【bq24130www.ti.comSLUSAN2C - 2011年7月 - 修订2012年6月600】,IC型号BQ24130RHLT,BQ24130RHLT PDF资料,BQ24130RHLT经销商,ic,电子元器件-51电子网

bq24130

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SLUSAN2C - 2011年7月 - 修订2012年6月

600 - kHz的同步开关模式主机控制

电池/超级电容器充电器， 4 -A集成的MOSFET

检查样品：

bq24130

特点

600kHz的同步开关模式充电器

与4的集成的N MOSFET的

高达96％的英法fi效率

30 V输入额定电压为18V过压保护

保护

- 4.5 V至17 V输入工作范围

电池充电电压

- 1 ，2或3节电池用4.2V /电池

恒流超级电容充电

高集成度

- 集成20 -V开关MOSFET

- 集成自举二极管

- 内部环路补偿

- 内部数字软启动

安全

- 热调节环路油门后退

电流限制牛逼

= 120°C

热关断

- 电池热敏电阻检测热/冷料

暂停

- 输入过压保护

- 逐周期电流限制

准确性

- ± 0.5 ％，充电电压调节

- ± 4 ％，充电电流调节

小于15 μA电流电池与适配器

删除

小型QFN封装

- 3.5毫米× 4.5毫米QFN- 20针

应用

平板电脑

上网本和超便携移动电脑

便携式数据采集终端

便携式打印机

医疗诊断设备

电池充电器湾

备份系统

锂离子/锂聚合物电池和超级电容器

应用

PVCC

AVCC

STAT

CMOD

VREF

AGND

ISET1

CELL

bq24130

保护地

BTST

REGN

ISET2

SRP

SRN

BAT

描述

该bq24130是一个集成的主机控制锂离子和锂聚合物开关模式电池充电控制器，

两个集成式N沟道功率MOSFET 。它提供了一个恒频同步PWM控制器提供高

准确调节的充电电流和电压。快速充电和预充电电流可以是

硬连线与电阻器或通过使用DAC或通用输入输出系统的电源管理微控制器进行编程。

电池遥感提供精确的充电电压调节。

该bq24130监视电池组温度，以允许充电器仅在预先设定的温度窗口。该

热调节环路减小充电电流以保持在120℃的结温

操作。

该bq24130自动进入低静态电流休眠模式下，当输入电压低于

电池电压。该bq24130收费一个，两个或三个细胞（由CELL引脚选择），支持多达4个电荷

电流。该bq24130可在一个20引脚， 3.5× 4.5毫米

薄型QFN封装。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

使用PowerPad是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

引脚功能

针

1, 20

2, 3

名字

PVCC

TYPE

功能说明

开关节点，充电电流输出电感器的连接。连接从0.47 μF的自举电容

申银万国BTST 。

充电器的输入电压。连接至少10 μF陶瓷电容PVCC到PGND ，并把它作为

关闭尽可能集成电路。

IC电源正电源。放置一个1μF陶瓷电容AVCC和AGND ，并把它尽可能接近

可能的IC 。将来自输入端10欧姆的电阻， AVCC引脚过滤噪音。 5 V输入， 5 Ω

电阻。

10 kΩ的漏极开路充电状态引脚拉至电源轨。在STAT引脚可用于驱动LED或

与主处理器进行通信。这表明各种充电器的操作：低电荷

过程中，高的时候充电完毕或休眠模式。当故障发生时，如电荷闪烁

暂停和输入过压。

温度资质电压输入。连接一个负温度系数的热敏电阻。节目

冷热温度窗口由一个电阻分压器从VREF到TS至AGND 。温度

资格窗可以设置为5-40C或更宽。该103AT热敏电阻建议。

充电模式的选择：低（下拉至AGND ）的预充电电流ISET2引脚和高载（拉

达VREF）由ISET1引脚设置快速充电电流。如果电池电压达到电压

调节设定值， IC变为电压调节方式，无论CMOD引脚输入。

3.3 V基准电压输出。放置一个1μF陶瓷电容VREF和AGND引脚靠近IC 。

这个电压可用于编程充电电流调节上ISET1和ISET2引脚，

