bq26221
SLUS607 - 2004年5月
高性能电池监控器IC
与库仑计，电压，温度测量
特点
D
连通直接随着集成
D
在TI OMAP处理器HDQ引擎
多功能监控集成电路
设计工作与智能主机
控制器：
- 提供收费信息的国家
充电电池
- 提供精确的电池电压，
温度测量
高精度库仑充
放电电流与整合
自动偏移补偿
11位模拟数字转换器报告
电池电压增益和失调
更正
差分电流检测
32字节的通用RAM
96字节的闪存（包括32字节
影闪存）
8字节的ROM ID
内部温度传感器消除了
无需外部热敏电阻
可编程数字输入/输出端口
高精度的内部时基可消除
外部晶体振荡器
低功耗：
- 操作： 30
A
- 睡眠： 1
A
- 休眠： 600 nA的
单线HDQ串行接口
包装： 8引脚TSSOP
描述
该bq26221是一种先进的电池监控
设备设计成精确地测量
充放电的充电电流
电池组。用于包装整合，
bq26221包含所有必需的功能，以
形成一个完整的电池的基础
便携式容量管理系统
应用，如蜂窝电话，PDA，或
等便携产品。
该bq26221与工作中的主控制器
便携式系统实现电池
管理系统。主机控制器
负责解释bq26221数据和
连通有意义电池数据到
最终用户或电源管理系统。
此设备提供了64个字节的通用
闪速存储器， 8个字节的ID ROM和32字节的
闪存支持的内存用于数据存储。该
非易失性存储器可以保持格式化的
电池监测信息，识别码，
保修信息，或其他严重不足
周期期间的参数，当电池是
暂时短路或深度放电。
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
PW包
（ TOP VIEW ）
D
D
RBI
VCC
VSS
HDQ
1
2
3
4
8
7
6
5
GPIO
SRP
SRN
BAT
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
www.ti.com
1
bq26221
SLUS607 - 2004年5月
订购信息
T
A
-20℃ 70℃
包
TSSOP
产品型号
bq26221PW
顶部标记
26221
PW （ TSSOP - 8 ）封装提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如bq26221PWR ）到
订购每卷2000设备数量的TSSOP - 8 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
bq26221
电源电压（VCC相对于GND ）
输入电压， SRP和SRN ，打点， GPIO和BAT （所有相对于GND ）
输入电压， HDQ （相对于GND ）
电流输出（ GPIO ）
输出电流（ HDQ ）
工作自由空气的温度范围， TA
存储温度范围， TSTG
焊接温度（焊接， 10秒）
-0.3到+7.0
-0.3 V至VCC + 0.3 V
-0.3到+7.0
5
5
-20℃ 70℃
- 65 ℃150 ℃的
300
°C
C
mA
V
单位
（ 1 ）强调超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出推荐工作条件下所标明的任何其他条件的操作不暗示。
暴露在绝对最大额定值长时间会影响器件的可靠性条件
推荐工作条件
参数
VCC
V（ POR ）
TA
电源电压
上电复位电压
工作环境温度
民
2.8
1.9
20
最大
4.5
2.45
70
单位
V
V
_C
2
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bq26221
SLUS607 - 2004年5月
直流电气特性在推荐的工作温度和电源电压（除非
另有说明）
参数
ICC（ OP ）
我（ SLEEP ）
电源电流
睡眠电流
测试条件
VCC = 4.3 V，闪存编程不活跃
VCC = 4.3 V，闪存编程不活跃
0 < < VCC VPOR
VCC = 5.5
VCC = 5.5
打点针而已，
VOL = 0.4 V
1.2 V< VCC < V（ POR ）
21
21
民
典型值
30
1
最大
37
5
600
30
30
25
1
0.7
VCC < 4.2 V
