bq24185
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SLUSA43 - 2010年9月
完全集成开关模式单节锂离子电池充电器与USB完全遵守和
辅助电源连接
检查样品：
bq24185
1
特点
充电速度更快比线性充电器从
电流限制输入源
高精度电压和电流调节
- 输入电流调节精度： ± 5 ％
（ 100mA时500毫安）
- 充电电压调节准确度：
±0.5% (25°C), ±1% (0 – 125°C)
- 充电电流调节精度： ± 5 ％
300毫安，支持USB OTG支持5V升压模式
辅助电源输出（ DCOUT ）
输入电压基于动态电源
管理
安全限位注册的最大充电
电压和电流限制
高效率的Mini- USB / AC电池充电器
用于单节锂离子和锂聚合物电池
包
20V绝对最大和16.5V操作
输入电压额定值
内置的输入电流检测和限制
2
集成功率场效应管为高达1.5A充电
率
通过可编程充电参数
I
2
C兼容接口（最高3.4 Mbps）的
同步固定频率PWM
在3 MHz的控制器操作0％至
99.5 ％占空比
安全定时器和看门狗软件
反向漏电保护可防止电池
引流
热调节和保护
状态输出充电和故障
25引脚WCSP封装
应用
手机和智能手机
便携式媒体播放器
手持设备
描述
该bq24185是一款紧凑，灵活，高效率，为USB型开关模式充电管理设备
单节锂离子和锂聚合物广泛的便携式应用中的电池。充电参数
是可编程的，使用我
2
IC兼容接口。该bq24185集成了一个同步PWM控制器，
功率MOSFET ，输入电流检测和过电压保护，高精度电流和电压调节，
和充电终止，成小WCSP封装。
技术POWER
附件
C8
1 F
系统
VBUS
C1
1 F
PMID
C3
4.7 F
bq24185
CSIN
CSOUT
DRV
VBUS
D+
D-
GND
STAT
INT
硬件禁用
R3
4千瓦
CD
VBUS
USB PHY
C7
1 F
PSEL
C5
0.1 F
TS
SCL
SDA
C6
1 F
R1
10千瓦
VAUX
PACK
-
VBUS
DCOUT
RSNS
68毫瓦
SW
C4
10 nF的
BOOT
保护地
C2
10 F
温度
PACK +
主持人
R2
10千瓦
R4
10千瓦
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
2
I C是飞利浦电子的商标。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
描述（续）
该bq24185对电池充电分为三个阶段：调节，恒定电流和恒定电压。收费
电流是可编程使用I
2
C接口。此外，输入电流可被限制到主机
可编程的阈值，以保持最大的充电电流的限流源，例如USB端口。
电荷是基于用户可选择的最小电流电平终止。软件看门狗提供了一个安全的
备份我
2
C接口，同时安全计时器可以防止电池过度充电。在正常操作期间，
bq24185自动重新启动充电循环，如果电池电压低于内部阈值和
自动进入睡眠模式或当输入电源被移除的高阻抗模式。充电状态
使用I被报告给主机
2
C接口。在充电过程中， bq24185监视其结
温度（T
J
）并且使充电电流减小如果T
J
提高到125℃ 。支持USB OTG外围设备时，
bq24185包含升压电路，提供V
VBUS
在5.05V ，在高达300mA的电流通过提高电池电压。
该bq24185是25引脚WCSP封装。
订购信息
产品型号
(1) (2)
V
OVP
16.5 V
16.5 V
I
2
C类地址
6B
6B
bq24185YFFR
bq24185YFFT
(1)
(2)
该YFF封装中提供了以下选项：
的R - 录音和缠绕在每卷3000设备的数量。
牛逼 - 录音和缠绕在每卷250设备的数量。
本产品符合RoHS兼容，包括铅浓度不超过产品总重量的0.1％，并且是适合于
在指定的无铅焊接工艺使用。另外，该产品使用的包装材料，其不含有卤素，包括
溴（Br）或锑（ Sb）的产品总重量的0.1％以上。
绝对最大额定值
(1) (2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
范围
电源电压范围内（相对于连接到PGND ）
输入电压范围（相对于和PGND ）
输出电压范围（相对于和PGND ）
VBUS
SCL ， SDA ， PSEL ， CSIN ， CSOUT ， DRV ， DCOUT ， INT