TS编程引脚的门槛， STAT引脚和CELL引脚的上拉轨。

模拟地。接地连接于低电流敏感的模拟信号和数字信号。在PCB布局，

连接到模拟地平面的，只有连接到PGND通过IC下方的使用PowerPad 。

快速充电电流设定点。使用来自VREF分压器到AGND设置此值。

ISET1

AVCC

STAT

CMOD

VREF

AGND

（ CHG ）

ISET1

(

)

（ SR ）

当ISET1引脚电压低于50mV至时启用ISET1引脚电压的充电器被禁用

以上为100mV 。

CELL

BAT

小区选择引脚。设置单元格LO引脚为1节，浮动2细胞， HI和3节有固定4.2V的每个细胞。

电池电压远端采样。直接从电池正极端子连接Kelvin检测跟踪

BAT引脚精确地检测电池组电压。将来自英美烟草一个0.1 μF的电容到AGND

合到IC过滤高频噪声。

充电电流检测电阻器，负输入。一个0.1 μF陶瓷电容放在SRN到SRP到

提供差模滤波。一个0.1 μF陶瓷电容放在SRN引脚与AGND之间的

共模滤波。

充电电流检测电阻，积极投入。一个0.1 μF陶瓷电容放在SRN到SRP到

提供差模滤波。一个0.1 μF陶瓷电容放在SRP引脚与AGND之间的

共模滤波。

预充电电流的设定点。使用来自VREF分压器到AGND设置此值。

ISET2

SRN

SRP

P / I

（ PRECHG ）

IS ET2

(

)

100

（ SR ）

18, 19

REGN

BTST

保护地

PWM低侧驱动器正6V电源输出。连接一个1 μF陶瓷电容REGN到PGND

针，靠近IC 。通过集成二极管用于低侧驱动器和高侧驱动器自举电压

REGN到BTST 。

PWM高侧驱动器正电源。来自申银万国的47 nF的自举电容连接到BTST 。

电源地。接地连接大电流功率变换器节点。在PCB布局，直接连接

到的低侧功率MOSFET的源极，接地的充电器的放和输出电容器连接。

只有连接到AGND通过IC下方的使用PowerPad 。

PowerPAD

PAD

裸露焊盘的IC下方。始终将PowerPAD焊接到电路板上，并且对使用PowerPad孔

平面星连接到AGND和地平面高电流功率变换器。它也可以作为一个

导热垫以散热。

订购信息

(1)

产品型号

bq24130

(1)

记号

bq24130

包

20针3.5× 4.5毫米

QFN

订购数量

bq24130RHLR

bq24130RHLT

QUANTITY

3000

250

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

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(2)

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

价值

民

PVCC

AVCC ， STAT

电压

（相对于AGND和

保护地）

SRP ， SRN ， BAT

REGN ，TS细胞， CMOD

BTST

VREF ， ISET1 ， ISET2

最大电压差

结温，T

贮藏温度，T

英镑

(1)

SRP- SRN

–0.3

–2

–0.3

–0.5

–40

–55

最大

3.6

0.5

155

°C

单位

(2)

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。所有的电压

值是相对于所述网络的接地端子，除非另有说明。

所有的电压都是相对于GND如果没有指定。电流是积极进入，负出指定的终端，如果没有指定。

请教封装的数据表热限制和包的考虑节。

热信息

热公制

(1) (2)

JCtop

JCbot

结至环境热阻

结至外壳（顶部）热阻

结至电路板的热阻

结至顶部的特征参数

结至电路板的特征参数

结至外壳（底部）热阻

bq24130

RHL （ 20引脚）

不适用

0.4

9.1

2.1

° C / W

单位

(1)

(2)

有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅

IC封装热度量

申请报告，

SPRA953.