VCC > 4.2 V
1.7
1.9
10
0.2 V < （ V（ SRP ） - V（ SRN ）
)
＆ LT ; VCC
10
M
M
V
mA
nA
mA
单位
A
A
nA
我（休眠），休眠电流
ICC （ PROG ）闪存编程电源电流
ICC （ ERASE ）闪存擦除电源电流
我（ RBI）
登记后备电流
IOL
VIL
VIH
RBAT
RSR
数字输出低灌电流GPIO
和HDQ引脚
数字输入低电平， GPIO和HDQ引脚
数字输入高电平， GPIO和HDQ引脚
BAT输入阻抗
SRP ， SRN输入阻抗
在推荐运行温度和电源电压定时特性（除非
另有说明）
参数
E（ TMR ）
定时精度误差
测试条件
民
4%
典型值
最大
4%
单位
在推荐的工作温度和送风温度寄存器特性
电压（除非另有说明）
参数
T（ RES ）
E（ T）
报告的温度分辨率
报告的温度
准确性
BQ26221PW
TSSOP封装
4
测试条件
民
典型值
0.25
4
_K
最大
单位
ADC的电压规格，在推荐运行温度和电源电压， （除非
另有说明）
参数
最显著位（ LSB ） （ 1 ）
积分非线性（ INL ）
微分非线性（ DNL ）
偏移误差
最大误差
测试条件
2.6 V
≤
VBAT
≤
4.5 V
2.6 V
≤
VBAT
≤
4.5 V ， VCC = VBAT
2.6 V
≤
VBAT
≤
4.5 V ， VCC = VBAT
2.6 V
≤
VBAT
≤
4.5 V ， VCC = VBAT
2.6 V
≤
VBAT
≤
4.5 V ， VCC = VBAT
4
1
3
9
民
典型值
2.44
+4
+1
+14
+15
最大
单位
mV
最低位
最低位
最低位
最低位
注： 1。有关参数的详细explantion参考应用笔记，
了解数据转换器，
TI文献号SLAA013 。
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3
bq26221
SLUS607 - 2004年5月
VFC的特点在推荐运行温度和电源电压（除非
另有说明）
参数
VI （ SR ）
G（ VFC ）
G（ VCC ）
G（ TCO ）
INL
V（ COS ）
输入电压VSRP - VSRN
充电/放电增益
电源电压增益系数
温度增益系数
集成非线性
自动补偿的补偿
-100毫伏< （ V（ SRP ） - V（ SRN ） ） < 100毫伏
2.8 V
≤
VCC
≤
4.2 V
20
温度= 25
_C,
VCC = 3.6
-100毫伏< （ V（ SRP ） - V（ SRN ） ） < 100毫伏
测试条件
民
100
90.0
93.5
0.5
0.005
0.2%
1
0.5%
20
V
典型值
最大
100
97.0
单位
mV
赫兹/ V
%/V
%/_C
在推荐运行温度和电源电压闪存特性
（除非另有说明）
参数
数据保留
闪存编程写周期
T（ BYTEPROG ）字节编程时间
内存到闪存块的编程
T（ BLCKPROG ）
时间
T（ BLKERASE ）块擦除时间
10,000
90
60
s
+ 30
微秒/字节
60
s
+ 30
微秒/字节
1020
1020
s
测试条件
民
典型值
最大
5
单位
岁月
周期
标准串行通信（ HDQ ）时序推荐工作规范
温度和电源电压（除非另有说明） 。参见图1和2 。
参数
T（ B）
T（ BR ）
T（ CYCH ）
T(HW1)
T(HW0)
T（菜籽多糖）
休息时间
休息恢复
主机位窗口
主机发送1
主机发送0
bq26221到主机响应
测试条件
民
190
40
190
0.5
92
190
190
5
32
80
50
145
50
145
320
250
ns
s
s
s
典型值
最大
单位
T（ CYCB ）
bq26221位窗口
T（开始检测）（1）
T(DW1)
T(DW0)
bq26221 ，送1
bq26221 ，发送0
注： 1。该bq26221的HDQ引擎解释5纳秒或更长的毛刺对HDQ为位开始。在5纳秒或更长的时间足够数量的毛刺
可能会导致不正确的数据被写入到该设备。该HDQ线应正确去抖处理，以确保不会发生这种情况。
4
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bq26221
