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bq24750
www.ti.com
SLUS735 - 2006年12月
主机控制的多化合物电池充电器,带有集成系统电源选择器
和AC过功率保护
特点
NMOS- NMOS同步降压转换器
与300 kHz的频率和>95 %效率
30 - ns最小驱动器死区时间和99.5 %
最大有效占空比
高精度电压和电流
±0.5%
充电电压精度
±3%
充电电流准确度
±3%
适配器电流精度
±2%
输入电流检测放大器精度
积分
- 自动系统电源选择
AC / DC适配器或电池
- 内部环路补偿
内部软启动
安全
- 输入过压保护( OVP )
- 动态电源管理( DPM )与
状态指示灯
- 可编程浪涌适配器电源
( ACOP )和过流( ACOC )限制
- 反向传导保护FET输入
- 电池热敏电阻检测输入( TS)的
负责资格
支持两个,三个或四个锂离子电池
5-24 V AC / DC适配器工作电压范围
模拟量输入,提供比例编程
通过电阻器或DAC / GPIO主机控制
- 充电电压( 4-4.512 V /格)
- 充电电流(高达10 A ,10 - mΩ的
检测电阻)
- 适配器电流限制( DPM )
状态和监视输出
- AC / DC适配器与现状
可编程的电压阈值
- DPM循环活动
- 从当前输入源抽纱
支持任何电池类型:锂离子,镍镉,
镍氢,铅酸等。
充电使能
10 μA断态电流
28引脚5×5毫米QFN封装
应用
笔记本电脑和超移动电脑
便携式数据采集终端
便携式打印机
医疗诊断设备
电池充电器湾
电池备份系统
描述
该bq24750是一种高效率,同步
集成了补偿电池充电器和
系统电源选择器逻辑,提供低组件
算为空间受限的多化学电池
充电应用。成比例的充电电流
和电压编程允许非常高规
精度,并且可以要么硬连线与
电阻器
or
程序
by
系统
利用DAC或电源管理微控制器
个GPIO 。
LODRV
HIDRV
REGN
保护地
PVCC
BTST
28 27 26 25 24 23 22
CHGEN
ACN
ACP
ACDRV
ACDET
ACSET
ACOP
PH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14
bq24750
28 LD QFN
顶视图
21
20
19
18
17
16
15
DPMDET
细胞
SRP
SRN
BAT
SRSET
IADAPT
TS
ACGOOD
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年,德州仪器
BATDRV
AGND
VREF
VDAC
VADJ
bq24750
SLUS735 - 2006年12月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
描述(续)
该bq24750收费两个,三个或四个系Li +电池,最多可支持的充电电流10 A,并且是
采用28引脚5×5毫米QFN封装。
该bq24750控制外部开关以防止电池过放电回输入,适配器连接到
系统,并给电池连接到使用6 -V栅极驱动器,以提高系统效率的系统。为
最大的系统安全性,浪涌功率限制,以提供高输入电压瞬态响应相乘
由电流。这种交流过功率保护( ACOP )功能限制了输入开关电源编程
在ACOP引脚的电平,并闭锁,如果高功率条件仍然存在,以防止过热。
该bq24750具有动态电源管理( DPM)和输入功率限制。这些功能减少
当到达输入功率极限,以避免过载的AC适配器时,电池的充电电流
向负载供电,并同时将电池充电器。高度精确的电流检测放大器,能够实现
来自AC适配器的输入电流的精确测量并监控整个系统的功耗。
典型用途
C17
10
m
F
适配器+
C18
10
m
F
C19
10
m
F
系统
ADAPTER -
C1
10
m
F
P
P
R
AC
0.010
W
C6
10
m
F
C7
10
m
F
Q1 ( ACFET )
SI4435
Q2 ( ACFET )
SI4435
R1
432千瓦
1%
C2
0.1
m
F
C3
0.1
m
F
ACN
ACP
ACDRV
PVCC
C8
1
m
F
R7 100千瓦
BATDRV
ACDET
R2
VREF
R3
5.6千瓦
1%
VREF
R5
10千瓦
Q3(BATFET)
SI4435
Q4
FDS6680A
P
bq24750
ACGOOD
TS
PH
BTST
D1
C9
BAT54
0.1
m
F
ACGOOD
PACK
热敏电阻
SENSE
R4
118千瓦
1%
REGN
C10
1
m
F
DAC
SRSET
ACSET
VREF
LODRV
保护地
SRP
DPMDET
细胞
CHGEN
VDAC
ACOP
C16
0.47
m
F
N
主持人
R6
10千瓦
C4
1
m
F
SRN
BAT
C15
0.1
m
F
DAC
ADC
C5
100 pF的
VADJ
IADAPT
使用PowerPad
( 1 )拉轨可以是VREF或其他系统的铁路。
( 2 ) SRSET / ACSET可能来自任何DAC或电阻分压器。
A.
