bq24308
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SLUS977A - 2009年9月 - 修订2009年11月
过压和过流保护IC和锂离子充电器前端保护IC
检查样品： bq24308
1
特点
为保护三个变量：
输入过压
- 输入过流与限流
电池过压
30V最大输入电压
支持高达1.5A的输入电流
强大的反误触发因
电流瞬变
热关断
5V的LDO模式稳压
小为2mm× 2毫米8引脚SON封装
应用
手机和智能手机
掌上电脑
MP3播放器
低功耗手持设备
蓝牙耳机
2
描述
该bq24308是高度集成的电路设计，从失败提供保障，锂离子电池
充电电路。该IC连续监视输入电压，输入电流和电池电压。如果
的输入过电压状态时，IC立即通过关闭一个断电，所述充电电路
内部开关。在过电流状态的情况下，它限制了电流到一个安全值的消隐持续时间
前打开开关。电池电压也可被监控，如果电池电压超过
规定值，内部开关被关断。此外，该IC还监视自身管芯的温度和
关闭如果它变得太热。
输入过电流阈值可以通过外部电阻增加。该IC还提供了可选的
使用外部P沟道场效应晶体管保护，防止反向电压的输入端。
引脚
IN
1
VSS
2
bq24308
8
OUT
典型应用电路
7
ILIM
PGATE
3
6
VBAT
5
CE
NC
4
5
CE
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有 2009年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
包装耗散额定值
包
DSG
(1)
R
θJC
5°C/W
R
θJA
(1)
75°C/W
该数据是基于使用JEDEC高K板和裸露的芯片焊盘连接到电路板上铜垫。该垫
通过经由矩阵2×3连接到地平面。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
IN， PGATE （相对于VSS ）
输入电压
输入电流
输出电流
OUT （相对于VSS ）
ILIM ， CE， VBAT （相对于VSS ）
IN
OUT
PGATE
所有（每JESD22 - A114 -E人体模型）
所有（每JESD22 - A115 -A型机）
ESD耐受电压
所有（每JESD22 - C101 -C带电器件模型）
IN（ IEC 61000-4-2 ）（与IN引脚旁路到VSS 1.0 μF的低ESR
陶瓷电容器）
结温，T
J
贮藏温度，T
英镑
(1)
-0.3 30
-0.3至12
-0.3 7
2.0
2.0
5
2000
200
500
15 （空气放电）
8 （联系）
-40至150
-65到150
单位
V
V
V
A
A
mA
V
V
V
kV
°C
°C
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
IN
I
IN
I
OUT
R
ILIM
T
J
输入电压范围
输入电流， IN引脚
目前， OUT引脚
OCP编程电阻
结温
31
–40
125
3.3
最大
26
1.5
1.5
单位
V
A
A
kΩ
°C
订购信息
产品型号
bq24308DSGR
bq24308DSGT
记号
DAS
DAS
中
磁带和卷轴
磁带和卷轴
QUANTITY
3000
250
包
2毫米× 2毫米SON
2毫米× 2毫米SON
2
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电气特性
在结温范围为-40°C
≤
T
J
≤
125 ℃，推荐的电源电压（除非另有说明）
参数
IN
V
UVLO
V
HYS- UVLO
t
DGL （ PGOOD ）
I
DD
I
STDBY
V
DO
欠压锁定输出，输入
功率门限检测
迟滞的UVLO
抗尖峰脉冲时间，输入功率
检测状态
工作电流
待机电流
辍学电压输入至输出
输入过电压保护
门槛
滞后的OVP
输入OVP传播延迟
(1)
从输入恢复时间
过压条件
输出电压
内置输入过流
保护阈值
CE =低，V
IN
: 0 V
→
3 V
CE =低，V
IN
: 3 V
→
0 V
CE =低。从V测时间
IN
0V
→
4V 1微秒上升时间，输出接通
CE =低，V
IN
= 5 V ，没有OUT引脚上的负载
CE =高，V
IN
= 5 V
CE =低，V
IN
= 4 V，I
OUT
= 250毫安
2.5
200
2.7
260
8
410
65
45
500
95
75
2.8
300