SLUS607 - 2004年5月
高性能电池监控器IC
与库仑计，电压，温度测量
特点
D
连通直接随着集成
D
在TI OMAP处理器HDQ引擎
多功能监控集成电路
设计工作与智能主机
控制器：
- 提供收费信息的国家
充电电池
- 提供精确的电池电压，
温度测量
高精度库仑充
放电电流与整合
自动偏移补偿
11位模拟数字转换器报告
电池电压增益和失调
更正
差分电流检测
32字节的通用RAM
96字节的闪存（包括32字节
影闪存）
8字节的ROM ID
内部温度传感器消除了
无需外部热敏电阻
可编程数字输入/输出端口
高精度的内部时基可消除
外部晶体振荡器
低功耗：
- 操作： 30
A
- 睡眠： 1
A
- 休眠： 600 nA的
单线HDQ串行接口
包装： 8引脚TSSOP
描述
该bq26221是一种先进的电池监控
设备设计成精确地测量
充放电的充电电流
电池组。用于包装整合，
bq26221包含所有必需的功能，以
形成一个完整的电池的基础
便携式容量管理系统
应用，如蜂窝电话，PDA，或
等便携产品。
该bq26221与工作中的主控制器
便携式系统实现电池
管理系统。主机控制器
负责解释bq26221数据和
连通有意义电池数据到
最终用户或电源管理系统。
此设备提供了64个字节的通用
闪速存储器， 8个字节的ID ROM和32字节的
闪存支持的内存用于数据存储。该
非易失性存储器可以保持格式化的
电池监测信息，识别码，
保修信息，或其他严重不足
周期期间的参数，当电池是
暂时短路或深度放电。
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
PW包
（ TOP VIEW ）
D
D
RBI
VCC
VSS
HDQ
1
2
3
4
8
7
6
5
GPIO
SRP
SRN
BAT
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
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SLUS607 - 2004年5月
订购信息
T
A
-20℃ 70℃
包
TSSOP
产品型号
bq26221PW
顶部标记
26221
PW （ TSSOP - 8 ）封装提供卷带封装。加上R后缀的设备类型（例如bq26221PWR ）到
订购每卷2000设备数量的TSSOP - 8 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
bq26221
电源电压（VCC相对于GND ）
输入电压， SRP和SRN ，打点， GPIO和BAT （所有相对于GND ）
输入电压， HDQ （相对于GND ）
电流输出（ GPIO ）
输出电流（ HDQ ）
工作自由空气的温度范围， TA
存储温度范围， TSTG
焊接温度（焊接， 10秒）
-0.3到+7.0
-0.3 V至VCC + 0.3 V
-0.3到+7.0
5
5
-20℃ 70℃
- 65 ℃150 ℃的
300
°C
C
mA
V
单位
（ 1 ）强调超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出推荐工作条件下所标明的任何其他条件的操作不暗示。
暴露在绝对最大额定值长时间会影响器件的可靠性条件
推荐工作条件
参数
VCC
V（ POR ）
TA
电源电压
上电复位电压
工作环境温度
民
2.8
1.9
20
最大
4.5
2.45
70
单位
V
V
_C
2
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bq26221
SLUS607 - 2004年5月
直流电气特性在推荐的工作温度和电源电压（除非
另有说明）
参数
ICC（ OP ）
我（ SLEEP ）
电源电流
睡眠电流
测试条件
VCC = 4.3 V，闪存编程不活跃
VCC = 4.3 V，闪存编程不活跃
0 < < VCC VPOR
VCC = 5.5
VCC = 5.5
打点针而已，
VOL = 0.4 V
1.2 V< VCC < V（ POR ）
21
21
民
典型值
30
1
最大
37
5
600
30
30
25
1