V
IN
=20 V, V
BAT
= 3芯锂离子电池,我
收费
= 3 A,I
ADAPTER_LIMIT
= 4 A,T
BAT
= 0-45°C
图1.典型的系统原理图,电压和电流编程由DAC
2
提交文档反馈
N
66.5千瓦
1%
AGND
HIDRV
R
SR
L1
8.2
m
H
0.010
W
PACK +
C11
10
m
F
C13
0.1
m
F
C14
0.1
m
F
C12
10
m
F
PACK -
Q5
FDS6680A
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bq24750
SLUS735 - 2006年12月
C19
10
m
F
系统
C17
10
m
F
适配器+
C18
10
m
F
ADAPTER -
C1
10
m
F
P
P
R
AC
0.010
W
C6
10
m
F
C7
10
m
F
Q1 ( ACFET )
SI4435
Q2 ( ACFET )
SI4435
R1
432千瓦
1%
C2
0.1
m
F
C3
0.1
m
F
ACN
ACP
ACDRV
PVCC
C8
1
m
F
R11 100千瓦
BATDRV
ACDET
R2
VREF
R3
5.6千瓦
1%
VREF
R5
10千瓦
Q3(BATFET)
SI4435
Q4
FDS6680A
P
bq24750
ACGOOD
TS
PH
BTST
D1
C9
BAT54
0.1
m
F
ACGOOD
PACK
热敏电阻
SENSE
R4
118千瓦
REGN
C10
1
m
F
R7
100千瓦
SRSET
ACSET
LODRV
保护地
SRP
DPMDET
SRN
BAT
ACOP
C16
0.47
m
F
C15
0.1
m
F
N
R8
43千瓦
主持人
R10
66.5千瓦
R9
100千瓦
VREF
R6
10千瓦
C4
1
m
F
GPIO
细胞
CHGEN
VDAC
VADJ
ADC
C5
100 pF的
IADAPT
使用PowerPad
( 1 )拉轨可以是VREF或其他系统的铁路。
( 2 ) SRSET / ACSET可能来自任何DAC或电阻分压器。
A.
