bq2204A
X4非易失SRAM控制器单元
特点
概述
该CMOS bq2204A SRAM非
挥发性控制器单元提供所有
用于将必需的功能
成4组标准CMOS的
SRAM成非易失性读/写
内存。
精密比较器监视5V
V
CC
输入超出容限的条件
化。当外的容差进行检测，
这四个条件芯片使能输出
被迫不活动的写保护达
四家银行的SRAM。
电源监控和切换
写保护控制
2输入的解码器，用于对机控制
4银行的SRAM
3伏原代细胞输入
L E S S小吨公顷 10N s驰P-E nable
传播延迟
5 ％或10 ％电源供电
引脚连接
VOUT
BC2
NC
A
B
NC
THS
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
3伏电池备份应用
系统蒸发散
在电源故障期间，外部
SRAM是从V切换
CC
供应两个3V备用1支持
层数。在随后的加电时，该
SRAM是写保护，直到
电源的有效条件存在。
上电过程中有效的操作，
二输入端的解码器透明地SE-
脉冲编码成4组中的一
SRAM 。
引脚名称
V
OUT
VCC
BC1
CE
CECON1
CECON2
CECON3
CECON4
NC
电源输出
3伏的主备份电池输入
阈值的选择输入
芯片使能有效低输入
空调的芯片使能输出
解码器输入
无连接
+5伏电源输入
地
BC
1
？ BC
2
THS
CE
CE
CON1
–
CE
CON4
A-B
NC
V
CC
V
SS
16引脚窄DIP或SOIC
PN220401.eps
功能说明
最多四家银行的CMOS静态RAM可以由电池
用V支持
OUT
和调节的芯片使能输出
把针从bq2204A 。由于V
CC
在上下剧烈变化
停电时，对调节后的芯片使能输出
CE
CON1
通过CE认证
CON4
被迫不活动independ-
耳鼻喉科芯片使能输入的CE 。
本次活动无条件写保护外部
SRAM为V
CC
低于超出容限的门槛
V
PFD
. V
PFD
选择由阈值选择输入，
THS 。如果THS被连接到V
SS
，掉电检测时
在4.62V典型的5 ％电源供电。
1992年12月B
如果THS被连接到V
CC
，掉电检测发生在
4.37V典型的10 ％电源供电。对THS销
必须连接到V
SS
或V
CC
正确操作。
如果存储器访问是在过程中的任何四个外部的
SRAM的过程中银行掉电检测，该内存
周期继续完成之前的记忆有写
受保护的。如果存储器周期内没有终止
时间T
WPT
，所有四个芯片使能输出无条件
驱动为高电平，写保护控制的SRAM 。
1
bq2204A
由于供应持续下降近V
PFD
时，内部
开关设备强制V
OUT
至两个外部之一
备用能源。 CE
CON1
通过CE认证
CON4
是
由V高举
OUT
能量源。
在上电期间，V
OUT
切换回5V电源
帘布层为V
CC
上升到高于备用电池的输入电压
采购V
OUT
。输出CE
CON1
通过CE认证
CON4
是
为t时刻保持无效
CER
（ 120毫秒最大值）之后的
电力供应已达到V
PFD
独立于行政长官
输入，以允许处理器稳定。
上电过程中的有效操作， CE输入传递
通过一个四CE认证
CON
有propa-输出
的gation延迟小于10ns的。行政长官输入输出
上的四个CE中的一个
CON
输出引脚视
的解码输入在A和B的电平，如图中的
真值表。
A和B的输入通常依赖于高阶AD-
打扮引脚使大量非易失性存储器可以被去
签订使用密度较低的存储装置。非易失性
和解码由硬件实现联播所示
在网络连接gure 1 。
5V
VCC
VOUT
VCC
CMOS
SRAM
CECON1
CE
BC2
THS
3V
主
CELL
VSS
CECON2
CECON3
CECON4
BC1
3V
主
CELL
FG220401.eps
bq2204A
A
B
从地址
解码器
VCC
CMOS
SRAM
CE
VCC
CMOS
SRAM
CE
VCC
CMOS
SRAM
CE
CE
图1.硬件接线图（ 5 ％电源供电）
1992年12月B
2
bq2204A
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
T
SOLDER
I
OUT
注意：
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
储存温度
在偏置温度
焊接温度
V
OUT
当前
价值
-0.3到+7.0
-0.3到+7.0
0到70
-40至+85
-55到+125
-40至+85
260
200
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
mA
10秒
V
T
≤
V
CC
+ 0.3
广告
工业“N”
条件
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。置身于CON组
超越经营范围的时间过长ditions可能会影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件
（ TA = TOPR ）
符号
V
CC
V
SS
V
IL
V
IH
V
BC1
,
V
BC2
THS
注意：
参数
电源电压
电源电压
输入低电压
输入高电压
备份电池电压
阈值的选择
最低
4.75
4.50
0
-0.3
2.2
2.0
-0.3
典型
5.0
5.0
0
-
-
-
-
最大
5.5
5.5
0
0.8
V
CC
+ 0.3
4.0
V
CC
+ 0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
CC
＆ LT ; V
BC
THS = V
SS
THS = V
CC
笔记
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V或V
BC
.
1992年12月B
4
bq2204A
DC电气特性
（ TA = TOPR ， VCC = 5V
±
10%)
符号
I
LI
V
OH
V
OHB
V
OL
I
CC
V
PFD
V
SO
I
CCDR
参数
输入漏电流
输出高电压
V
OH
公元前供应
输出低电压
工作电源电流
掉电检测电压
电源开关过电压
数据保留模式
当前
主动备份电池
电压
电池开关，过电压
V
OUT
当前
V
OUT
当前
最低
-
2.4
V
BC
- 0.3
-
-
4.55
4.30
-
-
-
-
0.25
-
-
典型
-
-
-
-
3
4.62
4.37
VBC
-
V
BC1
V
BC2
0.4
-
100
最大
±
1
-
-
0.4
6
4.75
4.50
-
100
-
-
0.6
160
-
单位
A
V
V
V
mA
V
V
V
nA
V
V
V
mA
A
V
OUT
＆ GT ; V
CC
- 0.3V
V
OUT
＆ GT ; V
BC
- 0.2V
V
OUT
数据保持电流
额外的内存不是在 -
cluded 。
V
BC1
＆ GT ; V
BC2
+ V
BSO
V
BC2
＆ GT ; V
BC1
+ V
BSO
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
I
OH
= -2.0mA
V
BC
＆ GT ; V
CC
, I
OH
= -10A
I
OL
= 4.0毫安
对输出无负载。
THS = V
SS
THS = V
CC
V
BC
V
BSO
I
OUT1
I
OUT2
注意：
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V或V
BC
.
电容
（ TA = 25°C ， F = 1MHz时， VCC = 5.0V ）
符号
C
IN
C
OUT
注意：
参数
输入电容
输出电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
条件
输入电压= 0V
输出电压= 0V
这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
1992年12月B
5
QQ：2880707522 复制
