【www.ti.combq24745SLUS761 - 2007年12月的SMBus控制的2级多化合物】,IC型号BQ24745RHDR,BQ24745RHDR PDF资料,BQ24745RHDR经销商,ic,电子元器件-51电子网

www.ti.com

bq24745

SLUS761 - 2007年12月

的SMBus控制的2级多化合物电池充电器输入

电流检测比较器

特点

NMOS- NMOS同步降压转换器

与300 kHz的频率和>95 ％效率

30 - ns最小驱动器死区时间和99.5 ％

最大有效占空比

高精度电压和电流调节

- ± 0.5 ％充电电压精度

- ± 3 ％，充电电流准确度

- ± 3 ％适配器电流精度

- ± 2 ％输入电流感应放大器精度

积分

- 输入电流比较器，带可调

阈值和迟滞

内部软启动

安全

- 输入过压保护（ OVP ）

- 动态电源管理（ DPM ）

高达19.2 V电池电压

6 V - 24 V AC / DC适配器工作电压范围

简化的SMBus控制

- 充电电压DAC（ 1.024 V- 19.2 V）

- 充电电流DAC （128毫安8.064 A）

- 适配器电流限制DPM DAC（ 256

毫安11.004 A）

状态和监视输出

- AC / DC适配器上，可调节

电压阈值

- 输入电流比较器，带可调

阈值和迟滞

- 电流检测放大器的电流牵引

从输入源

收取任何电池化学：锂离子，镍镉，

镍氢，铅酸等。

细胞引脚可支持2至4节锂离子电池

充电使能引脚

< 10 μBattery电流与适配器删除

< 1毫安DCIN输入电流与适配器

目前和充电残疾人

28引脚5×5毫米

QFN封装

应用

笔记本电脑和超移动电脑

便携式数据采集终端

便携式打印机

医疗诊断设备

电池充电器湾

电池备份系统

描述

该bq24745是一种高效率，同步

具有集成的输入电流电池充电器

比较器，提供低组件数量

空间受限，多种化学成分电池充电

应用程序。 SMBus输入电流，充电电流，

和充电电压的DAC允许非常高规

这可以通过方便地编程精度

使用该系统的电源管理微控制器

SMBus的。该bq24745收费两个，三个或四个

系Li +电池，并采用28引脚5×5毫米可用

薄型QFN封装。

Icout

BOOT

CSSN

CSSP

UGAT

PHAS

Icref

ACIN

VREF

EAO

EAI

FBO

DCIN

VDDP

LGATE

保护地

南方东英

CSON

VFB

bq24745

28 LD QFN

顶视图

VICM

ACOK

GND

SDA

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

2007 ，德州仪器

VDDSMB

SCL

bq24745

SLUS761 - 2007年12月

www.ti.com

这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

描述（续）

该bq24745具有动态电源管理（ DPM）和输入功率限制。这些功能减少

当到达输入功率极限，以避免过载的AC适配器供电时，电池的充电电流

的负载，并同时将电池充电器。高度精确的电流检测放大器，能够实现精确的

测量来自AC适配器的输入电流，从而允许监测整个系统的功耗。如果适配器

电流超过设定的低功率阈值，信号被发送到主机，以使系统最优化其

性能的功率可从适配器。一个集成的比较器监视输入电流

通过电流检测放大器，并表示当输入电流超过一个可编程的阈值

极限。

典型应用

= 20 V, V

BAT

= 4芯锂离子电池，我

收费

= 4.5 A， VICM

er_limit

= 6 A

适配器+

CHRG_IN

ADAPTER -

R10

1uF

0.010

2x10uF

通过控制

主持人

309k

Q2 （ DFET ）

Q1 （ ACFET ）

SI4835BDY

通过控制

主持人

0.1uF

C5 0.1uF的

17 CSSN

18 CSSP

22 DCIN

ACIN

24 UGATE

（ BATFET ）

SI4835BDY

bq24745

11 VDDSMB

PHASE 23

BOOT

+3.3V_ALWAYS

+5V_ALWAYS

1uF

13 ACOK

VDDP 21

BAT54

1uF

C10

0.1uF

C11

10k

1uF

保护地

26 ICOUT

南方东英

CSON

10k

VFB 15

DIG I / O

主持人

（ EC ）

ICREF 1

SDA

SMBUS

10 SCL

VICM

EAO

分离

逻辑

100pF

14 NC

16 NC

EAI

FBO

拉轨可以是VREF或其他系统轨。

图1.典型的系统结构图：使用外部输入电流比较器（离散逻辑）而不是

内部比较器

= 20 V, V

BAT

= 4芯锂离子电池，我

收费

= 4.5 A， VICM

er_limit

= 6 A

提交文档反馈

产品文件夹链接（ S）： bq24745

2007 ，德州仪器

分离

逻辑

VREF

LGATE

49.9k

12 GND

FDS6680A

0.010

PACK +

5.6uH

PACK-

C12

0.1uF

FDS6680A

C13

0.1uF

C14

3x10uF

C15

0.1u

7.5k

C16

51pF

4.7k

C18

130pF

C17

2000pF

200k

www.ti.com

bq24745

SLUS761 - 2007年12月

= 20 V, V

BAT

= 4芯锂离子电池，我

收费

= 4.5 A， VICM

er_limit

= 6 A

适配器+

CHRG_IN

ADAPTER -

R10

1uF

0.010

2x10uF

通过控制

主持人

309k

Q1 （ ACFET ）

Q2 （ DFET ）

SI4835BDY

通过控制

主持人

0.1uF

C5 0.1uF的

17 CSSN

18 CSSP

22 DCIN

ACIN

24 UGATE

（ BATFET ）

SI4835BDY

bq24745

11 VDDSMB

PHASE 23

BOOT

+3.3V_ALWAYS

+5V_ALWAYS

1uF

13 ACOK

VDDP 21

BAT54

1uF

C10

0.1uF

C11

10k

R14

10k

1uF

保护地

26 ICOUT

南方东英

CSON

10k

VFB 15

DIG I / O

主持人

（ EC ）

Icref

SDA

SMBUS

10 SCL

VICM

EAO

分离

逻辑

100pF

14 NC

16 NC

EAI

FBO

R13

1400K

拉轨可以是VREF或其他系统轨。

图2.典型的系统原理图，使用内置的输入电流比较器

订购信息

产品型号

bq24745

包

28引脚5 ×5mm的

QFN

订购数量

（磁带和卷轴）

bq24745RHDR

bq24745RHDT

QUANTITY

3000

250

封装热性能数据

包

QFN - RHD

(1)