V
IN
=20 V, V
BAT
= 3芯锂离子电池,我
收费
= 3 A,I
ADAPTER_LIMIT
= 4 A,T
BAT
= 0-45°C
图2.典型的系统原理图,电压和电流编程电阻所
订购信息
产品型号
订购数量
(磁带和卷轴)
bq24750RHDR
bq24750RHDT
QUANTITY
3000
250
bq24750
28引脚5 ×5mm的QFN
封装热性能数据
QFN - RHD
(1) (2)
(1)
(2)
θ
JA
39°C/W
T
A
= 70℃额定功率
2.36 W
降额因子牛逼以上
A
= 25°C
0.028 W / ℃,
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见
TI
网站www.ti.com 。
该数据是基于使用JEDEC高K板和裸露的芯片焊盘连接到电路板上铜垫。这是
通过经由矩阵2×3连接到地平面。
提交文档反馈
N
66.5千瓦
1%
AGND
HIDRV
R
SR
L1
8.2
m
H
0.010
W
PACK +
C11
10
m
F
C13
0.1
m
F
C14
0.1
m
F
C12
10
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PACK -
Q5
FDS6680A
3
bq24750
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表1.端子功能 - 28引脚QFN封装
终奌站
名字
CHGEN
ACN
ACP
1
2
3
描述
充电使能低电平有效逻辑输入。 LO使费。 HI禁止收费。
适配器电流检测电阻器,负输入。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在ACN引脚到AGND
对于共模滤波。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在ACN到ACP提供
差模滤波。
适配器电流检测电阻,积极投入。 (请参阅使用ACN描述评论)
AC适配器连接到系统的开关驱动器输出。直接连接到ACFET P-沟道功率MOSFET的栅极和
在反向传导阻断P沟道功率MOSFET。连接两个FET的共源。连接
ACFET漏到系统负载相对侧。该PVCC应连接到所述共源极节点,以确保
驱动器逻辑始终是活动的需要时。如果需要的话,可选的电容器从栅极到ACFET的源用于
减慢ON和OFF时间。内部栅极驱动器是不对称的,允许快速关断和慢
导通,除了内部断裂前先逻辑相对于BATDRV 。的输出变为线性
当输入感测的电流调节模式下超过ACOC阈值。 ACDRV是ACOP后锁断
电压超过2 V ,以保护充电系统从ACFET ,过功率情况。
适配器检测电压设定输入。编程适配器检测阈值由连接一个电阻分压器
适配器输入ACDET引脚到AGND引脚。检测适配器电压,如果ACDET引脚电压大于2.4伏。
I
适应
电流检测放大器处于活动状态时, ACDET引脚电压大于0.6 V的输入过压, ACOV ,
禁止充ACDRV当ACDET > 3.1 V. ACOV不锁
适配器电流的输入设置。 ACSET电压与VDAC的电压方案的输入电流的电压比
在动态电源管理( DPM )调节设定点。程序通过从VDAC连接一个电阻分压器
以ACSET到AGND ;或通过外部DAC的输出连接到ACSET引脚和连接DAC的电源
到VDAC引脚。
输入功率限制设置输入。程序的输入过功率时间放置一个陶瓷电容ACOP恒
AGND 。该电容设置的输入电流限制, ACOC ,可以超过之前持续的时间
功率MOSFET的功率限制。当ACOP电压超过2 V ,那么ACDRV闭锁保护费
系统从过功率情况下, ACOP 。通过切换ACDET或PVCC_UVLO锁存器复位。
温度资格电压输入为电池组的负温度系数的热敏电阻。节目热
冷温度窗口从VREF一个电阻分压器, TS到AGND。
模拟地。在PCB布局,连接到模拟地平面的,只有连接到PGND通过电源
在IC的下方垫。
3.3 V稳压输出。放置一个1μF陶瓷电容VREF和AGND引脚靠近IC 。该电压
可用于电压和电流调节的比例编程。
充电电压设置参考输入。在VREF或外部DAC电压源连接到VDAC引脚。电池
电压,充电电流和输入电流被编程作为VDAC端子电压相对于VADJ的比率,
SRSET和ACSET销电压。地方电阻分压器从VDAC至VADJ , SRSET和ACSET销
到AGND进行编程。一个DAC可用于连接DAC的电源,以VDAC和连接输出
到VADJ , SRSET ,或ACSET 。
充电电压设定输入。 VADJ电压与VDAC的电压方案的电池电压的电压比
调节设定点。程序通过连接一个电阻分压器从VDAC至VADJ ,至AGND ;或者,通过连接
输出外部DAC到VADJ的,和DAC的电源连接到VDAC 。 VADJ连接到REGN方案
默认情况下,每单元4.2 V 。
有效的适配器低电平有效的检测逻辑漏极开路输出。拉低当输入电压高于设定ACDET 。
从ACGOOD连接一个10 kΩ的上拉电阻, VREF ,或到不同的上拉电源轨。
电池系统开关驱动器输出。栅极驱动的电池系统负载BAT PMOS功率FET隔离