此设备基于PCB的覆铜面积的热估计，看

TI PCB热计算器。

民

最大

13.5

0.6

–200

–40

200

125

单位

°C

推荐工作条件

输入电压

输出电压

输出电流

最大电压差

工作结温范围

VIN

BAT

OUT

SRP- SRN

4.5

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电气特性

4.5 V

≤

（ PVCC ， AVCC ）

≤

17 V ， -40°C <牛逼

< 125 ℃（除非另有说明）

参数

工作条件

（ AVCC ）

AVCC输入电压工作范围

4.5

测试条件

民

典型值

最大

单位

静态电流

（ AVCC ）

＆ LT ; V

（ UVLO ）

, 0°C - 85°C

电池的放电电流

（电流为AVCC ， BTST ， SW的总和，

SRP ， SRN ， BAT ）

（ AVCC ）

＆ GT ; V

（ UVLO ）

（ SRN ）

＆ GT ; V

（ AVCC ）

（ SLEEP ）

（ AVCC ）

＆ GT ; V

（ UVLO ）

, V

（ AVCC ）

＆ GT ; V

（ SRN ）

ISET1 < 40毫伏（收费禁用）

（ AVCC ）

＆ GT ; V

（ UVLO ）

, V

（ AVCC ）

＆ GT ; V

（ SRN ）

ISET1 > 120毫伏（收费启用），充电完成

（ AVCC ）

＆ GT ; V

（ UVLO ）

, V

（ AVCC ）

＆ GT ; V

（ BAT ）

ISET1 < 40毫伏（收费禁用）

（AC）的

适配器电源电流（电流的总和

到AVCC ）

（ AVCC ）

＆ GT ; V

（ UVLO ）

, V

（ AVCC ）

＆ GT ; V

（ BAT ）

ISET1 > 120毫伏（收费启用），无开关

（ AVCC ）

＆ GT ; V

（ UVLO ）

, V

（ AVCC ）

＆ GT ; V

（ BAT ）

ISET1 > 120毫伏（收费启用），开关

充电电压调节

bq24130 ，细胞AGND

（ BAT_REG ）

BAT调节电压

bq24130 ， CELL浮动

bq24130 ，细胞VREF

充电电压调节精度

（ BAT ）

(ISET1)

BAT引脚电阻

(1)

1.5

（ BAT ）

4.2

8.4

12.6

–0.5%

–0.7%

614

717

0.5%

0.7%

820

kΩ

= 0 85 ℃下

= -40 125 ℃的

电流调节（快速充电）

ISET1电压范围

充电的充电电流设定因子（安培

SENSE

= 10 mΩ

ISET1引脚上电流每伏）

（ IREG_CHG ）

= 40毫伏

充电电流调节精度（带

在SW肖特基二极管）

ISET1上升阈值，以使充电

ISET1下降禁用费

漏电流为ISET1引脚

（ IREG_CHG ）

= 20毫伏

（ IREG ）

= 5毫伏

(ISET1_CE)

LKG

(ISET2)

（ IREG_PRECHG ）

(ISET2)

ISET1上升

ISET1下降

(ISET1)

= 2 V

SENSE

= 10 mΩ

SENSE

= 10 mΩ

（ IREG_CHG ）

= 10 mV时， V

（SRP）

= 4 V

预充电电流调节精度

（ IREG_CHG ）

= 10 mV时， V

（SRP）

= 2.6 V

（ IREG_CHG ）

= 4毫伏

（ IREG_CHG ）

= 2 mV的

LKG

漏电流为ISET2引脚

(ISET2)