PMID ， STAT
SW ， BOOT
-2 20
-0.3 7
-0.3 20
-0.7至20
±7
-0.3 7
5
10
1.5
10
2
-30至+85
-40到+125
-45至+150
单位
V
V
V
V
V
mA
A
mA
A
°C
°C
°C
CSIN和CSOUT输入端之间的电压差（ VCSIN -VCSOUT ）
BOOT和SW输入端之间的电压差（ VBOOT -VSW ）
输出灌
输出电流
输出电流（平均值）
T
A
T
J
T
英镑
(1)
(2)
结温范围
储存温度
INT
STAT
DCOUT
DRV
SW
工作自由空气的温度范围内
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有的电压都是相对于GND如果没有指定。电流是积极进入，负出指定的终端。包装咨询
数据手册热限制和包的考虑部分。
2
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耗散额定值
包
WCSP-25
(1)
R
qJA
60°C/W
(1)
R
QJC
1.57°C/W
T
A
< 25℃
额定功率
540毫瓦
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
5.4毫瓦/°C的
采用JEDEC 2S2P PCB标准。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
电源电压VBUS
工作结温范围，T
J
(1)
4.0
0
喃
最大
16
(1)
单位
V
°C
125
固有的开关噪声尖峰电压不应超过绝对最大额定值在任的引导或SW引脚。一件紧身
布局最大限度地降低开关噪声。
电气特性
电路
图3中，
V
VBUS
= 5V ， HZ_MODE = 0， CD = 0，T
J
= -40 ° C至125°C和T
J
= 25 ℃，典型值（除非另有
说明）
参数
输入电流
V
VBUS
＆ GT ; V
VBUS （分钟）
， PWM开关
I
VBUS
I
VBUS_LEAK
I
BAT_DCOUT
V
VBUS
电源电流控制
从电池的泄漏电流VBUS引脚
使用DCOUT时电池电流
V
VBUS
＆ GT ; V
VBUS （分钟）
， PWM开关不
0 ° C<牛逼
J
< 85°C ， EN = 0或HZ_MODE = 1
0 ° C<牛逼
J
< 85°C ，V
CSOUT
= 4.2 V，无输入连接
DCOUT =启用，V
BAT
= 4.2V ， DCOUT_ILIM = 1A ，
I
DCOUT
=750mA
0 ° C<牛逼
J
< 85°C ，V
CSOUT
= 4.2 V，无输入连接，
DCOUT禁用SCL ， SDA = 0V或1.8V
0 ° C< TJ < 85°C ， VCSOUT = 4.2 V，高阻抗
模式， DCOUT禁用，V
VBUS
= 5V,
SCL ， SDA = 0V或1.8V
10
5
650
5
800
30
mA
mA
A
A
A
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
BAT_HIZ
在高阻抗电池的放电电流
模式， （ CSIN ， CSOUT ， SW引脚）
60
A
电压调节
V
OREG
输出充电电压可编程范围
电压调节准确度
电流调节 - 快速充电
I
OCHARGE
输出充电电流可编程范围
调节精度为充电电流
跨RSNS
V
IREG
= I
OCHARGE
× R
SNS
PSEL ，CD逻辑电平
V
IL
V
IH
输入低门限电平
输入高阈值电平
PSEL ，CD掉落
PSEL ，CD上涨
1.2
0.4
V
V
V
PRECHG
≤
V
CSOUT
＆ LT ; V
OREG
, V
VBUS
＆ GT ; V
SLP
,
R
SNS
= 68毫欧，可编程
V
ICHRG
= 37.4 mV至44.2毫伏
V
ICHRG
> 44.2毫伏
550
–3.5%
–3.0%
1550
3.5%
3.0%
mA
工作电压调节，可编程
T
A
= 25°C
3.5
–0.5%
–1%
4.44
0.5%
1%
V
充电终止检测
I
TERM
I
TERM_dgl
终止充电电流
抗尖峰脉冲时间充电终止
V
CSOUT
＆ GT ; V
OREG
–V
RCH
, V
VBUS
＆ GT ; V
SLP
,
R
SNS
= 68毫欧，可编程
上升和下降， 2 mV的过程，
t
上升
, t
秋天
= 100纳秒
V