系统从所述电池,以防止电流从所述系统向电池,同时允许一个低阻抗路径
从电池到系统并同时排出电池组向系统负载供电。该引脚直接连接到门
的输入端的BAT P沟道功率MOSFET。连接在FET的系统负载的电压节点的源。
FET的漏极连接到所述电池组正节点。可选的电容器被置于从栅极到
源减速开关时间。内部栅极驱动器是不对称的,允许快速关断和慢
导通时,除了内部断裂前先逻辑相对于ACDRV 。
适配器电流检测放大器的输出。 IADAPT电压是20倍横跨ACP- ACN的差分电压。一个地方
100 - pF以下的陶瓷去耦电容IADAPT至AGND 。
充电电流的输入设置。 SRSET电压与VDAC的电压方案的充电电流的电压比
调节设定点。程序通过连接从VDAC一个电阻分压器来SRSET到AGND ;或通过连接
外部DAC的输出SRSET引脚和连接DAC供应VDAC引脚。
电池电压远端采样。直接从电池正极端子连接Kelvin检测跟踪的BAT
针准确地检测电池组电压。将来自英美烟草一个0.1 μF的电容到AGND靠近IC过滤
高频噪声。
ACDRV
4
ACDET
5
ACSET
6
ACOP
7
TS
AGND
VREF
8
9
10
VDAC
11
VADJ
12
ACGOOD
13
BATDRV
14
IADAPT
SRSET
15
16
BAT
17
4
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bq24750
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表1.端子功能 - 28引脚QFN (续)
终奌站
名字
SRN
SRP
细胞
DPMDET
保护地
LODRV
REGN
PH
HIDRV
BTST
PVCC
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
描述
充电电流检测电阻器,负输入。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在SRN针到AGND
对于共模滤波。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在SRN到SRP提供
差模滤波。
充电电流检测电阻,积极投入。 (见SRN评论。 )
2,3或4个细胞的选择逻辑的输入。逻辑低电平计划3单元。逻辑高电平项目4格。浮动方案2单元。
动态电源管理( DPM )输入电流回路活跃,开漏输出状态。逻辑低电平表示输入
当前正在通过减小充电电流的限制。连接从DPMDET 10 kΩ的上拉电阻至VREF或
不同的上拉电源轨。延迟时间为8ms 。
电源地。在PCB布局,直接连接到低侧功率MOSFET的源极,以输入地连接
和输出的充电器的电容器。只有连接到AGND通过IC下方的电源垫。
PWM低侧驱动器输出。连接到所述低侧功率MOSFET的栅极与短迹线。
PWM低侧驱动器正面的6 V的电源输出。连接一个1 μF陶瓷电容REGN到PGND ,接近
IC 。通过连接从REGN小信号肖特基二极管BTST用于高端驱动器的自举电压。
PWM高侧驱动器负电源。低侧功率MOSFET的连接到相交换节点(结
漏,高侧功率MOSFET的源极和输出电感器) 。从PH连接0.1 μF自举电容器
BTST 。
PWM高侧驱动器输出。连接到高侧功率MOSFET的栅极与短迹线。
PWM高侧驱动器正电源。从BTST连接一个0.1μF的陶瓷自举电容的pH值。连接
从REGN小自举肖特基二极管, BTST 。
IC电源正电源。连接到所述共源极(二极管或)点:高侧P沟道MOSFET的源
和反向阻断功率P沟道MOSFET的源极。放置一个1μF陶瓷电容PVCC到PGND引脚
靠近IC 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
(1) (2)
价值
PVCC , ACP , ACN , SRP , SRN , BAT , BATDRV , ACDRV
PH
电压范围
REGN , LODRV , VADJ , ACSET , SRSET , TS , ACDET , ACOP , CHGEN ,细胞,
ACGOOD
VDAC
VREF , IADAPT
BTST , HIDRV相对于AGND和PGND
最大电压差
结温范围
存储温度范围
(1)
(2)
ACP- ACN , SRP- SRN , AGND , PGND
-0.3 30
-1 30
-0.3 7
-0.3 5.5
-0.3 3.6
-0.3 36
-0.5V至0.5
-40至155
-55至155
°C
V
单位
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于GND如果没有指定。电流是积极进入,负出指定的终端。包装咨询
数据手册热限制和包的考虑部分。
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主机控制的多化合物电池充电器,带有集成系统电源选择器
和AC过功率保护
特点
NMOS- NMOS同步降压转换器
与300 kHz的频率和>95 %效率