0.7
VCC < 4.2 V
VCC > 4.2 V
1.7
1.9
10
0.2 V < （ V（ SRP ） - V（ SRN ）
)
＆ LT ; VCC
10
M
M
V
mA
nA
mA
单位
A
A
nA
我（休眠），休眠电流
ICC （ PROG ）闪存编程电源电流
ICC （ ERASE ）闪存擦除电源电流
我（ RBI）
登记后备电流
IOL
VIL
VIH
RBAT
RSR
数字输出低灌电流GPIO
和HDQ引脚
数字输入低电平， GPIO和HDQ引脚
数字输入高电平， GPIO和HDQ引脚
BAT输入阻抗
SRP ， SRN输入阻抗
在推荐运行温度和电源电压定时特性（除非
另有说明）
参数
E（ TMR ）
定时精度误差
测试条件
民
4%
典型值
最大
4%
单位
在推荐的工作温度和送风温度寄存器特性
电压（除非另有说明）
参数
T（ RES ）
E（ T）
报告的温度分辨率
报告的温度
准确性
BQ26221PW
TSSOP封装
4
测试条件
民
典型值
0.25
4
_K
最大
单位
ADC的电压规格，在推荐运行温度和电源电压， （除非
另有说明）
参数
最显著位（ LSB ） （ 1 ）
积分非线性（ INL ）
微分非线性（ DNL ）
偏移误差
最大误差
测试条件
2.6 V
≤
VBAT
≤
4.5 V
2.6 V
≤
VBAT
≤
4.5 V ， VCC = VBAT
2.6 V
≤
VBAT
≤
4.5 V ， VCC = VBAT
2.6 V
≤
VBAT
≤
4.5 V ， VCC = VBAT
2.6 V
≤
VBAT
≤
4.5 V ， VCC = VBAT
4
1
3
9
民
典型值
2.44
+4
+1
+14
+15
最大
单位
mV
最低位
最低位
最低位
最低位
注： 1。有关参数的详细explantion参考应用笔记，
了解数据转换器，
TI文献号SLAA013 。
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VFC的特点在推荐运行温度和电源电压（除非
另有说明）
参数
VI （ SR ）
G（ VFC ）
G（ VCC ）
G（ TCO ）
INL
V（ COS ）
输入电压VSRP - VSRN
充电/放电增益
电源电压增益系数
温度增益系数
集成非线性
自动补偿的补偿
-100毫伏< （ V（ SRP ） - V（ SRN ） ） < 100毫伏
2.8 V
≤
VCC
≤
4.2 V
20
温度= 25
_C,
VCC = 3.6
-100毫伏< （ V（ SRP ） - V（ SRN ） ） < 100毫伏
测试条件
民
100
90.0
93.5
0.5
0.005
0.2%
1
0.5%
20
V
典型值
最大
100
97.0
单位
mV
赫兹/ V
%/V
%/_C
在推荐运行温度和电源电压闪存特性
（除非另有说明）
参数
数据保留
闪存编程写周期
T（ BYTEPROG ）字节编程时间
内存到闪存块的编程
T（ BLCKPROG ）
时间
T（ BLKERASE ）块擦除时间
10,000
90
60
s
+ 30
微秒/字节
60
s
+ 30
微秒/字节
1020
1020
s
测试条件
民
典型值
最大
5
单位
岁月
周期
标准串行通信（ HDQ ）时序推荐工作规范
温度和电源电压（除非另有说明） 。参见图1和2 。
参数
T（ B）
T（ BR ）
T（ CYCH ）
T(HW1)
T(HW0)
T（菜籽多糖）
休息时间
休息恢复
主机位窗口
主机发送1
主机发送0
bq26221到主机响应
测试条件
民
190
40
190
0.5
92
190
190
5
32
80
50
145
50
145
320
250
ns
s
s
s
典型值
最大
单位
T（ CYCB ）
bq26221位窗口
T（开始检测）（1）
T(DW1)
T(DW0)
bq26221 ，送1
bq26221 ，发送0
注： 1。该bq26221的HDQ引擎解释5纳秒或更长的毛刺对HDQ为位开始。在5纳秒或更长的时间足够数量的毛刺
可能会导致不正确的数据被写入到该设备。该HDQ线应正确去抖处理，以确保不会发生这种情况。
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