39°C/W

= 70°C

额定功率

2.36 W

降额因子

上述牛逼

= 25°C

0.028 W / ℃，

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

2007 ，德州仪器

提交文档反馈

产品文件夹链接（ S）： bq24745

分离

逻辑

VREF

LGATE

49.9k

12 GND

FDS6680A

5.6uH

0.010

PACK +

PACK-

C12

0.1uF

FDS6680A

C13

0.1uF

C14

3x10uF

VREF

R11

51.1k

R12

17.4k

1% R7

7.5k

C16

51pF

C15

0.1u

4.7k

C18

130pF

C17

2000pF

200k

bq24745

SLUS761 - 2007年12月

www.ti.com

表1.端子功能 - 28引脚QFN封装

终奌站

号

Icref

低功耗电压设定输入。从VREF连接一个电阻分压器来ICREF和GND编程为参考

在LOPWR比较。该ICREF端子电压进行比较的VICM端子电压和所述逻辑输出上给出

在ICOUT开漏引脚。连接从ICREF引脚的正反馈电阻的ICOUT销方案

滞后。

适配器检测电压设定输入。编程适配器检测阈值通过连接适配器从一个电阻分压器

输入到ACIN引脚GND引脚。检测适配器电压，如果ACIN引脚电压大于2.4 V. VICM电流

读出放大器被激活时，ACIN引脚电压大于0.6V。

3.3 V稳压电压输出。放置一个1

陶瓷电容VREF和GND引脚靠近IC 。该电压

可用于电压和电流调节的比例编程和编程的ICREF

门槛。

误差放大器输出的补偿。将反馈补偿元件从EAO到EAI 。

典型地，一个电容并联的串联电阻和电容。这个节点在内部相比于PWM

锯齿波振荡器的信号。

误差放大器的输入补偿。将反馈补偿元件，从EAI到EAO 。连

输入赔偿FBO到EAI 。

反馈输出赔偿。连接输入赔偿FBO到EAI 。通常，在并联的电阻器

用一个串联电阻和电容。

充电使能高电平有效逻辑输入。 HI使费。 LO禁止收费。

适配器电流检测放大器的输出。 VICM电压是20倍横跨CSSP - CSSN的差分电压。一个地方

100pF的（最大）或更少的陶瓷去耦电容， VICM到GND 。

SMBus数据输入。连接到从主机控制器SMBus数据线。一个10 kΩ的上拉电阻到主机控制器

需要电源轨。

SMBus时钟输入。连接到从主机控制器的SMBus时钟线。一个10 kΩ的上拉电阻到主机

需要控制电源轨。

输入电压为SMBus的逻辑。连接一个3.3 V始终电源轨，或5 V始终铁路VDDSMB引脚。连接一个0.1μF

陶瓷电容VDDSMB至GND去耦。

模拟地。在PCB布局，连接到模拟地平面的，只有连接到PGND通过

电源垫在IC的下方。

有效的适配器高电平有效的检测逻辑漏极开路输出。当输入电压高于ACIN编程拉HI

门槛。连接一个10 kΩ的上拉电阻的ACOK引脚来拉电源轨。

无连接。脚内部的浮动。

电池电压远端采样。直接从电池组正极和VFB连接Kelvin检测跟踪

针准确地检测电池组电压。将在VFB一个0.1μF的电容到地靠近IC过滤

高频噪声。

无连接。脚内部的浮动。

充电电流检测电阻器，负输入。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在CSON引脚与GND

对于共模滤波。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在CSON到南方东英提供

差模滤波。

充电电流检测电阻，积极投入。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在南方东英引脚与GND

共模滤波。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在CSON到南方东英提供

差模滤波。

电源地。在PCB布局，直接连接到低侧功率MOSFET的源极，以输入地连接

和输出的充电器的电容器。只有通过IC下方的电源垫连接到GND 。

PWM低侧驱动器输出。连接到所述低侧功率MOSFET的栅极与短迹线。