V
mV
ms
μA
μA
mV
测试条件
民
典型值
最大
单位
输入输出特性
输入过电压保护
V
OVP
V
HYS- OVP
t
PD （ OVP ）
t
ON （ OVP ）
CE =低，V
IN
: 4 V
→
10 V
CE =低，V
IN
: 10 V
→
4 V
CE =低，从V测时间
IN
4 V
→
10 V,
1μs的上升时间，输出关闭
CE =低，从V测时间
IN
10 V
→
4V ，为1μs下降时间，输出接通
CE =低，V
IN
= 6 V，I
OUT
= 250毫安
CE =低，V
IN
= 5V ， ILIM浮动;
T
J
= 0 ° C至125°C
T
J
= 0 ° C至125°C
T
J
= -40 ° C至125°C
4.85
6.1
20
6.3
60
0.2
8
6.5
110
1
V
mV
μs
ms
输出电压调节
V
O（ REG）
5.0
5.15
V
输入过电流保护
I
OCP
630
630
±10%
±13%
25000
CE =低
CE =低
5
64
AΩ
ms
ms
700
770
1500
mA
mA
输入过电流保护范围CE =低，V
IN
= 5V ;牛逼
J
= 0 ° C至125°C
ΔI
OCP
OCP门限精度
电流极限编程：
IOCP （程序） = IOCP + KILIM ÷
R
ILIM
消隐时间，输入过流
检测
从输入恢复时间
过电流状况
电池过电压保护
门槛
滞后于BV
OVP
输入偏置电流VBAT引脚
抗尖峰脉冲时间，电池过压
检测
K
ILIM
t
BLANK （ OCP ）
t
REC （ OCP ）
电池过电压保护
BV
OVP
V
HYS- BOVP
I
VBAT
t
DGL （ BOVP ）
CE =低，V
IN
> 4.4 V ，V
VBAT
: 4.2 V
→
4.5 V
CE =低，V
IN
> 4.4 V ，V
VBAT
: 4.5 V
→
3.9 V
V
VBAT
= 4.4 V，T
J
= 25°C
CE =低，V
IN
> 4.4 V，从V测时间
VBAT
4.2 V
→
4.5 V ，为1μs上升时间，输出转折
关闭
176
4.30
200
4.35
275
4.40
320
10
V
mV
nA
s
热保护
T
J（下关）
T
J（下OFF- HYS ）
V
GCLMP
(1)
热关断温度
热关断迟滞
栅极驱动钳位电压
V
IN
>17V
13
140
20
15
17
150
°C
°C
V
P- FET栅极驱动电路
在生产中测试。按设计规定。
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电气特性（续）
在结温范围为-40°C
≤
T
J
≤
125 ℃，推荐的电源电压（除非另有说明）
参数
逻辑电平CE
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电流
高层次的输入电流
V
CE
= 1.8 V
0
1.4
1
15
0.4
V
V
μA
μA
测试条件
民
典型值
最大
单位
AC适配器
VDC
GND
C
IN
1
m
F
bq24308
VBAT
6
系统
1
IN
OUT
8
C
OUT
1
m
F
充电
电路
5
7
R
ILIM
可选
图1.过压，过流，和电池过压保护
Q
EXT
AC适配器
VDC
GND
C
IN
1 F
100 K
VSS
2
ILIM
CE
1
IN
3 PGATE
OUT 8
C
OUT
1 F
bq24080
充电器IC
bq24308
100 K
VBAT 6
RBAT
7
ILIM
47 K
系统
VSS
R
ILIM
可选
CE 5
RCE
2
图2. OVP ， OCP ， BATOVP随着输入反极性保护
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IN
Q1
OUT
电荷泵，
带隙，
BIAS GEN
V REF
VISNS
VREF
VREF
VO （ REG ）环
限流环
V REF
ILIM
OCP比较
VREF -
六SNS
t
BLANK （ OCP ）
关闭
VIN
控制
和状态
t
BLANK （ OVP ）
CE
VVLIM
OVP比较器
VIN
VREF
t
DGL （ PGOOD ）
UVLO
VBAT
PGATE
电平转换
热
关闭
t
DGL （ BOVP ）
VREF
VIN
VGCLMP
VSS
图3.简化框图
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