VC5
HW过
当前&短
电路保护
REG33
稳压器
REG25
SHA-1
认证
温度
测量
过电流
保护
库仑
计数器
TS1
TS2
GSRP
TOUT
GSRN
PACK-
RSNS
5MΩ - 20毫欧（典型值）
ASRN
ASRP
版权
2011年，德州仪器
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2011年8月
终端功能
终奌站
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
(1)
名字
DSG
PACK
VCC
ZVCHG
GPOD
PMS
VSS
REG33
TOUT
VCELL +
警报
NC
TS1
TS2
PRES
PFIN
安全
SMBD
NC
SMBC
DISP
VSS
LED1
LED2
LED3
LED4
LED5
GSRP
GSRN
MRST
VSS
REG25
RBI
VSS
RESET
ASRN
ASRP
I / O
(1)
O
IA ，P
P
O
OD
I
P
P
P
—
I / OD
—
IA
IA
I
I
O
I / OD
—
I / OD
I / OD
P
I
I
I
I
I
IA
IA
I
P
P
P
P
O
IA
IA
描述
高侧N沟道放电FET的栅极驱动器
电池组输入电压检测输入。它也可作为设备唤醒时，器件处于关断
模式。
器件正电源输入。连接到CHG FET和DSG FET的中心连接
确保设备的电池组或电池组输入电源要么。
P沟道预充电FET栅极驱动
高压通用开漏输出。它可以被配置在预充电所使用
条件。
预充电模式设定输入端。连包装用充电FET ，使0V预充电
连接在CHG引脚。连接到VSS使用充电FET连接处禁用0 -V的预充电
CHG引脚。
负电源电压输入。将所有VSS引脚连接在一起的设备的操作。
3.3 V稳压器输出。至少有2.2 μF电容连接到REG33和VSS 。
热敏电阻偏置电源输出
内部电池电压多路复用器和放大器的输出。一个0.1 μF电容连接到VCELL +和
VSS 。
报警输出。如遇短路状态，过载情况和看门狗超时，该管脚
被触发。
未使用-悬空。
1
st
热敏电阻的电压输入连接到监测温度
2
nd
热敏电阻的电压输入连接到监测温度
低电平输入传感系统的插入。通常需要额外的ESD保护。
活性低的输入来检测二次保护装置的状态，并允许bq34z651以报告状态
在2
nd
-level保护输入
高电平输出执行安全防护附加水平;例如，熔丝熔断
SMBus的数据开漏双向引脚用于地址和数据传输到和从该
bq34z651
未使用-悬空。
SMBus时钟开漏双向引脚用于时钟数据传输和从bq34z651
显示控制的LED。该引脚通常通过一个100千欧电阻器和一个连接到VCC
推动连接到VSS的按钮开关。
负电源电压输入。将所有VSS引脚连接在一起的设备的操作。
来驱动外部LED根据固件配置LED1显示段
来驱动外部LED根据固件配置LED2显示段
来驱动外部LED根据固件配置LED3显示段
来驱动外部LED根据固件配置LED4显示段
来驱动外部LED根据固件配置LED5显示段
库仑计数器差分输入。连接到所述感测电阻器的一侧。
库仑计数器差分输入。连接到所述感测电阻器的一侧。
主复位输入，强制器件进入复位保持低电平时。必须高举正常
操作。连接复位设备的正确操作。
负电源电压输入。将所有VSS引脚连接在一起的设备的操作。
2.5 V稳压输出。至少1 μF的电容连接到REG25和VSS 。
RAM /寄存器备份输入。一个电容连接到这个引脚和VSS来保护丢失
万一短路状态RAM /寄存器的数据。
负电源电压输入。将所有VSS引脚连接在一起的设备的操作。
复位输出。连接到MSRT 。
短路和过载检测差分输入。连接到检测电阻器。
短路和过载检测差分输入。连接到检测电阻器。
I =输入， IA =模拟输入， I / O =输入/输出， I / OD =输入/漏极开路输出， O =输出， OA =模拟输出， P =电源
5
版权
2011年，德州仪器
QQ：2881677436 复制