TERM
= 1.7毫伏
调节精度为终止电流
R两端
SNS
V
IREG_TERM
= I
OTERM
× R
SNS
电池检测下沉充电电流前
DONE
基于输入动态电源管理
V
IN_DPM
阈值时，根据输入的DPM循环
在踢
充电模式，可编程
4.15
4.71
V
V
TERM
= 3.4 mV至6.8 mV的
V
TERM
= 6.8 mV至13.6毫伏
V
TERM
≥
13.6毫伏
–40%
–16%
–11%
–5.5%
–550
25
30
40%
16%
11%
5.5%
A
200
mA
ms
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3
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电气特性（续）
电路
图3中，
V
VBUS
= 5V ， HZ_MODE = 0， CD = 0，T
J
= -40 ° C至125°C和T
J
= 25 ℃，典型值（除非另有
说明）
参数
DPM循环球式的阈值精度
有故障的适配器提供保护
V
VBUS （MIN）
故障的适配器门槛
抗尖峰脉冲时间适配器故障
滞后适配器故障保护
电流源适配器的故障保护
t
INT
检测时间间隔
V
VBUS
升起
100
20
30
2
3.6
3.8
30
200
40
4.0
V
ms
mV
mA
s
测试条件
民
–2%
典型值
最大
2%
单位
输入电流限制
I
IN_LIMIT
= 100毫安
I
IN_LIMIT
DCOUT
R
DCOUT
I
LIM_DCOUT
t
dgl_DCOUT
DCOUT通FET导通电阻
DCOUT电流限制的可编程范围
抗尖峰脉冲时间从DCOUT限流事件
到DCOUT闭锁
I
LIM_DCOUT
= 350毫安
I
LIM_DCOUT
DCOUT电流限制范围
通过可编程我
2
C
I
LIM_DCOUT
= 750毫安
I
LIM_DCOUT
= 1050毫安
I
LIM_DCOUT
= 1400毫安
电池再充电阈值
V
RCH
再充电阈值电压
抗尖峰脉冲时间
STAT产出
V
OL （ STAT ）
V
OL （ INT ）
低电平输出饱和电压， STAT
高层次的漏电流
低电平输出饱和电压， INT
高层次的漏电流
I
2
C总线逻辑电平和时序特性
V
OL
输出低电平阈值电平
输入低门限电平
输入高阈值电平
I
（偏置）
f
SCL
输入偏置电流
SCL时钟频率
I
O
= 10 mA时，灌电流
V
（上拉）
= 1.8 V ， SDA和SCL
V
（上拉）
= 1.8 V ， SDA和SCL
V
（上拉）
= 1.8 V ， SDA和SCL
1.2
1
3.4
0.4
0.4
V
V
V
A
兆赫
I
O
= 10 mA时，灌电流
STAT引脚上的电压为5V
I
O
= 1毫安，灌电流
INT引脚上的电压为5V
0.5
1
0.4
1
V
A
V
A
下面VOREG
V
CSOUT
降低阈值以下，
t
秋天
= 100纳秒， 10 mV过
100
120
130
150
mV
ms
270
650
800
1050
I
DCOUT
= 500毫安
通过可编程我
2
C
350
14.5
350
750
1050
1400
mA
300
1400
mΩ
mA
ms
输入电流限制门限
USB充电模式，电流
从PMID拉
I
IN_LIMIT
= 500毫安
I
IN_LIMIT
= 800毫安
90
450
700
95
475
755
100
500
800
mA
睡眠状态比较
V
SLP
V
SLP- EXIT
睡眠模式进入门槛，
V
公共汽车
-V
CSOUT
睡眠模式退出滞后
抗尖峰脉冲时间为上述VBUS上升
V
SLP
+V
SLP_EXIT
UVLO
V
UVLO
V
UVLO_Hys
PWM
国内顶尖反向阻断MOSFET
导通电阻
内置顶级的N沟道MOSFET开关
导通电阻
内底N沟道MOSFET
导通电阻
f
OSC
振荡器频率
I
IN_LIMIT
= 500毫安，从V测
VBUS
到PMID
从PMID测到SW
测量从西南到PGND
110
130
125
3.0
210
250
210
mΩ
mΩ
mΩ
兆赫
IC活跃的阈值电压
IC有源滞后
V
VBUS
升起
V
VBUS
从上面的V下降
UVLO
3.05
120
3.3
150
3.55
V
mV
2.3 V
≤
V
CSOUT
≤
V
OREG
, V
VBUS
落下
2.3 V
≤
V
CSOUT
＆ LT ; V