PWM低侧驱动器正面的6 V的电源输出。连接一个1 μF陶瓷电容VDDP到PGND引脚，靠近

该IC 。从VDDP连接小信号肖特基二极管，以BOOT用于高端驱动器的自举电压。

IC功耗的正电源。连接到所述共源极（二极管或）点：高侧P沟道MOSFET的源

和反向阻断功率P沟道MOSFET的源极。放置一个1μF的陶瓷电容， DCIN至PGND引脚

靠近IC 。

PWM高侧驱动器负电源。低侧功率MOSFET的连接到相交换节点（结

漏，高侧功率MOSFET的源极和输出电感器）。从相连接0.1μF的自举电容

开机。

PWM高侧驱动器输出。连接到高侧功率MOSFET的栅极与短迹线。

PWM高侧驱动器正电源。从BOOT连接一个0.1μF的陶瓷自举电容相。连接

从VDDP小自举肖特基二极管启动。

功能

ACIN

VREF

EAO

EAI

FBO

VICM

SDA

SCL

VDDSMB

GND

ACOK

VFB

CSON

南方东英

保护地

LGATE

VDDP

DCIN

相

UGATE

BOOT

提交文档反馈

产品文件夹链接（ S）： bq24745

2007 ，德州仪器

www.ti.com

bq24745

SLUS761 - 2007年12月

表1.端子功能 - 28引脚QFN （续）

终奌站

号

Icout

低功耗模式下检测到高电平有效开漏逻辑输出。将一个10kΩ的上拉电阻从ICOUT引脚到

上拉电压轨。将来自ICOUT引脚的正反馈电阻ICREF引脚编程滞后。该

输出为HI时， VICM脚电压低于ICREF引脚电压低。输出为LO时VICM引脚电压

比ICREF引脚电压高。

适配器电流检测电阻，负输入。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在CSSN引脚与GND

对于共模滤波。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在CSSN到CSSP提供

差模滤波。

适配器电流检测电阻，积极投入。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在CSSP引脚连接到GND

对于共模滤波。一个可选的0.1 μF陶瓷电容放在CSSN到CSSP提供

差模滤波。

功能

CSSN

CSSP

绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

(1)

DCIN ，南方东英， CSON ， CSSP ， CSSN ， VFB

相

EAI ， EAO ， FBO ， VDDP ， LGATE ， ACIN ， VICM ， ICOUT ， ICREF ， CE， ACOK

电压范围

VDDSMB

VREF

BOOT ， UGATE相对于GND和PGND

GND ， PGND

最大的区别电压：南方东英- CSON ， CSSP ， CSSN

结温范围

存储温度范围

(1)

(2)

价值

-0.3 30

-1 30

-0.3 7

-0.3 3.6

-0.3 36

-1至1

-0.5到0.5

-40至155

-55至155

单位

°C

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有的电压都是相对于GND如果没有指定。电流是积极进入，而负出指定的终端。请教

数据书热限制和包的考虑包装节。

推荐工作条件

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

相

DCIN ，南方东英， CSON ， CSSP ， CSSN ， VFB

VDDP ， LGATE

电压范围

VREF

EAI ， EAO ， FBO ， ACIN ， VICM ， ICOUT ， ICREF ， CE， ACOK ， VDDSMB

BOOT ， UGATE相对于GND和PGND

GND ， PGND

最大的区别电压：南方东英- CSON ， CSSP ， CSSN

结温范围

存储温度范围

–0.3

–40

–55

–1

喃

最大

6.5

3.3

5.5

0.3

125

150

°C

单位

2007 ，德州仪器

提交文档反馈

产品文件夹链接（ S）： bq24745