30 - ns最小驱动器死区时间和99.5 %
最大有效占空比
高精度电压和电流
±0.5%
充电电压精度
±3%
充电电流准确度
±3%
适配器电流精度
±2%
输入电流检测放大器精度
积分
- 自动系统电源选择
AC / DC适配器或电池
- 内部环路补偿
内部软启动
安全
- 输入过压保护( OVP )
- 动态电源管理( DPM )与
状态指示灯
- 可编程浪涌适配器电源
( ACOP )和过流( ACOC )限制
- 反向传导保护FET输入
- 电池热敏电阻检测输入( TS)的
负责资格
支持两个,三个或四个锂离子电池
5-24 V AC / DC适配器工作电压范围
模拟量输入,提供比例编程
通过电阻器或DAC / GPIO主机控制
- 充电电压( 4-4.512 V /格)
- 充电电流(高达10 A ,10 - mΩ的
检测电阻)
- 适配器电流限制( DPM )
状态和监视输出
- AC / DC适配器与现状
可编程的电压阈值
- DPM循环活动
- 从当前输入源抽纱
支持任何电池类型:锂离子,镍镉,
镍氢,铅酸等。
充电使能
10 μA断态电流
28引脚5×5毫米QFN封装
应用
笔记本电脑和超移动电脑
便携式数据采集终端
便携式打印机
医疗诊断设备
电池充电器湾
电池备份系统
描述
该bq24750是一种高效率,同步
集成了补偿电池充电器和
系统电源选择器逻辑,提供低组件
算为空间受限的多化学电池
充电应用。成比例的充电电流
和电压编程允许非常高规
精度,并且可以要么硬连线与
电阻器
or
程序
by
系统
利用DAC或电源管理微控制器
个GPIO 。
LODRV
HIDRV
REGN
保护地
PVCC
BTST
28 27 26 25 24 23 22
CHGEN
ACN
ACP
ACDRV
ACDET
ACSET
ACOP
PH
1
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10 11 12 13 14
bq24750
28 LD QFN
顶视图
21
20
19
18
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15
DPMDET
细胞
SRP
SRN
BAT
SRSET
IADAPT
TS
ACGOOD
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年,德州仪器
BATDRV
AGND
VREF
VDAC
VADJ
bq24750
SLUS735 - 2006年12月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
描述(续)
该bq24750收费两个,三个或四个系Li +电池,最多可支持的充电电流10 A,并且是
采用28引脚5×5毫米QFN封装。
该bq24750控制外部开关以防止电池过放电回输入,适配器连接到
系统,并给电池连接到使用6 -V栅极驱动器,以提高系统效率的系统。为
最大的系统安全性,浪涌功率限制,以提供高输入电压瞬态响应相乘
由电流。这种交流过功率保护( ACOP )功能限制了输入开关电源编程
在ACOP引脚的电平,并闭锁,如果高功率条件仍然存在,以防止过热。
该bq24750具有动态电源管理( DPM)和输入功率限制。这些功能减少
当到达输入功率极限,以避免过载的AC适配器时,电池的充电电流
向负载供电,并同时将电池充电器。高度精确的电流检测放大器,能够实现
来自AC适配器的输入电流的精确测量并监控整个系统的功耗。
典型用途
C17
10
m
F
适配器+
C18
10
m
F
C19
10
m
F
系统
ADAPTER -
C1
10
m
F
P
P
R
AC
0.010
W
C6
10
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F
C7
10
m
F
Q1 ( ACFET )
SI4435
Q2 ( ACFET )
SI4435
R1
432千瓦
1%
C2
0.1
m
F
C3
0.1
m
F
ACN
ACP
ACDRV
PVCC
C8
1
m
F
R7 100千瓦
BATDRV
ACDET
R2
VREF
R3
5.6千瓦
1%
VREF
R5
10千瓦
Q3(BATFET)
SI4435
Q4
FDS6680A
P
bq24750
ACGOOD
TS
PH
BTST
D1
C9
BAT54
0.1
m
F
ACGOOD
PACK
热敏电阻
SENSE
R4
118千瓦
1%
REGN
C10
1
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F
DAC
SRSET
ACSET
VREF
LODRV
保护地
SRP
DPMDET
细胞
CHGEN
VDAC
ACOP
C16
0.47
m
F
N
主持人
R6
10千瓦
C4
1
m
F
SRN
BAT
C15
0.1
m
F
DAC
ADC
C5
100 pF的
VADJ
IADAPT
使用PowerPad
( 1 )拉轨可以是VREF或其他系统的铁路。
( 2 ) SRSET / ACSET可能来自任何DAC或电阻分压器。
A.