OREG
上升的电压， 2毫伏以上的车程，T
上升
= 100纳秒
0
140
40
200
30
100
260
mV
mV
ms
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电气特性（续）
电路
图3中，
V
VBUS
= 5V ， HZ_MODE = 0， CD = 0，T
J
= -40 ° C至125°C和T
J
= 25 ℃，典型值（除非另有
说明）
参数
频率精度
D
最大
D
民
最大占空比
最小占空比
同步模式向非同步
模式转换电流阈值
(1)
V
DRV
I
DRV
V
DO_DRV
内部偏置稳压器
DRV输出电流
DRV漏失电压（V
VBUS
– V
DRV
)
低边MOSFET的逐周期电流传感
I
DRV
= 10毫安
在DRV外部负载
I
VBUS
= 1A ，V
VBUS
= 5 V，I
DRV
= 10毫安
V
UVLO
＆ LT ; V
VBUS
＆ LT ; V
SLP
2.5V < VCSOUT < 4.5V
VBUS_BST = 5.05V ， 3V<VCSOUT<4.5V
VBUS_B = 5.05V ， 2.5V<VCSOUT<4.5V
阈值超过VBUS升压过程中关闭转换器
VBUS下降从上面VBUSOVP
在升压
–1.5
2.5
2.9
4.75
4.9
200
3.05
5.05
5.8
4.90
300
1.0
6.0
162
75
–0.5
6.2
750
5
10
340
0
100
5.2
5.45
mA
V
mA
mV
测试条件
民
–10%
99.5%
典型值
最大
10%
单位
BOOST模式操作VBUS （ OPA_MODE = 1 ， HZ_MODE = 0 ）
V
BUS_BST
I
BO
I
BLIMIT
V
BUSOVP
升压输出电压（ VBUS来）
最大输出电流提升
逐周期电流限制升压
在升压电压保护阈值
（ VBUS引脚）
V
BUSOVP
迟滞
电感电流阈值PWM到PFM
模态跃迁
5.05
5.20
V
mA
A
V
mV
mA
%V
公共汽车
V
V
mV
低V
公共汽车
电压阈值，
在PFM升压模式
在PFM模式转换器开始切换
V
BATMIN
V
BATMAX
最小电池电压升压
最大电池电压升压（ CSOUT
针）
V
BATMAX
迟滞
保护
V
OVP
V
IN_HIGH
t
OVP - DGL
I
极限
V
PRECHG
I
PRECHG
T
SHTDWN
T
CF
t
看门狗
V
热
V
温暖
V
冷
I
TS
输入过压保护阈值电压
V
OVP
迟滞
输入高门槛
VIN_HIGH_USB滞后
OVP尖峰脉冲时间
逐周期电流限制，充电
预充电快速充电阈值
VPRECHG滞后
预充电充电充电电流
热脱扣
热滞
热调节的阈值
超时看门狗定时器
安全定时器的精度
TS热阈值
TS热阈值迟滞
TS艰险门槛
TS暖阈值迟滞
TS冷阈值
TS冷阈值迟滞
TS偏置电流
TS开放性
电阻上的TS的翻译对TS开路
对应于55 ° C，V
TS
落下
VTS上升
对应于45°C V
TS
落下
V
TS
升起
对应于5° C，V
TS
升起
V
TS
落下
充电电流开始逐渐下降
看门狗定时器
阈值超过V
VBUS
充电过程中关闭转换器
V
VBUS
从上面的V下降
OVP
V
VBUS
瑞星，阈值在哪里
BAT
落入到50mA
V
VBUS
从上面的V下降
IN_HIGH
V
VBUS
上升或下降
充电模式操作
V
CSOUT
升起
V
CSOUT
从上面的V下降
PRECHG
V
CSOUT
≤
V
短
和V
IN_HIGH
＆ LT ; V
VBUS
＆ LT ; V
OVP
在提高
在升压启动
V
CSOUT
升压过程中上升沿
V
CSOUT
从上面的V下降
BATMAX
16
16.5
185
17
V
mV
9.5
9.8
150
32
10.1
V
mV
ms
1.8
1.9
2.4
2.0
100
3.0
2.1
A
V
mV
33.5
50.0
165
10
120
66.5
mA
°C
°C
°C
s
12
–20%
0.153
0.160
12.5
0.210
0.225
12.5
1.06
1.10
75
95
200
100
105
1.14
0.240
20%
0.169
V
mV
V
mV
V
mV
A
kΩ
(1)
底部的N沟道MOSFET始终导通的 60毫微秒，然后熄灭，如果电流过低。
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