= 2V

衡量AVCC

3.4

输入欠压锁定比较器（ UVLO ）

UVLO

AC欠压阈值上升

AC欠压滞后，下跌

3.6

340

3.8

–10%

–15%

–25%

-40%

100

0.125

10%

15%

25%

40%

–4%

-7%

–25%

100

0.12

25%

120

0.8

A / V

电流调节 - 预充电

ISET2电压范围

预充电电流范围

预充电电流设定因子（中安

每伏的预充电电流ISET2引脚）

A / V

睡眠状态比较器（反向放保护）

SLEEP下降阈值

（ SLEEP ）

睡眠滞后

瑞星睡眠关机尖峰脉冲

SLEEP落电尖峰脉冲

AVCC跌破SRN

AVCC升起SRN

（ AVCC ）

– V

（ SRN ）

进入SLEEP

200

100

150

(1)

按设计规定

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电气特性（续）

4.5 V

≤

（ PVCC ， AVCC ）

≤

17 V ， -40°C <牛逼

< 125 ℃（除非另有说明）

参数

英美烟草过压比较器

（ OV_RISE ）

（ OV_FALL ）

过压阈值上升

过压阈值下降

过电压尖峰脉冲时间禁用

收费

由于VBAT的百分比

104%

102%

测试条件

民

典型值

最大

单位

输入过压比较器（ ACOV ）

AC过压阈值上升

（ ACOV ）

交流过电压下降滞后

交流过电压尖峰脉冲崛起

交流过电压尖峰脉冲下降

热调节

（ SHUT ）

结点温度调节精度

ISET1 > 120毫伏，充电

120

°C

衡量AVCC

测量AVCC

540

热关断比较

热关断温度上升

热关断迟滞

热关断尖峰脉冲上升

热关断尖峰脉冲下降

热敏电阻比较

（ LTF ）

（ LTF_HYS ）

（ HTF ）

（ TCO）的

寒冷的温度阈值， TS引脚

电压阈值上升

寒冷的温度迟滞， TS引脚

电压降

热温度TS引脚电压下降

门槛

截止温度TS引脚电压下降

门槛

抗尖峰脉冲时间，温度超出范围

发现

抗尖峰脉冲时间，温度有效

检测范围

充电器会暂停充电的百分比来VREF

至于百分比至VREF

（TS）的

＆ GT ; V

（ LTF ）

或V

（TS）的

＆ LT ; V

（ TCO）的

或V

（TS）的

＆ LT ; V

（ HTF ）

（TS）的

＆ LT ; V

（ LTF ）

– V

（ LTF_HYS ）

或V

（TS）的

＆ GT ; V

（ TCO）的

或V

（TS）的

＆ GT ;

（ HTF ）

73%

0.2%

46.6%

44.2%

73.5%

0.4%

47.2%

44.7%

400

74%

0.6%

47.8%

45.2%

温度的升高延迟

温度降低延迟

温度的升高

150

100

°C

充电过流比较器（逐周期）

（ OC ）

负责Overvurrent上升阈值，

（SRP）

＆ GT ; 2.2V

负责Overvurrent上升阈值，

（SRP）

＆ LT ; 2.2V

负责Overvurrent极限范围内，

（SRP）

＆ GT ; 2.2V

（OCP）

采用高压侧检测FET充电OCP

CHARGE暗流比较器（逐周期）

（ UCP ）

暗流充电阈值下降

从同步模式向非同步模式开关，测量

在V

（ SRP - SRN ）

衡量BAT

当前为V的百分比

（ IREG_CHG ）

160%

11.5

BAT短路比较器（ BATSHORT ）

电池短路下降阈值

（ BATSHT ）

电池短路上涨滞后

抗尖峰脉冲的两个边缘

低充电电流比较器

低充电电流下降阈值

（ LC ）

低充电电流上升滞后

抗尖峰脉冲的两个边缘

VREF稳压器

（ VREF_REG ）

（ VREF_LIM ）

VREF电压稳压器

VREF电流限制

（ AVCC ）

> UVLO

（ VREF ）

= 0V, V

（ AVCC ）

> UVLO

3.267

3.3

3.333

120

衡量V

（ SRP - SRN ）

1.25

200

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