V
IN
=20 V, V
BAT
= 3芯锂离子电池,我
收费
= 3 A,I
ADAPTER_LIMIT
= 4 A,T
BAT
= 0-45°C
图1.典型的系统原理图,电压和电流编程由DAC
2
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N
66.5千瓦
1%
AGND
HIDRV
R
SR
L1
8.2
m
H
0.010
W
PACK +
C11
10
m
F
C13
0.1
m
F
C14
0.1
m
F
C12
10
m
F
PACK -
Q5
FDS6680A
www.ti.com
bq24750
SLUS735 - 2006年12月
C19
10
m
F
系统
C17
10
m
F
适配器+
C18
10
m
F
ADAPTER -
C1
10
m
F
P
P
R
AC
0.010
W
C6
10
m
F
C7
10
m
F
Q1 ( ACFET )
SI4435
Q2 ( ACFET )
SI4435
R1
432千瓦
1%
C2
0.1
m
F
C3
0.1
m
F
ACN
ACP
ACDRV
PVCC
C8
1
m
F
R11 100千瓦
BATDRV
ACDET
R2
VREF
R3
5.6千瓦
1%
VREF
R5
10千瓦
Q3(BATFET)
SI4435
Q4
FDS6680A
P
bq24750
ACGOOD
TS
PH
BTST
D1
C9
BAT54
0.1
m
F
ACGOOD
PACK
热敏电阻
SENSE
R4
118千瓦
REGN
C10
1
m
F
R7
100千瓦
SRSET
ACSET
LODRV
保护地
SRP
DPMDET
SRN
BAT
ACOP
C16
0.47
m
F
C15
0.1
m
F
N
R8
43千瓦
主持人
R10
66.5千瓦
R9
100千瓦
VREF
R6
10千瓦
C4
1
m
F
GPIO
细胞
CHGEN
VDAC
VADJ
ADC
C5
100 pF的
IADAPT
使用PowerPad
( 1 )拉轨可以是VREF或其他系统的铁路。
( 2 ) SRSET / ACSET可能来自任何DAC或电阻分压器。
A.
V
IN
=20 V, V
BAT
= 3芯锂离子电池,我
收费
= 3 A,I
ADAPTER_LIMIT
= 4 A,T
BAT
= 0-45°C
图2.典型的系统原理图,电压和电流编程电阻所
订购信息
产品型号
订购数量
(磁带和卷轴)
bq24750RHDR
bq24750RHDT
QUANTITY
3000
250
bq24750
28引脚5 ×5mm的QFN
封装热性能数据
QFN - RHD
(1) (2)
(1)
(2)
θ
JA
39°C/W
T
A
= 70℃额定功率
2.36 W
降额因子牛逼以上
A
= 25°C
0.028 W / ℃,
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见
TI
网站www.ti.com 。
该数据是基于使用JEDEC高K板和裸露的芯片焊盘连接到电路板上铜垫。这是
通过经由矩阵2×3连接到地平面。
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N
66.5千瓦
1%
AGND
HIDRV
R
SR
L1
8.2
m
H
0.010
W
PACK +
C11
10
m
F
C13
0.1
m
F
C14
0.1
m
F
C12
10
m
F
PACK -
Q5
FDS6680A
3
bq24750
SLUS735 - 2006年12月
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表1.端子功能 - 28引脚QFN封装
终奌站
名字
CHGEN
ACN
ACP
1
2
3
描述
充电使能低电平有效逻辑输入。 LO使费。 HI禁止收费。
适配器电流检测电阻器,负输入。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在ACN引脚到AGND
对于共模滤波。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在ACN到ACP提供
差模滤波。
适配器电流检测电阻,积极投入。 (请参阅使用ACN描述评论)
AC适配器连接到系统的开关驱动器输出。直接连接到ACFET P-沟道功率MOSFET的栅极和
在反向传导阻断P沟道功率MOSFET。连接两个FET的共源。连接
ACFET漏到系统负载相对侧。该PVCC应连接到所述共源极节点,以确保
驱动器逻辑始终是活动的需要时。如果需要的话,可选的电容器从栅极到ACFET的源用于
减慢ON和OFF时间。内部栅极驱动器是不对称的,允许快速关断和慢
导通,除了内部断裂前先逻辑相对于BATDRV 。的输出变为线性
当输入感测的电流调节模式下超过ACOC阈值。 ACDRV是ACOP后锁断
电压超过2 V ,以保护充电系统从ACFET ,过功率情况。
适配器检测电压设定输入。编程适配器检测阈值由连接一个电阻分压器
适配器输入ACDET引脚到AGND引脚。检测适配器电压,如果ACDET引脚电压大于2.4伏。
I
适应
电流检测放大器处于活动状态时, ACDET引脚电压大于0.6 V的输入过压, ACOV ,
禁止充ACDRV当ACDET > 3.1 V. ACOV不锁
适配器电流的输入设置。 ACSET电压与VDAC的电压方案的输入电流的电压比
在动态电源管理( DPM )调节设定点。程序通过从VDAC连接一个电阻分压器
以ACSET到AGND ;或通过外部DAC的输出连接到ACSET引脚和连接DAC的电源
到VDAC引脚。
输入功率限制设置输入。程序的输入过功率时间放置一个陶瓷电容ACOP恒
AGND 。该电容设置的输入电流限制, ACOC ,可以超过之前持续的时间
功率MOSFET的功率限制。当ACOP电压超过2 V ,那么ACDRV闭锁保护费
系统从过功率情况下, ACOP 。通过切换ACDET或PVCC_UVLO锁存器复位。
温度资格电压输入为电池组的负温度系数的热敏电阻。节目热
冷温度窗口从VREF一个电阻分压器, TS到AGND。
模拟地。在PCB布局,连接到模拟地平面的,只有连接到PGND通过电源
在IC的下方垫。
3.3 V稳压输出。放置一个1μF陶瓷电容VREF和AGND引脚靠近IC 。该电压
可用于电压和电流调节的比例编程。
充电电压设置参考输入。在VREF或外部DAC电压源连接到VDAC引脚。电池
电压,充电电流和输入电流被编程作为VDAC端子电压相对于VADJ的比率,
SRSET和ACSET销电压。地方电阻分压器从VDAC至VADJ , SRSET和ACSET销
到AGND进行编程。一个DAC可用于连接DAC的电源,以VDAC和连接输出
到VADJ , SRSET ,或ACSET 。
充电电压设定输入。 VADJ电压与VDAC的电压方案的电池电压的电压比
调节设定点。程序通过连接一个电阻分压器从VDAC至VADJ ,至AGND ;或者,通过连接
输出外部DAC到VADJ的,和DAC的电源连接到VDAC 。 VADJ连接到REGN方案
默认情况下,每单元4.2 V 。
有效的适配器低电平有效的检测逻辑漏极开路输出。拉低当输入电压高于设定ACDET 。
从ACGOOD连接一个10 kΩ的上拉电阻, VREF ,或到不同的上拉电源轨。
电池系统开关驱动器输出。栅极驱动的电池系统负载BAT PMOS功率FET隔离
系统从所述电池,以防止电流从所述系统向电池,同时允许一个低阻抗路径
从电池到系统并同时排出电池组向系统负载供电。该引脚直接连接到门
的输入端的BAT P沟道功率MOSFET。连接在FET的系统负载的电压节点的源。
FET的漏极连接到所述电池组正节点。可选的电容器被置于从栅极到
源减速开关时间。内部栅极驱动器是不对称的,允许快速关断和慢
导通时,除了内部断裂前先逻辑相对于ACDRV 。
适配器电流检测放大器的输出。 IADAPT电压是20倍横跨ACP- ACN的差分电压。一个地方
100 - pF以下的陶瓷去耦电容IADAPT至AGND 。
充电电流的输入设置。 SRSET电压与VDAC的电压方案的充电电流的电压比
调节设定点。程序通过连接从VDAC一个电阻分压器来SRSET到AGND ;或通过连接
外部DAC的输出SRSET引脚和连接DAC供应VDAC引脚。
电池电压远端采样。直接从电池正极端子连接Kelvin检测跟踪的BAT
针准确地检测电池组电压。将来自英美烟草一个0.1 μF的电容到AGND靠近IC过滤
高频噪声。
ACDRV
4
ACDET
5
ACSET
6
ACOP
7
TS
AGND
VREF
8
9
10
VDAC
11
VADJ
12
ACGOOD
13
BATDRV
14
IADAPT
SRSET
15
16
BAT
17
4
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SLUS735 - 2006年12月
表1.端子功能 - 28引脚QFN (续)
终奌站
名字
SRN
SRP
细胞
DPMDET
保护地
LODRV
REGN
PH
HIDRV
BTST
PVCC
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
描述
充电电流检测电阻器,负输入。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在SRN针到AGND
对于共模滤波。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在SRN到SRP提供
差模滤波。
充电电流检测电阻,积极投入。 (见SRN评论。 )
2,3或4个细胞的选择逻辑的输入。逻辑低电平计划3单元。逻辑高电平项目4格。浮动方案2单元。
动态电源管理( DPM )输入电流回路活跃,开漏输出状态。逻辑低电平表示输入
当前正在通过减小充电电流的限制。连接从DPMDET 10 kΩ的上拉电阻至VREF或
不同的上拉电源轨。延迟时间为8ms 。
电源地。在PCB布局,直接连接到低侧功率MOSFET的源极,以输入地连接
和输出的充电器的电容器。只有连接到AGND通过IC下方的电源垫。
PWM低侧驱动器输出。连接到所述低侧功率MOSFET的栅极与短迹线。
PWM低侧驱动器正面的6 V的电源输出。连接一个1 μF陶瓷电容REGN到PGND ,接近
IC 。通过连接从REGN小信号肖特基二极管BTST用于高端驱动器的自举电压。
PWM高侧驱动器负电源。低侧功率MOSFET的连接到相交换节点(结
漏,高侧功率MOSFET的源极和输出电感器) 。从PH连接0.1 μF自举电容器
BTST 。
PWM高侧驱动器输出。连接到高侧功率MOSFET的栅极与短迹线。
PWM高侧驱动器正电源。从BTST连接一个0.1μF的陶瓷自举电容的pH值。连接
从REGN小自举肖特基二极管, BTST 。
IC电源正电源。连接到所述共源极(二极管或)点:高侧P沟道MOSFET的源
和反向阻断功率P沟道MOSFET的源极。放置一个1μF陶瓷电容PVCC到PGND引脚
靠近IC 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
(1) (2)
价值
PVCC , ACP , ACN , SRP , SRN , BAT , BATDRV , ACDRV
PH
电压范围
REGN , LODRV , VADJ , ACSET , SRSET , TS , ACDET , ACOP , CHGEN ,细胞,
ACGOOD
VDAC
VREF , IADAPT
BTST , HIDRV相对于AGND和PGND
最大电压差
结温范围
存储温度范围
(1)
(2)
ACP- ACN , SRP- SRN , AGND , PGND
-0.3 30
-1 30
-0.3 7
-0.3 5.5
-0.3 3.6
-0.3 36
-0.5V至0.5
-40至155
-55至155
°C
V
单位
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于GND如果没有指定。电流是积极进入,负出指定的终端。包装咨询
数据手册热限制和包的考虑部分。
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